国际第三代半导体论坛
International Forum on Wide Bandgap Semiconductors China(IFWS)
2017年11月1-3日
中国Ÿ北京Ÿ首都机场希尔顿酒店
http://www.ifws.org.cn
 

        2017国际第三代半导体论坛是第三代半导体产业在中国地区的年度盛会，是全球性、高层次的综合性论坛。本届会议由第三代半导体产业技术创新战略联盟和中关村科技园区顺义园管理委员会主办，得到科技部，发改委，工信部，北京政府等相关部门大力支持。
        会议以促进第三代半导体与电力电子技术、移动通信技术、紫外探测技术和应用的国际交流与合作，引领第三代半导体新兴产业的发展方向为活动宗旨，全面覆盖行业基础研究、衬底外延工艺、电力电子器件、电路与模块、下游应用的创新发展，提供全球范围的全产业链合作平台。
 
大会主席
Umesh K. MISHRA——美国加利福尼亚大学杰出教授、Transphorm 的联合创始人
曹健林——中华人民共和国科学技术部原副部长
 
技术程序委员会
主任
郑有炓——南京大学教授、中科院院士
副主任
刘  明——中科院微电子所教授、中国科学院院士
张  荣——山东大学校长、南京大学教授
陈  敬——香港科技大学教授
邱宇峰——全球能源互联网研究院副院长
张国义——北京大学物理学院教授、北京大学宽禁带半导体联合研究中心主任

沈  波——北京大学理学部副主任、教授
 
主办单位
第三代半导体产业技术创新战略联盟
 
战略支持单位
中关村科技园区顺义园管理委员会

支持单位
国家科学技术部
国家发展与改革委员会
国家工业与信息产业部
北京市人民政府
 
协办单位
首都创新大联盟
国家半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)
国际半导体照明联盟(ISA)
中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会
中国电子学会电子材料分会
中国电力电子行业协会

中国宽禁带功率半导体及应用产业联盟
SEMI
中国照明学会
中国智能家居产业联盟
中国可再生能源学会
能源互联网联盟
TD产业技术创新战略联盟
中国智慧城市产业技术创新战略联盟
 
论坛长期与IEEE合作。投稿给SSLCHINA的优质论文，会被遴选在IEEE Xplore 电子图书馆发表
 
征文重点内容
 

S1: 碳化硅材料与器件
        碳化硅电力电子器件具备更高的效率、更高的开关频率和更高的工作温度，在新能源发电、电动汽车等一些重要领域展现出其巨大的应用潜力。碳化硅电力电子器件的持续进步将对电力电子技术领域的发展起到重要的推动作用。本分会的主题涵盖SiC衬底、同质外延和电力电子器件技术。分会广泛征集优秀研究成果，将邀请国内外知名专家参加本次会议，充分展示碳化硅材料及电力电子器件技术的最新进展。

征文方向：
Ø  SiC晶体生长和加工
Ø  SiC同质外延
Ø  SiC材料缺陷控制与表征方法
Ø  SiC电力电子芯片结构设计与仿真
Ø  SiC电力电子芯片工艺
Ø  SiC电力电子芯片可靠性
Ø  SiC电力电子芯片测试和表征
Ø  SiC电力电子芯片的其他新技术

 

分会主席：
Ÿ   盛  况——浙江大学教授
 
分会委员：
Ÿ   徐现刚——山东大学教授
Ÿ   陈小龙——中科院物理所教授
Ÿ   张玉明——西安电子科技大学教授
Ÿ   张安平——西安交通大学教授
Ÿ   柏    松——中国电子科技集团公司第五十五研究所研究员
Ÿ   王德君——大连理工大学教授
 

 S2: 氮化镓功率电子器件

        氮化镓电力电子器件具有更高的工作电压、更高的开关频率、更低的导通电阻等优势，并可与成本极低、技术成熟度极高的硅基半导体集成电路工艺相兼容，在新一代高效率、小尺寸的电力转换与管理系统、电动机车、工业电机等领域具有巨大的发展潜力。本分会的主题涵盖大尺寸衬底上横向或纵向氮化镓器件外延结构与生长、氮化镓电力电子器件的新结构与新工艺开发、高效高速氮化镓功率模块设计与制造，氮化镓功率应用与可靠性等。将邀请国内外知名专家参加本次会议，呈现氮化镓电力电子器件研究与应用的最新进展。

征文方向：
Ø  大尺寸衬底上GaN基异质结构外延生长和缺陷、应力控制
Ø  GaN基电力电子器件技术
Ø  GaN衬底材料和厚膜同质外延
Ø  GaN器件封装技术
Ø  GaN电力电子应用
Ø  GaN电力电子技术的市场研究
 

分会主席：
Ÿ   陈    敬——香港科技大学教授
Ÿ   徐    科——中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米测试中心主任、苏州纳维科技有限公司董事长
分会委员：
Ÿ   李顺峰——北京大学东莞光电研究院副院长
Ÿ   陈    鹏——南京大学教授
Ÿ   张国旗——代尔夫特理工大学教授
Ÿ   晏文德——中兴通讯股份有限公司副总裁、中兴通讯能源研究院院长

 

S3: SiC/GaN电力电子封装、模块及可靠性

        电力电子器件封装应用及可靠性（SiC, GaN)：宽禁带半导体电力电子器件近年来不断获得技术的突破，具备广泛的市场应用前景。这类器件具备更高的效率、更高的开关频率和更高的工作温度等优势，在新能源发电、电动汽车、充电桩、电力转换及管理系统和工业电机领域等已展现出其巨大的应用潜力。因此，针对宽禁带半导体电力电子器件的封装及可靠性技术是推动其快速市场化并广泛应用的关键。本分会的主题涵盖宽禁带半导体电力电子器件封装设计、工艺、关键材料与可靠性评价等方面。分会广泛征集优秀研究成果，将邀请国内外知名与家参加本次会议，充分展示宽禁带半导体电力电子器件封装技术及其可靠性评价的最新进展。
 

征文方向：
Ø  SiC/GaN电力电子器件封装设计和仿真
Ø  SiC/GaN电力电子器件封装集成
Ø  SiC/GaN电力电子器件封装热散热
Ø  SiC/GaN电力电子器件封装材料和工艺
Ø  SiC/GaN电力电子器件封装可靠性
Ø  SiC/GaN电力电子器件驱动保护
Ø  SiC/GaN电力电子器件测试和监测
Ø  SiC/GaN电力电子器件应用
Ø  SiC/GaN电力电子器件封装其他新技术
 
分会主席：
Ÿ   陆国权——天津大学教授
Ÿ   张国旗——代尔夫特理工大学教授
 
分会委员：
Ÿ   于坤山——第三代半导体产业技术创新联盟战略联盟秘书长
Ÿ   赵争鸣——清华大学教授

Ÿ   杨    霏——全球能源互联网研究院高级工程师
Ÿ   张安平——西安交通大学教授
Ÿ   柏    松——中国电子科技集团公司第五十五研究所研究员
Ÿ   陶国桥——荷兰Ampleon Netherlands B.V. 可靠性首席工程师
Ÿ   王德君——大连理工大学教授
 
S4: 第三代半导体与微波射频技术
        第三代半导体氮化镓微波器件具备高频、高效、大功率等特点，在新一代移动通信中应用潜力巨大。这一特定领域的突破标志着宽禁带半导体产业迈向新的高地。本分会的主题涵盖氮化镓微波器件及其单片集成电路材料外延、建模、设计与制造、可靠性技术及其在移动通信中的应用等各方面。拟邀请国内外知名专家参加会议，呈现第三代半导体微波器件及其应用的最新进展。
 

征文方向：
Ø  高性能微波GaN器件技术
Ø  用于高性能微波器件的GaN外延技术
Ø  GaN微波集成电路技术
Ø  GaN微波器件及工艺的可靠性
Ø  GaN微波器件的大信号等效电路模型与物理模型
Ø  GaN器件和电路在移动通信中的应用
 
分会主席：
Ÿ   蔡树军——中国电子科技集团公司第十三研究所副所长
Ÿ   张乃千——苏州能讯高能半导体有限公司董事长
 
分会委员：
Ÿ   陈堂胜——中电集团首席科学家、中国电子科技集团公司第五十五研究所副总工程师
Ÿ   刘新宇——中科院微电子研究所副所长
Ÿ   刘建利——中兴通讯股份有限公司总工
Ÿ   张进成——西安电子科技大学教授
Ÿ   陶国桥——荷兰Ampleon Netherlands B.V. 可靠性首席工程师

 
S5: 第三代半导体固态紫外器件技术
        第三代半导体材料在紫外器件中具备其他半导体材料难以比拟的优势，展现出巨大的应用潜力。本分会将重点兲注以氮化铝镓、氮化镓为代表的紫外发光材料，以碳化硅、氮化镓为代表的紫外探测材料，高效量子结构设计及外延，以及发光二极管、激光器、光电探测器等核心器件的兲键制备技术。分会还将涵盖紫外器件的先迚封装材料及技术，包括光提取、热管理及器件可靠性的提升方法。分会面向全球广泛征集优秀研究成果，并将邀请多名国际知名与家参加本次会议，力图全面呈现第三代半导体紫外发光和探测领域在材料、器件、封装及应用等各层面的国内外最新迚展。

征文方向：
Ø  AlN和其他紫外光电器件用新型衬底材料
Ø  紫外发光与探测材料的设计和外延生长
Ø  高Al组分AlGaN的p型掺杂

Ø  高效紫外发光器件
Ø  高灵敏度紫外探测与成像器件
Ø  紫外光源封装与模组的光提取、热管理及可靠性
Ø  紫外光源与探测器应用新进展
 
分会主席：
Ÿ   沈    波——北京大学理学部副主任、教授
Ÿ   张    韵——中科院半导体研究所所长助理、研究员
 
分会委员：
Ÿ   刘国旭——易美芯光（北京）科技有限公司执行副总裁兼首席技术官
Ÿ   陆    海——南京大学教授
 
S6: 超宽禁带半导体及其他新型半导体材料分会
        以金刚石、氧化镓、氮化铝、氮化硼等为代表的超宽禁带半导体材料的研究和应用，近年来不断获得技术的突破。超宽带半导体材料具有更高的禁带宽度、热导率以及材料稳定性，在新一代深紫外光电器件、高压大功率电力电子器件等意义重大的应用领域具有显著的优势和巨大的发展潜力。本分会着重研讨超宽禁带半导体材料的制备、工艺技术、关键设备及半导体器件应用，旨在搭建产业、学术、资本的高
质量交流平台，共同探讨超宽禁带半导体材料及器件应用发展的新技术、新趋势，积极推动我国超宽禁带半导体材料和器件应用的发展。分会将邀请国内外知名专家参加本次会议，呈现超宽带半导体及其它新型宽禁带半导体材料与器件研究应用的最新迚展。
 

征文方向：
Ø  超宽禁带半导体材料关键设备制造技术
Ø  超宽禁带半导体材料制备技术及其物性研究
Ø  超宽禁带半导体材料电力电子器件技术
Ø  超宽禁带半导体材料光电子器件技术
Ø  其他新型半导体材料物性研究与应用技术
 
分会主席：
Ÿ   刘    明——中科院微电子所教授、中国科学院院士
Ÿ   张    荣——山东大学校长、南京大学教授
 
分会委员：
Ÿ   陶绪堂——山东大学晶体材料国家重点实验室主任
Ÿ   王宏兴——西安交通大学教授
Ÿ   徐    军——同济大学教授
 
SSLCHINA2017方向（同期会议）
P201-材料与装备技术
P202-芯片、封装与模组技术
P203-可靠性与热管理技术
P204-驱动、智能与控制技术
P205-生物农业光照技术
P206-光品质与健康医疗照明技术

P207-新型显示与照明技术
 
征文流程
1. 作者提交论文扩展摘要（Extended Abstract）。
2. 通知作者投稿录用方式：口头报告、POSTER与入刊会议论文集等。
3. 作者依据组委会的录用通知准备材料：
     1)    口头报告：作者需准备论文与演示文件（PPT/PDF）；
     2)    POSTER：作者需准备论文与POSTER文件（组委会将对POSTER进行编号并告知作者。作者携带制作好的POSTER至会议举办地点并按照编号在POSTER展示区域自行张贴）
     3)    入刊会议论文集：作者需准备论文。作者需要根据论文模板准备论文全文。
注：
1)     官方网站（http://www.ifws.org.cn/en/paper/）提供模板下载，请作者务必按照相应模板和时间要求准备材料，以便顺利通过论文审核。

2)     优质论文会被遴选在IEEE Xplore Digital Library发表，IEEE是EI检索系统的合作数据库。
 
征文要求

1.      基本要求：
　　 1) 尚未在国内外公开刊物或其他学术会议上发表过的论文。
　　 2) 主题突出，内容层次分明，数据准确，论述严谨，结论明确，采用法定计量单位。
2.      摘要要求：
　　 投稿者需按照组委会提供的模板编写扩展摘要。
3.      全文要求：

　　 按照组委会提供的模板排版全文，论文全文格式要求为WORD，内容不超过4页。
4.      语言要求：
　　 1) 作者须提交文体规范的英文摘要/POSTER/论文；
　　 2) 演讲语言可以使用中文或英文，但必须用英文演示（PPT或PDF文档）。
注：含有商业性宣传内容的论文，不予安排在论坛演讲。
 
 

重要期限及提交方式
1. 论文摘要提交截止日期：2017年6月30日
2. 论文摘要录用通知：2017年7月17日
3. 论文全文提交截止日期：2017年9月15日
4. 论文全文录用通知：2017年9月30日
5. 口头报告演示文件（PPT或PDF）与POSTER电子版提交截止日：2017年10月15日


投稿请联系：
白璐（Lu BAI) 
电话：010-82387600-602
邮箱：papersubmission@china-led.net