通知公告 - 正文
关于《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)功率循环试验方法》等2项团体标准征求意见的通知 2021-11-04 13:58
各有关单位:
      由工业和信息化部电子第五研究所提出,并主责起草的《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)功率循环试验方法》(T/CASA 015)和《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)结壳热阻瞬态双界面测试方法》(T/CASA 016)两项团体标准已完成征求意见稿的编制,根据《CASAS管理和标准制修订细则》有关规定,为保证标准的科学性、严谨性和适用性,现公开征求意见。
请各有关单位及专家对本标准提出宝贵建议和意见,于2021年11月30日前以邮件的形式将《团体标准征求意见反馈表》反馈至联盟秘书处。
      特此通知。
北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
2021年11月3日
 
 
秘书处邮箱:casas@casa-china.cn
秘书处电话:010-82387600-208


关于《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)功率循环试验方法》等2项团体标准征求意见的通知
CASA 015—20XX 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)功率循环试验方法—征求意见稿
CASA 016—202X 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)结壳热阻瞬态双界面测试方法—征求意见稿
团体标准征求意见反馈表
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