通知公告 - 正文
T/CASAS 027—20XX《射频GaN HEMT结构的迁移率非接触霍尔测量方法》等7项标准立项通知 2022-11-22 17:09
各位CASAS正式成员:
由中国科学院半导体研究所等单位提出的标准提案《射频GaN HEMT结构的迁移率非接触霍尔测量方法》;中国电子科技集团第十三研究所等单位提出的标准提案《Sub-6GHz GaN 射频产品可靠性筛选和验收方法》; 中国电子科技集团第十三研究所等单位提出的标准提案《Sub-6GHz GaN 射频器件微波特性测试方法》; 中国电子科技集团第五十五研究所等单位提出的标准提案《GaN毫米波前端芯片测试方法》;中兴通讯股份有限公司等单位提出的标准提案《面向5G基站应用的Sub-6GHz氮化镓功放模块测试方法》, 经CASAS管理委员会投票获得立项通过,并分配编号T/CASAS 026、T/CASAS 027、T/CASAS 028、T/CASAS 029、T/CASAS 030、T/CASAS 031、T/CASAS 032。
下一步,秘书处将面向CASAS正式成员征集、组建起草小组。
T/CASAS 027 立项通知
T/CASAS 028 立项通知
T/CASAS 029 立项通知
T/CASAS 030 立项通知
T/CASAS 031 立项通知
由中国科学院半导体研究所等单位提出的标准提案《射频GaN HEMT结构的迁移率非接触霍尔测量方法》;中国电子科技集团第十三研究所等单位提出的标准提案《Sub-6GHz GaN 射频产品可靠性筛选和验收方法》; 中国电子科技集团第十三研究所等单位提出的标准提案《Sub-6GHz GaN 射频器件微波特性测试方法》; 中国电子科技集团第五十五研究所等单位提出的标准提案《GaN毫米波前端芯片测试方法》;中兴通讯股份有限公司等单位提出的标准提案《面向5G基站应用的Sub-6GHz氮化镓功放模块测试方法》, 经CASAS管理委员会投票获得立项通过,并分配编号T/CASAS 026、T/CASAS 027、T/CASAS 028、T/CASAS 029、T/CASAS 030、T/CASAS 031、T/CASAS 032。
下一步,秘书处将面向CASAS正式成员征集、组建起草小组。
T/CASAS 027 立项通知
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T/CASAS 030 立项通知
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