阈值电压是SiC MOSFET最关键的电学参数之一，其准确测量是SiC MOSFET器件栅氧界面可靠性评价的前提。7月19日，第三代半导体产业技术创新战略联盟正式发布T/CASAS 021—202X《SiC MOSFET阈值电压测试方法》（征求意见稿），面向产业征求意见。

为更多了解产业阈值电压测试方法的现状，识别阈值电压参数测量的稳定性和一致性，促进实验室间检测技术的交流，支撑实验室相应检测项目数据的准确性和有效性，推动标准的应用实施，现联盟秘书处计划组织开展SiC MOSFET阈值电压测试比对工作，诚挚地邀请相关生产制造企业、检测实验室、检测设备企业、研究机构等单位共同参加。

测试比对的样品将由测试比对组织单位提供，技术方案主要从两方面展开，一是，采用电流源法，开展不同测试单位测试结果的比对；二是，开展电流源法、单电压源法、双电压源法不同方法的比对。请有意愿参与的单位，在查阅标准征求意见稿之后，于8月2日之前发送联系人信息至casas@casa-china.cn，或电话（010-82385580）联系秘书处问询。

在此感谢中电科五十五所、中电科十三所国家半导体器件质量监督检验中心、复旦大学宁波研究院、杭州芯迈半导体技术有限公司等单位的支持。