2024年8月8日，按照第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会（CASAS）相关管理办法，经CASAS管理委员会投票通过1项GaN HEMT测试方面的团体标准立项建议，详细信息如下：

 

 

秘书处将向CASAS正式成员发出征集起草单位的通知，组建标准起草小组，请CASAS正式成员关注秘书处邮件（casas@casa-china.cn）。

T/CASAS 052—202X GaN HEMT非钳位感性负载开关鲁棒性测试方法采用UIS应力与原位在线测量方法，将UIS测试电路和双脉冲(DPT)测试电路合并到同一电路中，并利用两个开关分别控制UIS支路和DPT支路。在UIS测试阶段，UIS支路通过函数发生器控制被测器件的导通与关断，当被测器件导通时，通过改变栅极脉冲宽度来改变支路导通时的电感储存能量，随后器件关断并发生UIS过程，电感中的能量在器件漏-源极间产生电压应力。该电压应力结束后，经过一个可以调节的恢复时间,电路进入DPT测试阶段，完成UIS后动器件态导通电阻测试。此方法用于测试GN HEMT器件在UIS电压应力后动态导通电阻和器件电流的变化，可以在施加应力后的给定时间段内测量器件的时变特性。这对于揭示GaN HEMT器件在UIS过程后特性变化背后的器件退化或失效机理，特别是陷阱对电子和空穴俘获随时间变化的规律具有重要意义。