北京世纪金光半导体有限公司目前IGBT模块产品电压为600V和1200V，电流可覆盖至50A-900A，600V和1200V IGBT模块已经在风电、光伏、新能源汽车控制器等领域已通过验证，与国际厂商同类产品使用效果基本一致，同时可根据客户具体需求定制产品。

　　北京世纪金光半导体有限公司的1700V和3300V IGBT模块产品正在研发之中。

　　IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和mos(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。所以IGBT模块非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。