中微半导体设备（上海）有限公司（以下简称“中微”）2004年成立于上海，致力于为全球领先的半导体和LED芯片制造商提供具有自主知识产权的微观高端半导体设备和工艺技术解决方案。作为国内提供集成电路及MOCVD装备的龙头企业之一，公司的三大高端设备系列产品已全面进入海内外市场。

                                                （图：中微公司上海总部）

中微公司在过去的十多年中，吸引在美国硅谷和国际半导体设备产业长期工作，有丰富经验的100多位技术、工程、营运和市场及销售的专家，积累的设备经验超过2500年，并培养了国内300多位后起之秀，组建了一支国际一流的全方位的团队。

                                    
           （图：中微国际化的管理团队）

中微已开发了集成电路前段最关键的纳米等离子体刻蚀设备、用于先进封装及传感器MEMS的深硅刻蚀机和用于LED及功率器件外延片大规模生产的MOCVD设备，并已全面进入国内外高端市场。目前，中微已有500多个反应台在海内外30多条先进的芯片生产线上生产了3700多万片晶圆（以12英寸为主、28/20/14纳米器件为主）。中微的客户遍布中国大陆、中国台湾、新加坡、日本、韩国、欧洲及俄罗斯等国家和地区。中微过去几年的设备出口约占全国集成电路前段加工设备出口约80%。在过去的四年里，中微机台交付量每年增长35%，实现稳步快速增长。

 总部设于中国上海，中微先以新型的介质刻蚀机Primo系列设备为全球领先的半导体制造商提供先进的晶圆制造方案，帮助客户提高生产效率和加工质量，并降低生产成本。几年来，中微的Primo系列设备家族日益壮大，每一代刻蚀产品都具有独特创新的技术，满足日益严格的工艺要求。中微的单反应台介质刻蚀设备PrimoSSC AD-RIE™已被客户用于16纳米关键刻蚀工艺芯片的大批量生产，并被核准用于3DVNAND快闪存储器芯片的试生产线。双反应器的PrimoAD-RIE®也已在先进的10纳米逻辑芯片研发线核准使用。由于中微生产的等离子刻蚀机已经实现在晶圆制造厂批量生产，2015年2月5日，美国商务部宣布取消了对等离子干法刻蚀设备的出口限制。

           （图：中微最新一代单反应台介质刻蚀机Primo SSCAD-RIE™）

随着在介质刻蚀领域市场地位增强，中微将其刻蚀专长应用于亟需新一代硅通孔刻蚀技术的MEMS和其他封装应用领域。2012年，中微发布了Primo TSV™ 硅通孔刻蚀设备，包括加工8英寸和12英寸晶圆的设备。中微硅通孔刻蚀设备拥有卓越的设计和工艺加工能力，在先进MEMS器件的生产上具有优异的刻蚀性能，同时降低了客户的生产成本。今天，中微硅通孔刻蚀设备已在国内市场占据主导地位。

         （图：中微用于先进封装、MEMS等领域的深硅刻蚀设备）

中微公司自主研发生产的Prismo系列MOCVD设备，是国内最早成功进入多条生产线、实现大规模量产并能和国际一流设备正面竞争的设备。中微的MOCVD设备Prismo D-Blue®自2013年正式发布以来，经过和客户的无间协作和不懈努力，MOCVD产品在国内多条先进的LED生产线上表现出了优异的性能、稳定的器件良率和较高的生产效率，证明能连续加工150批次以上，已达到足以媲美国际市场上同类产品的世界先进水平，在一些设计和部分指标上甚至优于国际同类产品。在2013年11月举办的第十五届中国国际工业博览会上，中微MOCVD设备荣登工博会银奖榜首。中微的MOCVD 设备得到了国内外众多LED领先厂商的广泛认可，目前已经全面进入主流LED大生产线，开启了MOCVD国产化大门。截至2016年底，中微已运出近20台MOCVD反应腔，进入多家主要的LED或功率器件生产企业，已经通过验证测试并进入大生产线，并已高质量地加工了60多万片外延片。

         （图：中微Prismo系列MOCVD设备）

中微在第一代MOCVD研制和产业化经验的基础上，为顺应市场新的需求而开发的第二代MOCVD设备（大托盘）也已取得初步成果，首台中微公司第二代PrismoA7 MOCVD设备已于今年7月付运客户。鉴于公司第二代MOCVD设备在客户端良好的运行状况，以及优秀的工艺测试结果，中微产品取得了众多国内一线客户的青睐。产品的持续批量应用，进一步巩固并加强了中微作为国内MOCVD设备生产商的领先地位，同时也体现了中微MOCVD设备较强的国际竞争力。

在创新性保护方面，中微Prismo系列MOCVD设备目前已申请了200多项专利，其中海外专利占比超过50%，对中微多个独特的创新和设计形成了有效的知识产权保护。此外，产品设计严格遵循半导体制造规则并完全符合SEMI标准。

中微公司开发的MOCVD设备，还将是氮化镓等第三代半导体材料研究和生产的关键设备。氮化镓半导体材料作为一种新的化合物半导体材料，具有更宽的禁带，能够满足大功率、高温高频和高速半导体器件的工作要求，未来在电力电子领域应用市场前景广阔。中微开发的MOCVD设备，特别适合化合物半导体功能结构材料的规模化工业生产，是制备氮化镓LED外延片、功率器件外延片等第三代半导体器件外延的关键设备，同时也是制备其他光电子材料和器件的主流设备。

MOCVD设备的国产化和国产MOCVD设备被多数企业广泛采用，是我国成为第三代半导体器件产业强国的必由之路。中微始终将MOCVD设备国产化视为己任，中微将顺承MOCVD 设备在LED领域的成功经验，在第三代半导体器件领域实现从无到有的突破，并达到国际前沿技术水平，全力配合客户的研发及量产计划，为践行国家MOCVD设备国产化战略贡献自己的力量。