作为我国唯一一家集SiC单晶工艺研究与设备研究于一体的生产研制单位，宽禁带半导体材料山西省重点实验室（以下简称“重点实验室”）依托2所，陆续承担了国家863等重大专项十余项，成功获得国家发改委第三批专项建设基金支持，如今已具备了世界先进的设备产业化能力。

        重点实验室关注人才栽培、追求队伍建设，而王英民正是重点实验室培养的新一代学术带头人。多年来，王英民始终致力于第三代宽禁带半导体SiC单晶材料的研制与应用工作。10年过千炉的SiC单晶材料研制经验，为他成功生长出国内第一块3英寸碳化硅单晶打下了坚实的基础。通过长期探索，自2010年起，王英民带领宽禁带半导体SiC单晶衬底制备团队研制的一系列SiC材料原创性成果，获得国家级发明专利3项，实用新型3项，基金资助项目多达十余项。同时，还多次与国家科技部进行国际项目合作，为重点实验室的快速稳定发展，带来了光明的前景。

        SiC单晶材料是制造军用大功率器件的“必需品”，具有重要的军事价值。为了实现该核心电子器件的国产化，研发具有自主知识产权的单晶生长设备迫在眉睫。通过半年多的艰苦攻关，王英民带领团队自主研制的SiC单晶生长设备，实现了6H-SiC、4H-SiC单晶材料的批量生产，同时在该衬底上成功制备出GaN外延材料，设备技术指标达到国内领先水平，并成功应用于多家客户单位。

      “磨刀不误砍柴工”，2015年，王英民还带领团队中的青年骨干深入研究高纯碳化硅粉料的合成机理，首创PVT法合成了主要杂质含量小于1ppm的粉料，实现了纯度、产率以及晶型控制的新“跨越”，为后期SiC单晶生长的高品质做好了充分的“准备”。“这么多年，实验室就像一个家，每片单晶材料都凝结着大家的心血”，在王英民的眼中，每一点技术上的突破都会给他带来内心的欢悦和鼓舞。

        如今，宽带隙半导体材料的研发与产业化已经成为2所的重点发展方向，相信以王英民为首的宽禁带半导体SiC单晶衬底制备团队将继续攀登半导体材料制造技术发展的新高峰。