2017年8月26日，由中国科学院微电子研究所和株洲中车时代电气股份有限公司共同完成的“高性能SiC SBD、mosFET电力电子器件产品研制与应用验证”项目科技成果鉴定会在北京顺利召开。

　　本次鉴定会由中国电子学会组织，西安电子科技大学的郝跃院士担任鉴定会主任，中国IGBT技术创新与产业联盟、中电集团五十五所、电子科技大学、北京大学、全球能源互联网研究院、中科院电工所和中科院物理所等各单位专家组成了鉴定委员会。

　　“高性能SiC SBD、MOSFET电力电子器件产品研制与应用验证”项目实现了高性能SiC SBD 650V/150A、1200V/100A、1700V/50A、3300V/32A和5000V/3A 五个代表品种和SiC MOSFET 600V/5A、1200V/20A 和1700V/5A 三个代表品种，部分产品已用于光伏逆变、轨道交通、电动汽车等领域。

　　经质询和讨论，鉴定委员会认为该项目在高功率SiC器件结构设计、关键制造工艺和界面态控制等技术取得突破，器件性能达到国内领先、国际先进水平，成果已经在地铁车辆牵引系统运行6000公里，光伏电场挂机发电19.5MWh，混合动力城市客车运行9469公里，具有良好的社会和经济效益。鉴定委员会一致同意该项目成果通过科技成果鉴定。