联盟动态 - 正文
第三代半导体材料及应用联合创新基地建设正式启动 2016-07-21 11:43
2016年7月20日上午，第三代半导体材料及应用联合创新基地（以下简称“创新基地”）建设启动仪式在中关村顺义园基地工地现场隆重举行。原科技部副部长曹健林、原科技部高新司司长赵玉海、中国科学学与科技政策研究会副理事长李新男、科技部高新司材料处陈其针处长、顺义区委书记王刚、顺义区高朋区长、北京市科委科技协作中心主任季小兵、第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长吴玲、中国照明学会理事长邴树奎、中科院半导体照明研发中心主任李晋闽、科技部“第三代半导体材料”重点专项总体专家组组长沈波、中国电子科技集团公司第十三研究所所长卜爱民、启迪控股股份有限公司常务副总裁，启迪科技城发展有限公司董事长陈响、广东德豪润达电气股份有限公司董事长王冬雷等领导以及来自科研院所、企业、投资等领域的专家以及单位代表共约150多人出席并见证了基地建设的启动。
作为基地的创业加速孵化科技服务平台—--国际第三代半导体众联空间目前已入驻北京瑞王紫外科技有限公司、北京智慧光达通信科技有限公司、北京代尔夫特电子科技有限公司、北京三个太阳电子科技有限公司、北京创变网络电子科技有限公司、北京智芯互联半导体有限公司、北京易麦特电子商务有限公司、北京住美嘉业光电科技有限公司等企业。
半导体材料的进步和突破在现代人类社会的重大产业革命中扮演了重要的角色，是推动产业革新、技术进步的重要力量，支撑着全球信息化的进程。第三代半导体材料被认为是具有重大影响的战略技术，引发全球瞩目，其技术及应用的突破是全球半导体产业新的战略高地。与在第一代、第二代半导体材料及集成电路产业上的多年落后、很难追赶国际先进水平的形势不同，我国在第三代半导体领域的研究工作一直紧跟世界前沿，工程技术水平和国际先进水平差距不大，已经发展到了从跟踪模仿到并驾齐驱、进而可能在部分领域获得领先和比较优势的阶段，并且有机会实现超越。
该基地定位于第三代半导体材料及应用的全球创新策源地、人才集聚地、技术辐射地、创业成功地，是北京市政府、国家半导体照明工程研发及产业联盟在优势互补、资源共享的基础上，整合政府、行业、研究机构和社会资本等资源要素共同建设。创新基地主要目的是通过汇聚全球创新创业人才，以专业化、市场化、国际化的运营方式打造第三代半导体的开放式创业生态系统，实现第三代半导体关键技术重大突破，形成产业聚集，成为国内有影响的第三代半导体生产基地，抢占半导体产业制高点。这是落实北京市建设全国科技创新中心的战略定位的重大举措。
创新基地由北京国联万众半导体科技有限公司负责建设和运营，将建设“两个平台、一个基金”，即开放的国际化的公共研发平台、创业加速孵化科技服务平台以及一个投资基金。启动仪式上，北京国联万众半导体科技有限公司同启迪科技城投资发展有限公司、美国Rayvio公司、荷兰代尔夫特理工大学分别签订了合作协议。同时，第三代半导体产业技术创新战略联盟、天津半导体光源系统产业技术创新战略联盟、中国电谷第三代半导体产业技术创新战略联盟就共建京津冀研发创新平台签署了战略合作协议。作为基地的创业加速孵化科技服务平台—--国际第三代半导体众联空间目前已入驻北京瑞王紫外科技有限公司、北京智慧光达通信科技有限公司、北京代尔夫特电子科技有限公司、北京三个太阳电子科技有限公司、北京创变网络电子科技有限公司、北京智芯互联半导体有限公司、北京易麦特电子商务有限公司、北京住美嘉业光电科技有限公司等企业。
半导体材料的进步和突破在现代人类社会的重大产业革命中扮演了重要的角色，是推动产业革新、技术进步的重要力量，支撑着全球信息化的进程。第三代半导体材料被认为是具有重大影响的战略技术，引发全球瞩目，其技术及应用的突破是全球半导体产业新的战略高地。与在第一代、第二代半导体材料及集成电路产业上的多年落后、很难追赶国际先进水平的形势不同，我国在第三代半导体领域的研究工作一直紧跟世界前沿，工程技术水平和国际先进水平差距不大，已经发展到了从跟踪模仿到并驾齐驱、进而可能在部分领域获得领先和比较优势的阶段，并且有机会实现超越。
