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第三代半导体联盟调研北京世纪金光半导体有限公司 2017-01-22 15:24
2017年1月17日，第三代半导体产业技术创新战略联盟吴玲理事长、于坤山秘书长对位于北京经济技术开发区的北京世纪金光半导体有限公司（以下简称“世纪金光”）进行了调研。
世纪金光常务副总经理杨永江介绍了公司的基本情况，并汇报了关于企业发展势头与“十三五”建设目标，联盟领导对世纪金光的战略高度、行业带动与发展前景表示了充分肯定。吴玲主任就行业及企业发展存在的问题与世纪金光经营班子进行了交流，认为世纪金光的“十三五规划”与“重大工程”建设思路一致，开展平台建设、实行开放共享、找准行业突破口是半导体企业今后发展的工作重点。
世纪金光常务副总经理杨永江介绍了公司的基本情况，并汇报了关于企业发展势头与“十三五”建设目标，联盟领导对世纪金光的战略高度、行业带动与发展前景表示了充分肯定。吴玲主任就行业及企业发展存在的问题与世纪金光经营班子进行了交流，认为世纪金光的“十三五规划”与“重大工程”建设思路一致，开展平台建设、实行开放共享、找准行业突破口是半导体企业今后发展的工作重点。
座谈会后，联盟领导参观了世纪金光正着手建设的碳化硅与氮化镓两条器件线，以及CNAS认证的检测平台等。世纪金光董事长李百泉，常务副总经理杨永江等陪同参观。
【北京世纪金光简介】
北京世纪金光半导体有限公司成立于2010年12月24日，注册资金23656万元，位于北京经济技术开发区，始建于1970年，其前身为“国营542厂”（即：中原半导体研究所）。公司主营宽禁带半导体晶体材料、外延和器件的研发与生产。
公司经过40多年的发展，已成为第二代、三代半导体晶体材料、外延、器件、模块的研发、设计、生产与销售的科技型企业。是国内首家贯通整个碳化硅全产业链的高新技术企业，既：碳化硅高纯粉料→单晶材料→外延材料→器件→功率模块制备。
公司主要产品为碳化硅(SiC)高纯粉料、碳化硅(SiC)单晶片、磷化铟(InP)单晶片、锑化镓(GaSb)单晶片、碳化硅（SiC-SiC）同质外延片、氮化镓(SiC-GaN)基外延片、石墨烯、碳化硅(SiC)SBD器件、碳化硅(SiC)MOSFET器件、碳化硅(SiC)功率模块、IGBT模块等。
公司拥有强大的技术研发团队，团队主要成员由具有博士、硕士学历人员和教授、研究员等高级职称人员组成，研发力量雄厚。成立以来，陆续转接并承担了国家科研任务50多项，其中国家科技重大专项8项，取得国家专利近百项。
公司经过40多年的发展，已成为第二代、三代半导体晶体材料、外延、器件、模块的研发、设计、生产与销售的科技型企业。是国内首家贯通整个碳化硅全产业链的高新技术企业，既：碳化硅高纯粉料→单晶材料→外延材料→器件→功率模块制备。
公司主要产品为碳化硅(SiC)高纯粉料、碳化硅(SiC)单晶片、磷化铟(InP)单晶片、锑化镓(GaSb)单晶片、碳化硅（SiC-SiC）同质外延片、氮化镓(SiC-GaN)基外延片、石墨烯、碳化硅(SiC)SBD器件、碳化硅(SiC)MOSFET器件、碳化硅(SiC)功率模块、IGBT模块等。
公司拥有强大的技术研发团队，团队主要成员由具有博士、硕士学历人员和教授、研究员等高级职称人员组成，研发力量雄厚。成立以来，陆续转接并承担了国家科研任务50多项，其中国家科技重大专项8项，取得国家专利近百项。
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