5月21日至22日，由第三代半导体产业技术创新战略联盟（以下简称“CASA”）、西安交通大学和中国宽禁带功率半导体及应用产业联盟主办，西安电子科技大学、中国有色金属学会宽禁带半导体分会、中国电子学会电子材料分会、中国电工技术学会协办，西安交通大学电力系统电气绝缘国家重点实验室承办的2016年宽禁带半导体电力电子技术国际研讨会在西安交通大学圆满召开。此次研讨会是宽禁带半导体电力电子领域国内首次举办的高端论坛，大会邀请了美国、欧洲、日本及国内的20余位相关专家教授做报告，内容涉及宽禁带半导体电力电子技术的应用、宽禁带半导体电力电子器件的封装、宽禁带半导体电力电子器件和宽禁带半导体材料生长等方面。
      科学部高新技术发展及产业司新材料处副处长孟徽，项目主管王冬雨，CASA理事长吴玲，副秘书长于坤山，西安交通大学副校长荣命哲教授等特邀嘉宾，与来自国内外知名高校、科研机构、企业的代表共同参加了此次研讨会。西安交通大学教授张安平主持了研讨会，西安交通大学副校长荣命哲、CASA理事长吴玲分别为会议致辞。
       全球能源互联网研究院书记、副院长邱宇峰，美国田纳西大学教授Fred Wang，美国弗吉尼亚理工大学助理教授Qiang Li，美国佛吉尼亚理工大学教授陆国权，美国橡树岭国家实验室Zhenxian Liang博士，美国普度大学教授James Cooper，日本产业技术综合研究所 Tetsuo Hatakeyama博士，日本丰田公司Hiroki Miyake博士、Katsunori Danno博士，日本东洋炭素Makoto Kitabatake博士，日本电装公司Jun Kojima博士，日本罗姆公司的Hirokazu Asahara博士，香港科技大学陈敬教授、刘纪美教授，西安交通大学张安平教授、杨旭教授、王来利教授，西安电子科技大学郝跃院士、张进成教授，中科院苏州纳米所徐科教授，中科院电工所李建华教授、宁圃奇教授，中车西安永电公司张红卫教授，台达电子邢雷钟博士，瑞典林雪平大学Peder Bergman教授，台达电力电子中心研发经理张伟强，浙江大学盛况教授，山东大学徐现刚教授等来自国内外知名高校、科研机构、企业的200多位代表参加了此次研讨会。



 　 本次研讨会分为四个板块：宽禁带半导体电力电子技术应用；宽禁带半导体电力电子封装技术；宽禁带半导体电力电子器件；宽禁带半导体材料生长。
      宽禁带半导体电力电子技术应用主要围绕新一代电力电子系统对宽禁带功率半导体器件的需求、宽禁带功率半导体器件在电力电子技术中的应用前景。邱宇峰教授介绍了能源互联网的概念，并从新一代电力电子系统的角度出发，讲述了电力电子系统对下一代功率半导体器件的迫切需求。美国田纳西大学Fred Wang教授介绍了宽禁带电力电子技术的概念及应用，讲解了宽禁带电力电子技术与Si基电力电子技术的异同点，并指出宽禁带电力电子技术带来的机遇和挑战。Qiang Li教授、Hiroki博士、杨旭教授和张伟强博士分别介绍了宽禁带GaN器件和SiC器件在数据中心、逆变器系统、DC-DC转换器及功率变换器的实际应用及其相对于Si基器件应用的优点。
       宽禁带半导体电力电子封装技术主要针对宽禁带半导体器件在实际应用中的封装问题。李耀华教授讲解了电力电子变压器所面临的机遇和挑战，并介绍电工研究所在新型电力电子变压器上所做的各项工作。陆国权教授介绍了一种新型的纳米银低温烧结粘片技术，并指出该项技术所具有的高性能高温封装的特点，适用于宽禁带半导体电力电子器件封装。宁圃奇教授介绍了针对SiC电力电子器件高温工作特点的封装技术，张红卫教授介绍了目前高压封装技术的研究、应用现状及面临的挑战，王来利教授介绍了各类无源器件的封装技术及其集成技术。
     宽禁带半导体电力电子器件主要介绍SiC电力电子器件和GaN电力电子器件物理机理和研究进展。James Cooper教授讲解了SiC基功率半导体器件的器件物理、工作原理以及器件结构，并简要介绍了SiC电力电子器件的研究重点和难点以及普渡大学在SiC功率器件领域所做的工作。陈敬教授介绍了GaN功率器件的基本结构和原理，并介绍了香港科技大学在GaN功率器件领域的研究现状。张进成教授介绍了新型的AlGaN基功率开关器件，并指出AlGaN基功率开关器件的优点及应用。张安平教授回顾了SiC基MOSFET、IGBT及晶闸管的研究进展，指出目前正是SiC基电力电子器件研究的关键时期。Tetsuo博士讲解了SiC MOS结构的物理机理，并提出新的研究界面态密度的方法。Hirokazu博士介绍了SiC基功率器件和模块的发展，并介绍Rohm公司在该领域的研究及商业化进展情况。
     宽禁带半导体材料生长主要介绍了SiC衬底技术的发展以及GaN衬底的发展趋势。中科院苏州纳米所徐科教授介绍了GaN衬底的最近研究进展，目前已有4英寸GaN衬底，但是其质量还有待提高，成本有待降低。GaN衬底是目前制约GaN电力电子器件发展的关键因素。刘纪美教授介绍了MOCVD应用于Ⅲ-氮化物器件的外延生长的目标以及挑战。日本东洋碳素的Makoto Kitabatake博士介绍了SiC外延片中的各类缺陷及不同缺陷的检测方法，并研究了表面缺陷与电学性能的关联关系。日本Denso公司的Jun Kojima博士介绍了HTCVD方法生长SiC衬底的有事及最新进展，其4英寸碳化硅晶锭可达到43mm，并且在生长过程中不会引入缺陷。日本Toyata Motor公司的Katsunori Danno博士介绍了溶液法制备高质量4H-SiC衬底的最新进展，目前已生长出1英寸的30mm长以及2inch的10mm长的SiC晶锭。与其它生长方法相比，溶液法可生长出无位错缺陷的SiC衬底，可大大提高SiC衬底片的晶体质量，从而提高SiC器件的性能。


　　
      此次研讨会的高规格内容及豪华阵容吸引了国内外众多宽禁带半导体领域的知名高校、科研院所、企业的代表们的高度参与，增加了此次研讨会影响的深度与广度，在促进国内外宽禁带半导体研究交流的同时，也为从事宽禁带半导体材料、电力电子器件、封装和电力电子应用的专业人士提供了难得的交流和学习机会。大家一致表示此次大会内容充实，指向性强，是非常成功的一次大会。