2018年10月22日，首届国际第三代半导体研修班正式开班，来自第三代半导体领域的4位国际知名专家就碳化硅、氮化镓的最新技术进展、应用进行了详细透彻的讲解，国内近150位产业链上下游的产业技术负责人、科研院所和高校研究人员以及在校博士、研究生到会学习。
此次国际研修班由第三代半导体产业技术创新战略联盟联合深圳第三代半导体研究院、南方科技大学、第三代半导体亚欧科技创新中心共同组织。目的是为了快速培养一批培养适应国内外行业发展，具有国际视野，掌握扎实的理论基础，具备良好半导体器件分析能力，在第三代半导体制造工艺、封装测试和设计方面具有创新精神和综合竞争力的高素质复合人才。 上午平行进行P.S. Raghavan教授的宽禁带半导体材料及器件技术和Yifeng Wu教授的GaN功率器件的技术、性能、可靠性及应用两场培训。

P.S.Raghavan 博士带来了题为“Crystal Growth of Wide Band Gap Semiconducting Materials”的精彩讲座。Raghavan博士的课程培训内容包括宽禁带半导体材料的基本特性、碳化硅材料的生长、碳化硅器件的设计-制造-应用以及氮化镓和氮化铝的晶体生长等。他认为，在大规模生长SiC材料时，升华法（PVT）是最好的晶体生长方法，尽管液相生长方法可以降低缺陷，但是商业化之路仍很漫长；体GaN衬底的生长也有很长的路要走，而大尺寸AlN晶体的生长仍面临挑战。

Yifeng Wu博士做了题为“GaN Power Devices；The Technology，Performance，Reliability and Applications”的精彩讲座。吴博士从GaN器件的设计、可靠性和应用等方面进行了详细的介绍。他认为，得益于优异的物理性质和晶体结构，GaN材料非常适用于功率器件，未来的发展方向在于降低成本、提升性能以及提高可靠性。

下午平行进行Mietek Bakowski教授的碳化硅功率器件和Jon Zhang教授的碳化硅功率器件的设计、工艺与应用两场培训。

Mietek Bakowski教授带来了题为“WBG POWER DEVICES: STATUS AND PROSPECTS”的主题讲座，从宽禁带半导体器件的特性及系统优势谈起，详细讲述了宽禁带半导体材料（主要是SiC和GaN）器件的主要结构、技术水平及主要应用，相比与传统的半导体材料器件的优势。并且谈到了宽禁带半导体材料尤其是SiC电力电子器件面临的挑战。

Q.Jon Zhang教授展开了题为“ SiC Power Devices: Overview，Design， Fabrication, Applications and Future Perspectives”的精彩主题讲座。介绍了SiC的五个主要功率半导体器件（分别是肖特基二极管、MOSFET、IGBT、GTO以及BJTs）的器件特性、结构特点以及其主要应用领域，着重介绍了SiC MOSFET不同结构各个参数的设计原理、工艺制造过程。探讨了宽禁带半导体的未来发展趋势以及SiC材料的缺陷。