2016年4月8日，为了更好的推动学术研究和实际应用相结合，打通国产材料和器件到应用的“最后一公里”，第三代半导体产业技术创新战略联盟（以下简称“联盟”）青年创新促进委员会第一次“青芯”学术研讨沙龙在深圳格兰云天大酒店举办。此次沙龙主题为“碳化硅技术及应用”，旨在群策群力，发挥青年技术优势，加快推动国内碳化硅技术和产业快速健康发展。
      科技部高新司材料处副处长孟徽，联盟秘书长吕志辉、副秘书长于坤山、杨兰芳等出席沙龙并发表讲话。来自中兴通讯、比亚迪、中车株洲所、中科院微电子所、泰科天润半导体、中电集团55所、中电集团13所、西安电子科技大学、广东天域半导体、山东大学、中科院半导体所等单位的代表在会上均做了报告；天科合达、国家电网、山东天岳、中科院上海硅酸盐所、中国工程物理研究院、瀚天天成、电子科技大学、中电集团二所等相关单位派出代表参加讨论。



        科技部高新司材料处副处长孟徽在致辞中表示，科技部高新司非常关心第三代半导体产业及青年创新促进委员会的发展，也希望能为大家提供更好的支持。在科技部正式发布的《关于发布国家重点研发计划高性能计算等重点专项2016年度项目申报指南的通知》中，在“战略性先进电子材料”重点专项中对第三代半导体材料与半导体照明、高端光电子与微电子材料等4个方向部署35个任务作了部署。作为政府部门科技部愿意为大家做好服务支撑，希望大家多多沟通，共同努力把我国的第三代半导体产业做大做强。
        联盟秘书长吕志辉介绍了国内第三代半导体资源的区域聚集态势。他表示，其中北京研发力量全国最强，具有完整的SiC链条；长三角GaN链条比较完备，侧重电力电子和微波射频；珠三角半导体照明产业全国领先。同时，吕志辉秘书长还以《打造协同创新大平台》为题介绍了联盟阶段性工作进展及2016年重点工作。他表示2016年度将依托联盟探索机制体制创新，发起“第三代半导体协同创新行动计划”，引导和推动相关企业广泛参与，打造协同创新大平台，共同提升产业的国际竞争力；依托联盟，通过示范工程培育市场，推动国家重点专项及重大工程实施的模式创新。
       此外，他还向大家透露联盟和北京市科委共同承办的2016中国(北京)跨国技术转移大会暨第三代半导体国际论坛将于11月15日-17日在北京国际会议中心举办。第三代半导体国际论坛（IFWS）作为其中核心内容，将围绕第三代半导体技术发展路线、应用需求、集成创新等内容，分多个分会作深入探讨。
       中航国际投资副总经理宋兵表示，第三代半导体产业作为新兴产业，中航国际投资也在该领域有布局。在2014年实现战略转型，通过私募股权私募基金的方式，涉足与航空、军工有关的新材料、无人系统、关键元器件、5G通讯等等。近期还会参与福建的碳化硅项目及海外并购等许多项目。中航国际投资作为一个投资战略平台愿意与各位青年才俊一起为行业做出努力。希望国家在新兴材料领域方面提供积极的政策引导，把资本链、人才链、技术链等联合起来形成一个完整的产业链。
       在主题报告环节，来自中兴通讯的张滨博士分享了“第三代半导体功率器件在信息通信中的应用”。比亚迪第六事业部宽禁带器件产品部经理陈宇通过对国外应用实例、新能源汽车的发展现状、SiC器件在比亚迪新能源车上的使用情况、SiC器件使用问题探讨四方面分享了“碳化硅器件新能源汽车应用及趋势探讨”。来自泰科天润半导体总工李志军带来了“碳化硅产业的挑战和机遇：30kW交直流电源的商业前景”主题报告。中车株洲所博士陈彦分享了 “碳化硅功率器件在轨道交通应用的现状和问题”主题报告。广东天域半导体研究员孙国胜解读了“4H-SiC中的缺陷问题及其评价”报告。
      下午，来自成都电子科技大学的张有润副教授带来了“电荷调制技术在高压sic功率器件中的应用”主题报告。中科院微电子所许恒宇副研究员则分享了“碳化硅功率器件新进展及其在智能电网上的应用”报告。中电集团13所房玉龙博士带来了“13所SiC衬底外延技术进展”。中电集团55所黄润华博士则讲解了“55所碳化硅电力电子器件技术开发最新进展”山东大学陈秀芳教授分享了“SiC单晶研究进展”主题报告。西安电子科技大学-宋庆文副教授带来了“碳化硅厚膜少子寿命提升技术的探讨”主题报告。主题报告的最后，中科院半导体所张峰研究员分享了“SiC二维电子气探索与研究”主题报告。
与会人员一致认为，中国必须加快SiC分立器件和模块的研发进度。2014年美国投资1.4亿美元已组建“下一代电力电子国家制造创新研究中心”，推进宽禁带器件的技术创新和产业发展，以全面替代庞大的硅基电力电子产业；欧洲也有宽禁带半导体电力电子推进计划，电动汽车、电网现代化；日本设立“国家碳化硅项目”，推动其在电动汽车、轨道交通、智能电网应用。目前我国的产业已初具规模，市场爆发式增长。2014年SiC分立器件和模块销售均超过1亿美元，高端应用将全面替代硅器件，2020年达10亿美元。目前生产技术基于4英寸工艺，随着市场规模的不断增长和衬底技术日益成熟，将会升级到6英寸。
中兴通讯、比亚迪等用户的报告也显示，采用SiC器件对提高系统效率具有重要意义。中兴通讯已经广泛应用碳化硅二极管于各类通讯设备AC/DC电源，比亚迪也已经开始应用碳化硅器件于新能源汽车。陈宇表示“截至目前，已经确认燃效较原来改善了5%，通过优化动作控制，可以达到将燃效改善10%的目标”。
      大家认为，虽然在性能方面SiC材料比Si更占优势，但仍有不少因素一直制约着SiC器件的应用，主要表现在器件的成本较高、可靠性和成熟度不够、性能及可靠性验收标准、瞬态工况下器件可靠性、驱动、国产化方面。另外产业链断层，缺少封装材料和工艺，器件设计和工艺，尤其是器件工艺需要大力发展，现有器件仍存有问题。作为技术研发人员还是应该通过实验来继续降低衬底价格，探索增大晶片直径，直接降低成本；减少缺陷密度，提高器件性能及成品率；提高少子寿命，解决SiC器件的关键工艺及可靠性问题，以此来推动产业的发展。

      最后，在多个要点问题讨论中，此次学术沙龙圆满落下帷幕。大家一致表示此次沙龙内容充实，为大家今后的工作指明了方向，是非常成功的一次大会，同时希望联盟及青委会今后多组织类似的活动。