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祝贺第三代半导体两项技术获得国家科学技术奖 2019-01-08 19:29
2019年1月8日上午,国家科学技术奖励大会在北京隆重举行。党和国家领导人习近平、李克强等出席大会并为获奖代表颁奖。联盟副理事长单位北京大学沈波教授团队、联盟会员单位西安电子科技大学张进成教授团队获得2018年度国家技术发明二等奖。

 
“氮化物半导体大失配异质外延技术”主要完成人有沈波(北京大学)、康凯(东莞中图半导体科技有限公司)、王新强(北京大学)、童玉珍(东莞中镓半导体科技有限公司)、陈志忠(北京大学)、付星星(东莞中图半导体科技有限公司)。该研究在863、973、基金委等国家和地方科技计划的持续支持下,围绕氮化物半导体大失配异质外延的缺陷和应力控制这一重大问题开展了系统研究,发明了有效提升外延质量的图形化蓝宝石衬底新技术和外延生长新方法,制备出部分质量指标国际领先的氮化物半导体外延材料,建立了较为完善的氮化物半导体大失配异质外延技术体系,并实现了产业化应用。该成果得到国际同行的高度评价,包括诺贝尔奖获得者在内的多位该领域国际知名学者对该项目成果给予了引用或评价。
 
“微波功率器件及关键技术”由张进成教授牵头完成,项目提出了低缺陷材料生长方法、耐高温材料结构、高效器件结构和高可靠器件工艺,解决了材料生长、器件结构和制造工艺等制约器件性能提升的难题,突破了第三代宽禁带半导体电子器件的工程化应用,在下一代5G通讯、新能源汽车、物联网等国民经济和信息感知等国家安全领域具有广泛应用前景。
 
据悉,2018年度国家科学技术奖共评选出278个项目和7名科技专家。其中,国家最高科学技术奖2项;国家自然科学奖38项:一等奖1项,二等奖37项;国家技术发明奖67项:一等奖4项,二等奖63项;国家科学技术进步奖173项:特等奖2项,一等奖23项(含创新团队3项),二等奖148项;中华人民共和国国际科学技术合作奖5项。

 
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