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联盟青委会执委会副主任张进成教授、黎大兵研究员入选第四批国家“万人计划” 2019-03-01 15:43
2月26日,中共中央办公厅正式下发了2019年《第四批国家“万人计划”入选人员名单的通知》,联盟青委会执委会副主任、西安电子科技大学张进成教授、长春光机所黎大兵研究员入选第四批国家“万人计划”科技创新领军人才。
张进成 联盟青委会执委会副主任、西安电子科技大学教授
张进成教授于1998年、2001年和2004年在西安电子科技大学分别获得微电子学与固体电子学学士、硕士和博士学位。2001年留校任教,2009年晋升教授。先后主持国家重大科技专项、国家重点研发计划等国家科研项目20余项,先后发展出脉冲式MOCVD设备、GaN新型异质结构电子材料、高效率GaN微波功率器件,性能指标达到了国际先进水平,被行业杂志Semiconductor Today专题报道5次。获国家技术发明二等奖2项、省部级科技一等奖5项;获授权国家发明专利80余项,发表SCI论文200余篇,SCI他引1500余次,出版专著2部。现任西安电子科技大学科学研究院院长,宽禁带半导体器件与集成电路国家工程研究中心副主任,宽带隙半导体技术国家级重点实验室副主任,曾任微电子学院副院长。获得长江学者特聘教授、国防卓青、国务院特殊津贴专家等称号。张进成教授目前牵头联盟《第三代半导体射频技术路线图》工作。
 
黎大兵 联盟青委会执委会副主任、长春光机所研究员
黎大兵研究院主要从事GaN半导体材料与器件研究。现中科院特聘研究员,国家杰出青年基金获得者,享受国务院政府特殊津贴,政协长春市第十三届委员会委员。作为项目负责人承担国家重点研发计划课题、国家自然科学基金、中国科学院科研项目10余项。曾获中国科学院优秀导师、吉林省青年领军人才、吉林省第5批拔尖创新人才、中国科学院青年创新促进会优秀会员、中国科学院卢嘉锡青年人才奖、吉林省自然科学学术成果奖一等奖(排名第一)、吉林省优秀海外归国人才优秀奖等奖项和荣誉。担任《Scientific Reports》《半导体学报》《发光学报》编委,中国金属学会宽禁带委员会委员,OSA高级会员。在Physical Review Letters、Advanced Materials,Light:Science & Applications,Applied Physics Letters等国际期刊上等发表SCI论文50余篇,申请发明专利十多项。


国家“万人计划”
全称为“国家高层次人才特殊支持计划”,是国家层面实施的重大人才工程,旨在重点遴选一批自然科学、工程技术和哲学社会科学领域的杰出人才、领军人才和青年拔尖人才,给予特殊支持。第四批国家“万人计划”共遴选科技创业领域人才共645人,科技创业领军人才397人,教学名师103人,青年人才名单自然科学类210人,哲学社会科学、文化艺术类共64人。

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