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CASA召开2项联盟标准起草小组讨论会 2019-07-25 15:11
2019年7月24日，第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）的 2项联盟标准T/CASA009-201X《半绝缘SiC材料中痕量杂质浓度及分布的二次离子质谱检测方法》、 T/CASA010-201X《GaN材料中痕量杂质浓度及分布的二次离子质谱检测方法》的起草小组讨论会在中科院半导体所召开，北京科技大学、中科院半导体所、北京大学、中电科十三所、深圳第三代半导体研究院、中科钢研、济南力冠、中科院纳米所、河北同光等单位参加标准讨论会。
CASA标准化委员会于2017年2月正式成立，在“公开、透明、协商一致”的原则下开展团体标准化工作，围绕科技创新、标准研制与产业发展协同机制，探索以科研研发提升技术标准水平、以技术标准促进科技成果转化应用新模式，发挥联盟优势，促进创新成果转化为现实生产力，服务于产业市场发展。
已经发布的联盟标准文件可通过网站下载：
CASA标准化委员会http://www.casa-china.cn/a/casas/about/
CASA标准化委员会http://www.casa-china.cn/a/casas/about/
CASA 标准技术文件列表
1.T/CASA001-2018 碳化硅肖特基势垒二极管通用技术规范
2.T/ CASA/TR 001-2018 SiC器件在DCDC充电模块应用技术报告
3.T/ CASA002-201X 宽禁带半导体术语定义
4.T/CASA003-2018 p-IGBT器件用4H-SiC外延晶片
5.p-IGBT器件用4H-SiC外延晶片 p-IGBT器件用4H-SiC外延晶片
6.T/CASA004.2-2018 4H-SiC衬底及外延层缺陷图谱
7.T/CASA005-201X GaN HEMT电力电子器件测试方法
8.T/CASA006-201X 碳化硅金属-氧化物-半导体场效应晶体管测试方法
9.T/CASA007-201X 电动汽车用SiC MOS模块评测
10.T/CASA008-201X 地铁再生制动能量回收系统技术规范
11.CASA009-201X 半绝缘SiC材料中痕量杂质浓度及分布的二次离子质谱检测方法
12.CASA010-201X GaN材料中痕量杂质浓度及分布的二次离子质谱检测方法
2.T/ CASA/TR 001-2018 SiC器件在DCDC充电模块应用技术报告
3.T/ CASA002-201X 宽禁带半导体术语定义
4.T/CASA003-2018 p-IGBT器件用4H-SiC外延晶片
5.p-IGBT器件用4H-SiC外延晶片 p-IGBT器件用4H-SiC外延晶片
6.T/CASA004.2-2018 4H-SiC衬底及外延层缺陷图谱
7.T/CASA005-201X GaN HEMT电力电子器件测试方法
8.T/CASA006-201X 碳化硅金属-氧化物-半导体场效应晶体管测试方法
9.T/CASA007-201X 电动汽车用SiC MOS模块评测
10.T/CASA008-201X 地铁再生制动能量回收系统技术规范
11.CASA009-201X 半绝缘SiC材料中痕量杂质浓度及分布的二次离子质谱检测方法
12.CASA010-201X GaN材料中痕量杂质浓度及分布的二次离子质谱检测方法
