2019第三代半导体材料加工技术及装备研讨会成功召开
2019年10月22-23日，第三代半导体材料加工技术及装备研讨会在北京中科院半导体所学术交流中心成功举办。
本届大会由第三代半导体产业技术创新战略联盟主办，中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟支持，国宏中宇科技发展有限公司与北京高威科电气技术股份有限 公司协办。本届大会以形成研究机构、设备、生产及应用企业的协同创新机制，突破共性技术难题为主要目的，提升我国第三代半导体材料生产企业的技术能力， 故邀请产业链上下游、设备及关键零部件研究、生产单位专家代表共同深入研讨。
第三代半导体产业技术创新战略联盟秘书长于坤山；中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟秘书长陆敏；北京天科合达半导体股份有限公司常务副总经理彭同华；湖南大学教授、博士生导师，国家高效磨削工程技术研究中心副主任尹韶辉；中科院半导体所研究员杨少延；大连理工大学教授、博士生导师，精密特种加工与微制造教育部国防重点实验室主任康仁科；中微半导体设备(上海)股份有限公司副总裁郭世平；清华大学助理研究员、华海清科副总经理王同庆；北京高威科电气技术股份有限公司董事长张浔；中电科13所重点实验室副主任房玉龙；中电科55重点实验室高工、副主任设计师李赟；中科钢研节能科技有限公司副总经理赵然；中国电子科技集团公司第二研究所高工徐伟；河北同光晶体有限公司，副总工程师崔景光；瑞士微金刚中国区技术顾问师强；河南科技大学材料学院教授许荣辉；济南力冠电子科技有限公司技术部长姜良斌；无锡邑文电子科技有限公司总经理廖海涛 ；北京北方华创微电子装备有限责任公司SiC高温炉产品经理李旭刚等专家及相关领域约140位代表参加了本次会议。
会议一共17个专家报告，分别来自大学、科研院所和企业。报告覆盖了第三代半导体（SiC和GaN）材料的生长、加工的工艺、自动化管理、标准和装备等多个方面，使与会者对第三代半导体材料加工技术及装备的现状和未来发展有了更进一步的了解。
第三代半导体产业技术创新战略联盟秘书长于坤山主持了大会开幕式。介绍了会议背景以及在场嘉宾。
研讨会上半场，8位嘉宾分享了各自精彩的报告，8位嘉宾从各自的研究方向对晶体生长、划切与抛光工艺、加工质量与外延缺陷分析分享了自己的感受。彭同华常务副总经理做了主题为“碳化硅晶体生长、加工技术和装备”的报告。尹韶辉教授分享了题为“半导体材料划切工艺及装备技术”的报告。 杨少延研究员做了题为“中高压氮化镓功率电子器件制备生产关键技术及设备”的报告。康仁科教授做了题为”氮化镓晶片的光电化学机械抛光加工“的报告。郭世平副总裁分享了题为“第三代半导体材料外延生长装备现状及展望”的报告。王同庆总经理做了题为“华屋建瓴，清流永进--抛光装备国产化之路“的报告。房玉龙博士任作了题为“晶片加工质量对于生长高质量氮化镓晶体的影响“的报告。李赟博士做了题为“镜片加工质量对高质量碳化硅同质外延层的影响”的报告。
下午的会议上，9位报告嘉宾继续就第三代半导体材料加工及装备技术进行了精彩报告，大家围绕自己公司的业务进展、技术瓶颈、合作期望进行了阐述，并就装备智能化和标准建设等方面提出具有特色和创新性的思路。下午的研讨会由中科钢研节能科技有限公司副总经理赵然主持。
首先中科钢研碳化硅实验室加工部部长王锡铭做了“碳化硅衬底制备技术现状、发展趋势及工艺研究”的开场报告。徐伟博士做了“高纯半绝缘碳化硅的精密加工”的报告。河北同光崔景光副总工程师做了“碳化硅衬底加工工艺研究”的报告。瑞士微金刚师强做了“多晶金刚石微纳米粉在SiC晶片加工中的应用及其关键工艺技术”的报告。河南科技大学许荣辉教授分享了“碳化硅衬底抛光与一种精抛料”的报告。济南力冠姜良斌部长做了“第三代半导体材料生长装备与工艺自动化”的报告。高威科益云信息系统高丽峰总监分享了“第三代半导体材料加工设备及其智能化”的报告。北方华创李旭刚经理做了“SiC器件高温热处理设备国产化进展”的报告。无锡邑文廖海涛总经理分享了“半导体二手设备市场评估与翻新标准化” 的报告。
