为了表彰和宣传在我国第三代半导体事业中做出显著业绩和突出贡献的青年典型，用卓越青年的精神激励、教育和引导第三代半导体行业青年进一步开拓创新，联盟青年创新促进委员会在科技部及联盟的支持和指导下，自2016年起已开展了三届 “第三代半导体卓越青年”评选活动，取得了良好的带动效应。为了更好的对接国家人才计划，为国家中青年拔尖人才、科技创新创业领军人才推荐第三代半导体领域的优秀人才，同时对接国家青年项目，推荐入选第三代半导体卓越青年的人才承担或参与相关国家计划项目，第四届“CASA第三代半导体卓越青年”评选于2019年9月正式启动。

本届活动自开展以来，受到社会各界的广泛关注和广大青年的积极响应。根据评选规则和严格的专家评审，遴选产生了前5名获奖人员，现将第四届“CASA第三代半导体卓越青年”获奖人员进行公示。

公示期为五天。如有任何问题请与联盟秘书处联系，联系电话：010-82388680。秘书处邮箱：casa@casa-china.cn

第四届“CASA第三代半导体卓越创新青年”获奖人员名单

和巍巍,博士,深圳基本半导体有限公司总经理，国家万人计划专家，中国半导体行业协会理事。和巍巍博士本科于清华大学电机系，博士毕业于剑桥大学获工程系。主要研究方向为功率半导体器件IGBT及碳化硅MOSFET的仿真、设计、制造及应用，获得英国发明专利授权1项、美国发明专利授权1项、中国专利授权20余项，在国际著名期刊和会议上发表了多篇论文。和巍巍博士担任深圳清华大学研究院第三代半导体研发中心副主任、中国电源学会青年工作委员会秘书长等职务。和巍巍博士曾获得2017年深圳市科学技术奖（专利奖）、2018年国家科技创新创业人才、2019年中国专利优秀奖等奖项。

孙晓娟，中国科学院长春光学精密机械与物理研究所副研究员，博士，博士生导师，优秀青年基金获得者。主要从事宽禁带半导体材料与器件研究，尤其是AlGaN基光电子材料生长及器件研究。作为项目负责人承担国家自然科学基金项目、国家重点研发计划子课题等项目10余项。在Light:Science & Applications,Applied Physics Letters等期刊发表SCI论文40余篇，申请/授权发明专利30余项，荣获吉林省科技成果奖一等奖，中国科学院青年创新促进会会员，担任Scientific Reports、ACS等学术期刊审稿人。

汪炼成，中国科学院半导体研究所物理电子学博士，中南大学特聘教授，博士生导师，中南大学微电子科学与工程系副主任。先后在中科院半导体所, 新加坡南洋理工大学，新加坡科技大学和英国谢菲尔德大学从事博士和博士后研究工作，科研方向为集成宽禁带半导体器件和系统，在GaN LED 方面有近10年科研经历，近5年以第一/通讯作者发表SCI论文40余篇，引用次数744次，申请专利38项，已授权13项，成功制备性能国内领先、国际一流垂直结构LED，开拓了石墨烯透明电极在LED中应用。自2017年回国在中南大学建设了第三代半导体平台和团队，致力于次世代GaN LED、高温高功率IGBT模块封装和可靠性方面研究。工作数次被专业媒体如Compound Semiconductor、Semiconductor Today 报道，获最佳年轻研究人员（英国物理协会，SST,2018）、湖湘高层次创新人才等荣誉和奖励。

许晟瑞, 西安电子科技大学教授、博士生导师。博士毕业于西安电子科技大学微电子学与固体电子学专业,2011年留校工作，2017年破格晋升教授、博导。长期从事宽禁带半导体材料与器件的研究,在Nano Letters，Applied Physics Letters,Journal of Applied Physics等期刊发表相关领域的论文100余篇。研究成果获得2011年，2014年陕西省科学技术一等奖和2017年教育部技术发明一等奖。主持国家自然科学基金项目、国家重点研发计划子课题项目、陕西省重点产业链项目等课题，参与国家科技重大专项等多项国家重点课题。

张志国，博士、博士后、研究员，北京国联万众半导体科技有限公司副总经理,具有十五年宽禁带半导体研发、生产和管理经历，是国内较早在此领域开展研究人员之一。牵头建立了国内首个GaN微波功率器件工艺技术研发平台，编写了国内首套研发工艺和检验规范。基于此平台后续研制的GaN微波功率器件和芯片产值超亿元。研制出国内第一支瓦级GaN HEMT器件，第一支X波段GaN MMIC芯片，为后续规模应用奠定工艺和理论基础。开发了国内首个X波段GaN MMIC工程化产品，形成详细规范并在系统中进行验证和试用。先后承担和参与十几项国家重大专项、北京市重大项目等，发表论文四十余篇。作为专家参与多项国家级和北京市宽禁带半导体规划工作。