为摸清以SiC技术为重点的我国第三代半导体装备国产化现状，实施“瞄准全产业链、分步多点突破”推进国产装备自主化进程战略， 2019年12月3日下午，第三代半导体产业技术创新战略联盟第一届装备委员会共同主任、中国电子科技集团公司第十三研究所副所长兼同辉电子科技股份有限公司总经理唐景庭研究员专程赴河北同光晶体有限公司进行了专题调研。参加调研的人员还有：中国电子科技集团公司第十三研究所研究员兼同辉电子科技股份有限公司副总经理袁凤坡、同辉电子科技股份有限公司申硕、无锡先导智能装备股份有限公司企业发展经理许弘毅、九江市庐山新华电子有限公司项目经理周晓君等。本次调研主要针对SiC衬底生产环节。河北同光晶体有限公司郑清超董事长等热情接待了调研组一行，双方进行了热烈而卓有成效的沟通。
河北同光晶体有限公司成立于2012年5月28日，公司位于河北省保定市高新区。同光碳化硅单晶项目总投资10亿元人民币，占地92亩，建筑面积13万平方米，已购置单晶生长炉170台，很快将同址扩至300台。检测仪器设备20台套，切磨抛工艺设备13台。目前，公司研发产品涵盖直径4—6英寸导电型和高纯半绝缘型碳化硅单晶衬底片。高纯半绝缘型碳化硅单晶在纯度方面，能够将杂质含量稳定控制在0.01ppm以下。
考察之后，唐景庭主任表示，目前国内材料企业生产环节中切、磨、抛设备几乎均从国外进口。检测设备，包括晶片缺陷检测系统、高分辨X射线衍射仪、拉曼光谱仪、平整度仪、超景深显微镜、原子力显微镜、高电阻率测试仪、低电阻率测试仪等也均从国外进口。联盟装备委员会未来的主要任务就是推动以材料、工艺带动国产装备发展，进而实现第三代半导体产业技术的全面突破。此次调研收获很大，以后将陆续组团对装备委员会的成员进行考察调研，逐步提出装备发展的路线图。他还表示，中国电科第十三研究所SiC衬底需求量约占全国的30％，以后需求将呈爆发式增长。考虑到同光晶体技术的先进性、产能的可保证性和同在河北省带来的各种便利等优势条件，按照以市场换解决关键设备短板进而促进产业良性发展的原则，十三所拟自2020年1月起，逐步采购使用同光SiC衬底片。
