2020年9月5日，第二届第三代半导体材料及装备发展研讨会在北京中国科学院半导体所学术会议中心成功举办。
本届会议由北京第三代半导体产业技术创新战略联盟（以下简称“联盟”）、中关村产业技术联盟联合会集成电路工作专业委员会主办，北京北方华创微电子装备有限公司、国宏中宇科技发展有限公司、中晟光电设备（上海）股份有限公司、山东力冠微电子装备有限公司、深圳中科系统集成技术有限公司协办。会议目的是加强第三代半导体材料与装备企业之间及装备企业与产业链上下游企业之间的互动交流与协同合作，推进“材料、工艺、装备一体化”发展，加快装备国产化的需求与进程，实现第三代半导体产业的全面技术突破，缓解“卡脖子”问题。
科技部高新技术发展司副司长雷鹏，科技部高新司材料处处长孟徽，科技部高新司材料处副调研员曹学军，联盟理事长吴玲，北京大学理学部副主任、联盟副理事长沈波，中国电子科技集团公司第十三研究所副所长、联盟装备委员会共同主任唐景庭，中国科学院半导体所副所长杨富华，深圳第三代半导体研究院副院长张国旗，中关村顺义园管委会主任张建国，北京新材料和新能源科技发展中心副主任蔡永香，中关村产业技术联盟联合会研究部主任段恒等嘉宾及产业链专家约200余位参加了本届大会。联盟于坤山秘书长主持会议。
科技部高新技术发展司副司长雷鹏在致辞中提到科学技术是第一生产力，创新是引领发展的第一动力。在“十四五”材料领域专项总体布局中，第三代半导体是重要方向。未来的技术发展绝对不是单一的技术发展，而是很多技术的集成，我们要充分发挥集中力量办大事的优势，组织行业联合攻关，协同创新。在国际形势深刻变化的背景下，希望新材料及第三代半导体的同仁们能同心协办共同奋斗，为中国从大国到强国的转变贡献力量。
中国科学院半导体研究所副所长杨富华在致辞中表示，我国第三代半导体核心材料和装备与美日欧等发达国家有较大差距，高端装备严重依赖进口，希望通过此次会议，研究出切实解决办法和各方合作机制，集全国智慧，突破核心技术真正实现中国制造。
联盟理事长吴玲在致辞中讲到，第三代半导体是我国半导体产业发展的重要突破口。材料和装备是我们短板中的短板，我们需要在各方合作的基础上，合力推进我国第三代半导体全产业链同步提高，实现中华民族崛起的梦想。
随后，11位嘉宾分别做了精彩的报告，现场气氛异常热烈。
北京大学理学部副主任、联盟副理事长沈波教授做了《新形势下我国第三代半导体产业面临的问题和发展机遇》的报告，报告系统的介绍了我国第三代半导体的发展现状，取得的主要成就，以及研发和产业力量分布和发展趋势，分析了当前该领域存在的问题和与国际上的差距，对我国第三代半导体研发和产业的未来发展提出了一些看法和建议。
沈波 北京大学理学部副主任、联盟副理事长
中电科13所副所长，联盟装备委员会共同主任唐景庭做了《半导体关键装备的现状及国产化思考》的报告，指出了我国半导体产业面临的新形势以及半导体装备现状，并进一步针对第三代半导体装备国产化从思维和具体操作层面提出建议。
唐景庭 中电科13所副所长，联盟装备委员会共同主任
中电科电子装备集团有限公司高级工程师巩小亮带来了《SiC器件制造关键装备发展趋势及国产化进展》的报告，介绍了碳化硅器件制造关键装备的发展趋势和国产化进展，在碳化硅单晶、外延、芯片等环节国产装备已形成全面布局和以竞争促发展的良性局面。电科装备经过多年持续研发，碳化硅单晶炉、高温能离子注入机、高温激活炉等关键装备已实现迭代升级和初步成套应用。
巩小亮 中电科电子装备集团有限公司高级工程师
东莞市天域半导体科技有限公司生产总监孔令沂做了《高压碳化硅电力电子器件研发进展及其典型装备需求》的报告，主要介绍了碳化硅外延生产线中的外延设备、检测设备、清洗设备等相关的技术更新需求，提议为后续碳化硅外延材料的广泛应用做好相关设备的技术更新准备。
孔令沂 东莞市天域半导体科技有限公司生产总监
全球能源互联网研究院高级工程师杨霏做了《高压碳化硅电力电子期间研发进展及其典型装备需求》的报告，报告结合碳化硅MOSFET最新产业动态，分析了对于碳化硅MOSFET芯片加工、封装测试装备的技术需求，结合国内设备技术水平，指出优先发展的国产化设备方向。
杨霏 全球能源互联网研究院高级工程师
北京北方华创微电子装备有限公司副总裁李谦做了《第三代半导体器件工艺设备国产化探讨》的报告，报告分析了5G推动第三代半导体产业发展带来的新机遇，新挑战，阐述北方华创在衬底材料及器件工艺的国产化设备解决方案，同时引出思考。通过目前国内外形势带来的不确定性与确定性，表达北方华创愿与客户深化合作，跟进产业节奏，为构建先进，安全，高效，稳固的国产产业链贡献一己之力。
李谦 北京北方华创微电子装备有限公司副总裁
英诺赛科（珠海）科技有限公司高级工艺总监谢文元做了《硅基氮化镓产业化进展及装备需求》的报告，介绍了英诺赛科以IDM模式致力于第三代半导体氮化镓的产业化发展，现已成为全球唯一能同时量产低压和高压硅基氮化镓芯片的公司。希望国产设备以性能佳价格优势进入，针对第三代半导体提前参与共同开发，共同攀登新高地。
谢文元 英诺赛科（珠海）科技有限公司高级工艺总监
中微半导体设备（上海）股份有限公司副总裁郭世平做了《中微公司研发进展及对国产装备发展的几点思考》的报告，报告中汇报了中微公司刻蚀和MOCVD设备的研发进展及对国产装备发展的一些思考。
郭世平 中微半导体设备（上海）股份有限公司副总裁
国宏中宇科技发展有限公司总经理、联盟装备委员会副主任赵然做了《碳化硅单晶及衬底片材料制备与装备研发的协同发展》的报告，介绍了国宏中宇科技发展有限公司在碳化硅单晶衬底片材料领域技术研发与产业化生产工作过程中基于材料与装备协同发展思路所取得的部分进展，同时对研发过程中存在的材料与装备不足与问题提出了具体的协同发展建议。
赵然 国宏中宇科技发展有限公司总经理、联盟装备委员会副主任
中晟光电设备（上海）股份有限公司董事长陈爱华做了《产业链协同发展加快推动半导体装备国产化》的报告，报告了中晟MOCVD研发和产业化的进展，产品聚焦深紫外、GaN半导体分立器件和GaAs/InP分立器件应用。陈董事长根据中晟在产业链协同发展的实践，为加快半导体装备国产化进程，解决安全和先进性，对产业链协同发展对提出了具体的建议。
陈爱华 中晟光电设备（上海）股份有限公司董事长
大族激光科技产业集团股份有限公司半导体事业部博士李春昊做了《激光技术在第三代半导体领域的应用》的报告，介绍了大族激光技术在第三代半导体产业中的应用。主要包括：SiC晶圆的改质切割技术、SiC晶锭剥离技术、GaN激光开槽技术、SiC晶圆激光退火技术等。
李春昊 大族激光科技产业集团股份有限公司半导体事业部博士
中电科13所副所长，联盟装备委员会共同主任唐景庭主持了以生产过程中关键装备的国产化为主题的互动环节。现场嘉宾围绕国内企业近年的装备需求、装备企业如何开展合作；如何推进装备国产化等问题进行了热烈的讨论。
在大会结束后，在联盟大会议室举行了联盟装备委员会闭门会议。
