新机遇、芯发展

第四届中国·如皋第三代半导体晶体及装备论坛成功召开
 

会议现场

应疫情防控需要，部分嘉宾通过线上及视频方式参与活动。线上参会的有：中国工程院院士、中国科学院半导体研究所研究员陈良惠，国家新材料产业发展专家咨询委员会委员、第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长吴玲，第三代半导体产业技术创新战略联盟秘书长于坤山，山东大学副教授彭燕。

现场出席论坛的南通市相关部门领导有：南通市工业和信息化局党组成员薛培龙，南通市科技局党组成员、副局长孙青山。出席论坛的如皋市领导有：中共如皋市委书记何益军、如皋市人大常委会主任司祝建、如皋市政协主席张元健、如皋市人大常委会副主任钱志刚、如皋市人民政府副市长顾凡、如皋市政协副主席郑振明、如皋高新区党工委书记石兵、如皋高新区管委会主任刘亚东先生。出席论坛的业界专家代表有：乌克兰工程院院士杨为佑，中科院半导体所原副所长、十三五国家重点研发计划“战略性先进电子材料专项”总体专家组组长陈弘达，国家半导体照明产业及研发产业联盟副理事长唐国庆，南京大学教授修向前，南京大学教授谢自力，西安电子科技大学教授弓小武，中国电科46所副总工程师郝建民，中微半导体设备（上海）股份有限公司副总裁郭世平，海迪科(南通)光电科技有限公司总经理兼董事长孙智江，江苏卓远半导体有限公司执行董事张新峰等来自国内高校、科研院所、企业、投资机构的代表和如皋市相关部门负责人、部分重点企业负责人，以及新闻媒体界的代表共200余人出席了线下会议，论坛同步网上直播，3.7万人在线观看本次论坛。开幕式由中共如皋市委副书记丁兴华主持。

如皋市委副书记  丁兴华

 

如皋市委书记  何益军

如皋市委书记何益军在致辞中介绍，近年来，如皋紧扣打造“长三角最具资源和成本优势的中高端产业集聚区”，重点发展汽车及零部件、新型电力装备、高端成套设备及关键零部件、生命健康、电子信息及新材料六大优势产业，把半导体产业作为全市重点发展的战略性新兴产业，出台产业发展实施意见予以支持，重点引进上下游企业和研发机构落户，集聚了迅镭激光、海迪科光电、卓远半导体、秦烯新材料等一大批优质企业，催生了卓远中乌第三代半导体、如皋化合物半导体等一批产业研究院，初步构建了覆盖半导体材料、设备、制造、封装测试、产业应用的完整产业链条。何益军热切期待与会领导、专家和企业家朋友一如既往地关心支持如皋发展，尤其是半导体产业的发展，充分发挥人脉资源广、技术能力强的优势，积极宣传如皋、走进如皋，把更多项目布局到如皋，把更多的朋友介绍到如皋，共同为如皋半导体产业发展贡献更多智慧力量、形成更多合作成果。

中国工程院院士、中国科学院半导体研究所研究员  陈良惠

陈良惠院士为大会致辞。他指出中国在第三代半导体方面已经展现出巨大的市场潜力，在助力和培育技术进步方面具有无可比拟的优势。中国在第三代半导体的光电子领域已经具有近20年的技术储备和积累，产业链及全国产化的制造设备和能力建设日臻完善，中国企业在这个进程中展现出了拼搏进取、勇于担当的精神。科技创新已经成为国际战略博弈的主战场，第三代半导体在国防和国民经济建设中的重要性日益凸现。他提出几点建议：一是清晰发展路径，强调研发与生产并重。二要统筹安排、合理布局，突出地方特色，强化协同发展。三要制定合理的人才政策，建设起强大的人才队伍。他建议如皋市要发挥好特色优势，为第三代半导体产业发展做出自己独特的贡献！

第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长  吴 玲

吴玲理事长首先对第四届中国如皋第三代半导体晶体及装备论坛的顺利召开表示祝贺。她指出，第三代半导体在支撑国家能源革命，助力“双碳”战略；支撑高速列车、新能源汽车等核心动力系统的升级换代；支撑高频、高速、宽带通信系统核心器件的自主可控；支撑光电应用产业高质量发展等方面都具有关键性作用。当前国际形势纷繁复杂，中美在关键领域核心技术上的博弈日趋白热化，这既是严峻挑战也是千载难逢的机遇，在超越摩尔技术领域，中国与国际差距相对较小，第三代半导体有可能通过技术突破实现产业引领。近年来，第三代半导体在各地发展如火如荼，长三角地区基础良好，发展迅速。如皋市政府已经做了很多工作，一批优秀的企业脱颖而出，衷心祝愿如皋市找准特色，发挥特长，尤其在装备领域，在许多关键零部件和配套材料还在依赖进口的情况下，能够抓住长三角一体化的契机，在第三代半导体产业发展上取得更大的成绩。

如皋高新技术产业开发区管委会主任  刘亚东

如皋高新技术产业开发区管委会主任刘亚东作如皋高新区第三代半导体产业推介，并发布半导体产业规划。

揭牌仪式

签约仪式

开幕式上，“如皋·创源上海科创孵化基地”、“如皋高新区科技企业孵化器”、“如皋高新区众创空间”等科创产业载体揭牌，12个产业项目及科技人才项目现场签约，为如皋第三代半导体产业发展提供新动力。

国家半导体照明工程研发及产业联盟副理事长  唐国庆

进入专家论坛环节，来自大学、科研院所及企业的6位专家学者分享了他们的报告，本环节由国家半导体照明工程研发及产业联盟副理事长唐国庆主持。

第三代半导体产业技术创新战略联盟秘书长 于坤山

第三代半导体产业技术创新战略联盟于坤山秘书长分享了题为《第三代半导体产业现状及趋势》视频报告。于秘书长提到，第三代半导体材料因具有“高光效、高电压、高功率、高频、高导热”等“五高”特性，而在“光电子、电力电子、微波射频”三大领域具有广泛的应用前景。在国家“双碳”战略指引下，第三代半导体将作为支撑“智能、绿色、可持续发展”的关键材料和器件，将在能源、高速轨道交通、新能源汽车、新一代移动通信、新一代光电应用等方面发挥巨大的作用。我国历经十二五、十三五的技术研发和产业化培养，以SiC和GaN为代表的第三代半导体产业在我国已经初步建立起比较完整研发和产业化体系。GaN材料和器件（光电子、功率器件、微波射频器件）占据中低端市场，基本实现自主可控。SiC材料和器件国产仅有半控器件占有部分市场，高性能衬底和外延材料以及全控器件还受制于人。面对未来发展对第三代半导体材料和器件的更大需求，国际龙头企业已经瞄准中国庞大的市场，扩产能和降成本将成为未来全球第三代半导体产业发展的主旋律，国内企业将面临严酷的市场竞争。面对这样的局面，国家、地方以及产业龙头企业尽早做好顶层设计，实现国内技术、产业、资金、政策和市场资源的有效协同与聚集是当务之急。

南京大学教授  修向前

南京大学修向前教授带来了题为《氮化镓晶体技术进展及产业化进展》的报告。报告介绍了卤化物气相外延设备（HVPE）及其在制备氮化镓衬底方面的应用，对氮化镓单晶衬底相关关键技术路线进行了概述，并从产业化角度进行了讨论。

中国电科46所副总工程师  郝建民

中国电科46所副总工程师郝建民分享了题为《氧化镓单晶研发进展》的报告。他提到氧化镓单晶是最有希望获得产业突破的半导体材料，同时它又是年轻而有个性的单晶材料。它的发展又必须按照单晶衬底材料的发展规律，如关注如何长大、电阻率实现、缺陷抑制等。报告以上述观点为基础，阐释了氧化镓单晶材料及其进展。

西安电子科技大学教授  弓小武

西安电子科技大学弓小武教授带来了题为《高功率IGBT模块的国产化路线》的报告，他指出我国作为功率器件最大的应用市场，半导体功率器件研究起步较晚，国产器件尤其是高端IGBT模块只占整个市场的很小一部分份额，我国的IGBT需求严重依赖于国外进口。报告分析了高端IGBT模块国产化的难点余发展趋势，智能功率芯片技术研究和新型封装技术研究，最后提出了高端IGBT模块国产化的一些构思。

中微半导体设备（上海）股份有限公司副总裁  郭世平

中微半导体设备（上海）股份有限公司郭世平副总裁分享了题为《第三代半导体关键设备进展情况》的报告。半导体装备是实现第三代半导体材料及器件产业化的基础，报告阐述氮化镓外延生产用MOCVD装备及碳化硅外延生产用HTCVD装备技术的国内外研发进展及未来发展方向，同时，简单介绍中微半导体设备公司最新研发的用于蓝绿光Mini-LED生产的Prismo UniMax设备。

山东大学副教授  彭 燕

山东大学彭燕副教授分享了题为《碳化硅晶体技术及产业化进展》的视频报告。SiC材料作为第三代半导体材料的杰出代表，相比于Si、GaAs等传统材料，其具有宽禁带，高临界击穿场强、高热导率、化学性能稳定等优异特性，是制备高温、高频、大功率、抗辐射电子器件的理想材料。近20年来，随着材料生长技术、制造工艺与器件物理的迅速发展 SiC材料及器件在雷达、5G通讯、电动汽车等领域获得了广泛应用，对国防工业发展、国家信息安全、国民经济建设均产生了极其重要的影响。报告文以SiC单晶衬底为主要研究对象，简要介绍其基本性质、应用、研发历史和制备方法，并结合新一代半导体材料研究院的SiC衬底相关研究工作概述研发进展和国内外产业的现状。

互动讨论

最后，与会嘉宾围绕第三代半导体发展的突破口及创新模式进行互动讨论，积极探索第三代半导体产业发展之路及发展模式，分析第三代半导体领域面临的机遇与挑战，共议特色发展路径。

考察照片

下午，与会嘉宾先后现场参观了软件园二期（科技企业孵化器、众创空间）、正海磁材、迅镭激光、益芯半导体、浦丹光电、世睿电力、卓远半导体、华夏胶片电影博物馆等高新区经济社会发展亮点。至此，第四届中国·如皋第三代半导体晶体及装备论坛圆满闭幕。