培训现场

随着碳化硅器件在新能源汽车、智能电网、光伏储能等产业的广泛应用，其占功率半导体市场比重近几年得到快速提升。随着产业的快速发展，各个企业的研发及销售工程师都急需提升自己的专业能力。联盟邀请研究一线和产业一线的技术型专家，就技术人员在研发、生产中常见的技术难题进行了细致分析与深入探讨。第三代半导体产业技术创新战略联盟副理事长兼秘书长杨富华，广东芯聚能半导体有限公司高级总监朱贤龙共同主持了会议。

杨富华   第三代半导体产业技术创新战略联盟副理事长兼秘书长

朱贤龙  广东芯聚能半导体有限公司高级总监

广东芯聚能半导体有限公司副总裁刘军在致辞中首先欢迎参加培训的业界同仁。他表示联盟举办此次培训恰逢其时，芯聚能非常荣幸能承办此次培训活动。作为广州市南沙区第三代半导体创新中心的牵头单位，芯聚能着力于针对新能源汽车及通用工业领域用功率半导体芯片及器件研发、设计、封装、测试及销售，主要产品应用于新能源汽车主驱和光伏逆变、储能、充电桩、工业电源等领域。2022年芯聚能SiC MOSFET模块系列产品在主驱逆变器上实现了突破，搭载量产乘用车超过10000台，同时也是目前国内整车定点、量产出货数量最多的碳化硅模块产品；芯聚能还成为全国SiC MOSFET模块第三方交付第一的企业。借此次培训也希望与参会的业界同仁进行深入交流，探讨未来的合作空间，共同为第三代半导体产业发展贡献力量。

刘军  广东芯聚能半导体有限公司副总裁

中国科学院电工研究所主任研究员温旭辉分享了《功率器件结温监测技术研究进展》的报告。报告中提到，“电动化、智能化、网联化”相互赋能带来新能源汽车产销量持续大幅增长，2022年我国新能源汽车全年销售688.7万辆，市场占有率提升至25.6%，全球销量占比超过60%。电机是新能源汽车三大核心技术之一，包括Si-IGBT和SiC-MOSFET在内的功率器件是电机系统的“核心”，其运行可靠性十分重要。报告在对功率器件结温监测方法综述的基础上，报告了基于大电流导通压降的功率器件结温在线监测方法的研究进展。介绍了一种功率器件结温标定方法，降低了自发热和开关干扰对标定数据的影响，提高了标定精度，采用H桥电路提升了标定效率；设计了导通压降和电流的在线检测电路，所研发的智能驱动电路兼具结温监测功能；采用上述结温和导通压降检测技术，提出一种利用PC试验数据获得键合线老化特征参数的方法，可用于功率模块的寿命预测。

温旭辉  中国科学院电工研究所主任研究员

工业和信息化部电子第五研究所研究员陈媛分享了《车规级碳化硅（SiC）模块的可靠性测试验证方法》的报告，她表示，SiC MOSFET具有击穿电压高、电流能力强、损耗低等一系列的优点，使得它在传统的Si 功率器件的应用领域具有替代性的应用优势，SiC MOSFET在电动汽车中应用的最大优势是可以显著地降低能耗，提高汽车的续航能力。车规级SiC MOSFET可靠性要求极高，主要是因为汽车应用环境要求苛刻，对运行稳定性要求高。对产品的工作温湿度范围、抗机械冲击能力、抗干扰能力、失效率等都远高于消费级和工业级产品的要求。由于材料本身及制程工艺的区别，SiC MOSFET的可靠性测试验证方法相比Si功率器件存在差异。更高的界面缺陷密度以及双极退化等特有的退化机理是影响SiC MOSFET在各种恶劣条件下可靠性的重要因素，SiC MOSFET芯片和封装的同时退化也使得退化特征更加复杂，这些都对SiC MOSFET的可靠性测试验证提出了挑战。实际使用时更高的电场强度、工作电压和开关速度都将影响SiC MOSFET可靠性，相关可靠性测试验证也需要重点关注。

陈  媛  工业和信息化部电子第五研究所研究员

德国贺利氏电子中国区研发总监张靖分享了《用于SiC功率器件的先进封装解决方案》的报告。报告中提到，结温高达200°C，使用寿命要求10年以上，所有材料的性价比要尽可能高：电动汽车、可再生能源等新应用领域对电力电子器件提出了巨大的挑战。半导体行业正在开发采用宽禁带（WBG）碳化硅和氮化镓技术的电力电子模块，以实现更高的功率密度和开关频率。如今，焊料等传统封装材料已经逼近性能极限，利用完美匹配的新一代封装材料可大幅提高系统可靠性。本场演讲将介绍一套完整的宽禁带器件封装解决方案，该方案采用贺利氏电子的新型封装材料，并且包括贺利氏银烧结技术、高度可靠的金属陶瓷基板和Die Top System等。此外，现场还将分享该解决方案如何提高宽禁带器件的可靠性，以及最多能够提高至什么水平。

张  靖  德国贺利氏电子中国区研发总监

培训结束后，与会人员在广东芯聚能半导体有限公司参观考察并用餐。大家都纷纷表示，此次培训收获颇多。第四届第三代半导体支撑新能源汽车创新发展高峰论坛同期举办。