联盟动态 - 正文
《Sub-6GHz GaN 射频产品可靠性筛选和验收方法》等五项团体标准发布 2023-07-03 09:51
由中国科学院半导体研究所牵头制定的T/CASAS 027，由中国电子科技集团公司第十三研究所牵头制定的T/CASAS 028、T/CASAS 029，由中国电子科技集团第五十五研究所牵头制定的T/CASAS 030，由中兴通讯股份有限公司牵头制定的T/CASAS 031，遵循CASAS标准制定流程，经过标准起草小组会议讨论、广泛征求意见、委员会草案投票等流程，团体标准T/CASAS 027—2023《射频GaN HEMT外延片二维电子气迁移率非接触霍尔测量方法》、T/CASAS 028—2023《Sub-6GHz GaN 射频器件可靠性筛选和验收方法》、T/CASAS 029—2023《Sub-6GHz GaN 射频器件微波特性测试方法》、T/CASAS 030—2023《GaN毫米波前端芯片测试方法》、T/CASAS 031—2023《面向5G基站应用的Sub-6GHz氮化镓功放模块测试方法》于2023年6月30日正式面向产业发布。
T/CASAS 027—2023《射频GaN HEMT外延片二维电子气迁移率非接触霍尔测量方法》描述了射频GaN HEMT外延片的二维电子气迁移率非接触Hall测量方法的测试原理、干扰因素、测试程序和试验报告。适用于半绝缘衬底上的GaN HEMT外延片二维电子气迁移率测量，其迁移率测量范围在100
～20000 。测试方法同样适用于其他材料体系的类似结构（例如GaAs、InP HEMT结构）外延片的二维电子气迁移率测量，衬底材料的导电性应为半绝缘。
【本文件主要起草单位】
中国科学院半导体研究所、厦门市三安集成电路有限公司、北京大学、中兴通讯股份有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、LUVA SYTEM INC.、苏州能讯高能半导体有限公司、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟。
【本文件主要起草人】
魏学成、刘波亭、杨学林、刘建利、宋学峰、Roger Luo、裴轶、徐瑞鹏。
T/CASAS 028—2023《Sub-6GHz GaN 射频器件可靠性筛选和验收方法》描述了Sub-6GHz GaN射频产品的可靠性筛选和验收方法和详细要求，对提升产品质量、系统可靠性及稳定性具有重要意义。
【本文件主要起草单位】
中国电子科技集团公司第十三研究所、北京大学、河北博威集成电路有限公司、北京国联万众半导体科技有限公司、中兴通讯股份有限公司、西安电子科技大学、河北北芯半导体科技有限公司、苏州能讯高能半导体有限公司、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟。
【本文件主要起草人】
默江辉、吴文刚、王金延、郭跃伟、刘相伍、刘建利、郑雪峰、迟雷、裴轶、徐瑞鹏。
T/CASAS 029—2023《Sub-6GHz GaN 射频器件微波特性测试方法》描述了Sub-6 GHz GaN 射频器件微波特性的详细测试方法。本文件适用于共源组成方式的GaN 射频器件，其它组成方式仅供参考。制定Sub-6 GHz GaN 射频器件微波特性的测试方法以及相关规范，对研发生产、性能评估、量产测试和应用评价等具有重要指导意义。
【本文件主要起草单位】
中国电子科技集团公司第十三研究所、北京大学、河北博威集成电路有限公司、北京国联万众半导体科技有限公司、中兴通讯股份有限公司、西安电子科技大学、河北北芯半导体科技有限公司、苏州能讯高能半导体有限公司、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟。
【本文件主要起草人】
默江辉、吴文刚、王金延、郭跃伟、刘相伍、刘建利、郑雪峰、迟雷、裴轶、徐瑞鹏。
T/CASAS 030—2023《GaN毫米波前端芯片测试方法》描述了GaN毫米波前端芯片的术语、定义、测试条件、测试要求和测试方法，结合了近几年科研人员在毫米波氮化镓前端芯片领域的研发、测试评估以及应用方面的经验总结，对毫米波氮化镓前端芯片性能指标的测试方法进行了详细的规定，包括且不限于测试目的、测试环境、测试方法及步骤、测试工具及仪表等。
【本文件起草单位】
中国电子科技集团第五十五研究所、中兴通讯股份有限公司、北京大学、苏州能讯高能半导体有限公司、中国科学院半导体研究所、中国电子科技集团第十三研究所、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟。
【本文件主要起草人】
周强、龚健伟、余旭明、刘建利、王茂俊、徐瑞鹏。
T/CASAS 031—2023《面向5G基站应用的Sub-6GHz氮化镓功放模块测试方法》描述了氮化镓功放模块的术语、定义、测试条件、测试要求和测试方法，本文件根据我国三大运营市场需求和入网测试指南，借鉴3GPP TS 37.104 V16.5.0等国际通信协议，并结合了近几年科研人员在氮化镓功放领域的研发、测试评估以及应用方面的经验总结，对氮化镓功放性能指标的测试方法进行了详细的规定。
【本文件主要起草单位】
中兴通讯股份有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、中国电子科技集团公司第五十五研究所、苏州能讯高能半导体有限公司、厦门市三安集成电路有限公司、中国科学院半导体研究所、西安电子科技大学、清华大学、北京大学、工业和信息化部电子第五研究所、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟。
【本文件主要起草人】
封葳、王宇、段向阳、别业楠、刘建利、樊宁、王晖、董晶、默江辉、周强、裴轶、刘波亭、魏学成、郑雪峰、陈文华、王茂俊、蔡宗棋、徐瑞鹏。
T/CASAS 027—2023《射频GaN HEMT外延片二维电子气迁移率非接触霍尔测量方法》描述了射频GaN HEMT外延片的二维电子气迁移率非接触Hall测量方法的测试原理、干扰因素、测试程序和试验报告。适用于半绝缘衬底上的GaN HEMT外延片二维电子气迁移率测量，其迁移率测量范围在100
～20000 。测试方法同样适用于其他材料体系的类似结构（例如GaAs、InP HEMT结构）外延片的二维电子气迁移率测量，衬底材料的导电性应为半绝缘。【本文件主要起草单位】
中国科学院半导体研究所、厦门市三安集成电路有限公司、北京大学、中兴通讯股份有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、LUVA SYTEM INC.、苏州能讯高能半导体有限公司、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟。
【本文件主要起草人】
魏学成、刘波亭、杨学林、刘建利、宋学峰、Roger Luo、裴轶、徐瑞鹏。
T/CASAS 028—2023《Sub-6GHz GaN 射频器件可靠性筛选和验收方法》描述了Sub-6GHz GaN射频产品的可靠性筛选和验收方法和详细要求，对提升产品质量、系统可靠性及稳定性具有重要意义。
【本文件主要起草单位】
中国电子科技集团公司第十三研究所、北京大学、河北博威集成电路有限公司、北京国联万众半导体科技有限公司、中兴通讯股份有限公司、西安电子科技大学、河北北芯半导体科技有限公司、苏州能讯高能半导体有限公司、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟。
【本文件主要起草人】
默江辉、吴文刚、王金延、郭跃伟、刘相伍、刘建利、郑雪峰、迟雷、裴轶、徐瑞鹏。
T/CASAS 029—2023《Sub-6GHz GaN 射频器件微波特性测试方法》描述了Sub-6 GHz GaN 射频器件微波特性的详细测试方法。本文件适用于共源组成方式的GaN 射频器件，其它组成方式仅供参考。制定Sub-6 GHz GaN 射频器件微波特性的测试方法以及相关规范，对研发生产、性能评估、量产测试和应用评价等具有重要指导意义。
【本文件主要起草单位】
中国电子科技集团公司第十三研究所、北京大学、河北博威集成电路有限公司、北京国联万众半导体科技有限公司、中兴通讯股份有限公司、西安电子科技大学、河北北芯半导体科技有限公司、苏州能讯高能半导体有限公司、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟。
【本文件主要起草人】
默江辉、吴文刚、王金延、郭跃伟、刘相伍、刘建利、郑雪峰、迟雷、裴轶、徐瑞鹏。
T/CASAS 030—2023《GaN毫米波前端芯片测试方法》描述了GaN毫米波前端芯片的术语、定义、测试条件、测试要求和测试方法，结合了近几年科研人员在毫米波氮化镓前端芯片领域的研发、测试评估以及应用方面的经验总结，对毫米波氮化镓前端芯片性能指标的测试方法进行了详细的规定，包括且不限于测试目的、测试环境、测试方法及步骤、测试工具及仪表等。
【本文件起草单位】
中国电子科技集团第五十五研究所、中兴通讯股份有限公司、北京大学、苏州能讯高能半导体有限公司、中国科学院半导体研究所、中国电子科技集团第十三研究所、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟。
【本文件主要起草人】
周强、龚健伟、余旭明、刘建利、王茂俊、徐瑞鹏。
T/CASAS 031—2023《面向5G基站应用的Sub-6GHz氮化镓功放模块测试方法》描述了氮化镓功放模块的术语、定义、测试条件、测试要求和测试方法，本文件根据我国三大运营市场需求和入网测试指南，借鉴3GPP TS 37.104 V16.5.0等国际通信协议，并结合了近几年科研人员在氮化镓功放领域的研发、测试评估以及应用方面的经验总结，对氮化镓功放性能指标的测试方法进行了详细的规定。
【本文件主要起草单位】
中兴通讯股份有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、中国电子科技集团公司第五十五研究所、苏州能讯高能半导体有限公司、厦门市三安集成电路有限公司、中国科学院半导体研究所、西安电子科技大学、清华大学、北京大学、工业和信息化部电子第五研究所、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟。
【本文件主要起草人】
封葳、王宇、段向阳、别业楠、刘建利、樊宁、王晖、董晶、默江辉、周强、裴轶、刘波亭、魏学成、郑雪峰、陈文华、王茂俊、蔡宗棋、徐瑞鹏。
