第二届卓越青年获奖者介绍
陈万军，博士，教授、博士生导师。现任电子科学与工程学院副院长。四川省杰出青年资助计划入选者，四川省学术和技术带头人后备人选，IEEE高级会员（Senior Member），中国电子学会高级会员，中国电子学会青年科学家会员，四川省电子学会半导体与集成技术专委会秘书长。长期致力于新型功率半导体器件与集成技术领域的科学研究和人才培养工作。主持承担国家科技重大专项、国家自然科学基金、预研重点、瓶颈攻关等国家级/省部级和横向课题30余项；在IEEE Elec. Devi. Lett.、IEEE Trans. on Elec. Devi.、Appl. Phys. Lett.等国际权威期刊和IEDM、ISPSD等著名国际会议发表论文100余篇，其中SCI检索60余篇，EI检索80余篇，引用次数超过1000次；获授权美国专利、中国发明专利10余项。获四川电子科学技术奖一等奖（排名第一）、四川省教学成果一等奖、中国电子学会先进工作者荣誉称号、CASA第三代半导体“卓越创新青年”称号等。
樊嘉杰，男，博士，副教授，硕士生导师。2014年获香港理工大学工业与系统工程专业工学博士学位，期间赴美国马里兰大学帕克分校CALCE研究中心联合培养。现兼任荷兰代尔夫特理工大学（北京研究中心）&半导体照明联合创新国家重点实验室博士后、可靠性项目组负责人。2018年获国家留学基金委资助赴荷兰代尔夫特理工大学微电子系任访问学者。曾获全国 “第三代半导体卓越创新青年”称号、入选首批江苏省科协“青年科技人才托举工程”、获常州市武进区“双十百千行动创新创业项目”创新类优秀奖（最高奖）、常州市“自然科学优秀科技论文”三等奖、IEEE首届可靠性系统工程国际会议“最佳论文奖”等。
方方，剑桥大学材料学博士，第十四批国家“千人计划”创业人才，广东省青联委员，广州市高层次杰出人才，CASA第三代半导体卓越创新青年，广东金鉴实验室科技有限公司董事长。2012年，方方博士创办了广东金鉴实验室科技有限公司，金鉴是专注于第三代半导体氮化镓和碳化硅芯片和器件失效分析的新业态的科研检测机构，是广东省 “中小企业LED材料表征与失效分析公共技术服务平台”。方博士从事LED材料研究工作已超过15年，善于从查找材料缺陷角度改善LED产品质量，2013-2019年带领金鉴团队为LED行业2000多家企业解决质量疑难杂症，规避产业品质风险。因此，方博士被称为LED“福尔摩斯”，专破行业质量大案要案。2018年，方博士突破国外技术壁垒，开展显微光热分布系统、显微红外定位系统和激光开封系统设备研发，设备性能卓著，已获得中科院、暨南大学、华南理工大学、华中科技大学、士兰明芯等高校科研院所和上市公司的广泛使用。同时，方博士自主研发出适用于LED产品化学开封的溶解剂，该溶解剂价格低，替代国外进口产品。
李诚瞻，博士，株洲中车时代电气股份有限公司高级工程师，全面负责公司SiC功率半导体器件产业化平台建设、产品开发、产业化和应用推广，最早实现国产大功率容量碳化硅器件应用。近五年来，承担国家科技重大专项课题1项，发改委新材料研发和产业化专项项目和产业集聚项目2项，参与863项目2项。发表论文20余篇，申请发明专利40余项。在器件开发和产业化方面，通过产学研结合，主持开发出600V-1700V SiC芯片和1700V/1600A、1200V/300A和1200V/200A混合SiC功率模块产品，并在昆明地铁、电动公交车充电系统、光伏逆变器等得到应用示范。在平台建设方面，主导中车时代电气SiC电力电子器件研发平台改造；作为技术负责人参与中车时代电气投资5亿余元的SiC电力电子器件产业化基地建设，年产能达到30000片。在国际合作方面，推动公司与英国华威大学、德国弗朗霍夫研究所在SiC器件领域开展深层次合作。
刘斌，南京大学电子学院教授，博士生导师，自然科学基金优秀青年基金获得者，教育部青年长江学者，第二届CASA第三代半导体卓越青年。他博士毕业于南京大学，曾获全国百篇优秀博士论文提名奖，长期从事第三代半导体材料与器件研究，兼任国家地方联合工程中心副主任，主持国家重点研发计划及自然科学基金等项目/课题10余项；在III族氮化物材料外延，发光二级管(LED)器件制备及照明显示应用，紫外光电探测器件等方面取得显著成果，已发表SCI学术论文160余篇，申请/授权发明专利40余项，参编学术论著5部/章节，获得教育部高校自然科学一等奖和技术发明一等奖共两项。
默江辉，硕士研究生，现任中电13所一专部市场部部长。负责宽禁带产品可靠性、产品问题分析、国家重大专项等工作。参与及承担13项国家重大专项及预研课题，发表论文7篇，获得专利11项，参与研发的宽禁带微波功率器件供货4万余只，销售收入达1.5亿元。
王来利，教授，博士生导师，IEEE高级会员，入选中组部第十二批“青年千人计划”，西安交通大学“青年拔尖人才计划”。
王来利主要研究领域包括GaN和SiC功率器件低感高温模块化封装集成技术，高频高功率密度电力电子变换器三维集成技术，能量收集技术，无线电能传输技术和电能路由技术。王来利在电力电子领域权威期刊和重要国际会议上发表论文50余篇。
王来利主要研究领域包括GaN和SiC功率器件低感高温模块化封装集成技术，高频高功率密度电力电子变换器三维集成技术，能量收集技术，无线电能传输技术和电能路由技术。王来利在电力电子领域权威期刊和重要国际会议上发表论文50余篇。
王英民，男，博士，硕士生导师，现任中国电科二所高级专家、宽禁带半导体材料山西省重点实验室主任、山西省学术技术带头人。在国内外期刊上发表论文30余篇，专利授权9项。长期从事SiC单晶生长及缺陷表征工作，具有十多年单晶生长经验，实现了4英寸高纯半绝缘4H-SiC单晶衬底的工程化。
叶怀宇 博士，重庆大学“百人计划”研究员，教授，博士生导师；荷兰代尔夫特理工大学访问教授；EuroSimE，ICEPT，SSLCHINA及IFWS国际会议学术委员会委员；宽禁带功率半导体技术蓝图(ITRW)委员会委员。在第三代半导体的发展中贡献突出，被评为第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）卓越创新青年。曾参与欧盟重大项目：Consumerizing Solid State Lighting以及基于高分子聚合物的2 维/3 维LED 硅片晶圆级封装的集成。已在学术领域内国际重要学术期刊和国际会议论文集上发表论文总计60余篇，其中SCI论文36篇，作为第一作者或通讯作者在《期刊引用报告》一区（JCR Q1）发表论文18篇，2017年发表1篇封面论文及年度热点论文和1篇ESI-1%高被引用论文，发表8篇微电子顶级杂志IEEE EDL。首次在国际上提出应用于半导体研究领域的非平衡态热力学研究，连续发表文章在IEEE EDL上，审稿人评审意见为"very innovative R&D work"，同时获得关于非平衡态热力学热感研究的首个国家自然科学基金。被邀请为IEEE Electric Devices Letters, IEEE Transactions on Electron Devices, Nanoscale，International Journal of Heat and Mass Transfer，Applied Thermal Engineering等10余个国际著名期刊审稿人。同时也致力于半导体器件与测试，传感器的产业化，授权专利10余项，已实现了多套设备的商业化应用，同时对863项目起到了有力的支撑作用。已经承担国内外科研项目和人才计划10余项。
