和巍巍,博士,深圳基本半导体有限公司总经理，国家万人计划专家，中国半导体行业协会理事。和巍巍博士本科于清华大学电机系，博士毕业于剑桥大学获工程系。主要研究方向为功率半导体器件IGBT及碳化硅MOSFET的仿真、设计、制造及应用，获得英国发明专利授权1项、美国发明专利授权1项、中国专利授权20余项，在国际著名期刊和会议上发表了多篇论文。和巍巍博士担任深圳清华大学研究院第三代半导体研发中心副主任、中国电源学会青年工作委员会秘书长等职务。和巍巍博士曾获得2017年深圳市科学技术奖（专利奖）、2018年国家科技创新创业人才、2019年中国专利优秀奖等奖项。

孙晓娟，中国科学院长春光学精密机械与物理研究所副研究员，博士，博士生导师，优秀青年基金获得者。主要从事宽禁带半导体材料与器件研究，尤其是AlGaN基光电子材料生长及器件研究。作为项目负责人承担国家自然科学基金项目、国家重点研发计划子课题等项目10余项。在Light:Science & Applications,Applied Physics Letters等期刊发表SCI论文40余篇，申请/授权发明专利30余项，荣获吉林省科技成果奖一等奖，中国科学院青年创新促进会会员，担任Scientific Reports、ACS等学术期刊审稿人。

汪炼成，中国科学院半导体研究所物理电子学博士，中南大学特聘教授，博士生导师，中南大学微电子科学与工程系副主任。先后在中科院半导体所, 新加坡南洋理工大学，新加坡科技大学和英国谢菲尔德大学从事博士和博士后研究工作，科研方向为集成宽禁带半导体器件和系统，在GaN LED 方面有近10年科研经历，近5年以第一/通讯作者发表SCI论文40余篇，引用次数744次，申请专利38项，已授权13项，成功制备性能国内领先、国际一流垂直结构LED，开拓了石墨烯透明电极在LED中应用。自2017年回国在中南大学建设了第三代半导体平台和团队，致力于次世代GaN LED、高温高功率IGBT模块封装和可靠性方面研究。工作数次被专业媒体如Compound Semiconductor、Semiconductor Today 报道，获最佳年轻研究人员（英国物理协会，SST,2018）、湖湘高层次创新人才等荣誉和奖励。

许晟瑞, 西安电子科技大学教授、博士生导师。博士毕业于西安电子科技大学微电子学与固体电子学专业,2011年留校工作，2017年破格晋升教授、博导。长期从事宽禁带半导体材料与器件的研究,在Nano Letters，Applied Physics Letters,Journal of Applied Physics等期刊发表相关领域的论文100余篇。研究成果获得2011年，2014年陕西省科学技术一等奖和2017年教育部技术发明一等奖。主持国家自然科学基金项目、国家重点研发计划子课题项目、陕西省重点产业链项目等课题，参与国家科技重大专项等多项国家重点课题。

张志国，博士、博士后、研究员，北京国联万众半导体科技有限公司副总经理,具有十五年宽禁带半导体研发、生产和管理经历，是国内较早在此领域开展研究人员之一。牵头建立了国内首个GaN微波功率器件工艺技术研发平台，编写了国内首套研发工艺和检验规范。基于此平台后续研制的GaN微波功率器件和芯片产值超亿元。研制出国内第一支瓦级GaN HEMT器件，第一支X波段GaN MMIC芯片，为后续规模应用奠定工艺和理论基础。开发了国内首个X波段GaN MMIC工程化产品，形成详细规范并在系统中进行验证和试用。先后承担和参与十几项国家重大专项、北京市重大项目等，发表论文四十余篇。作为专家参与多项国家级和北京市宽禁带半导体规划工作。