第一届卓越青年获奖者介绍
蔡建奇，中国标准化研究院视觉健康与安全防护实验室主任，研究员。目前主要从事光健康——光致人体生物机理影响的研究工作。2015年通过4年近万人的大样本人因实验，首创了通过人眼生理指标客观量化评价照明、显示产品对于人眼视觉系统健康影响的视觉健康舒适度评价方法，并以此构建了“基于人眼视觉系统生理参数的光健康标准体系”，获得国际认可。近6年来，承担国际、国家级科研项目5项，省部级项目4项，获得省部级科技进步奖7项，主持起草国际、国家、行业、团体标准12项，发表论文20余篇，已授权或公开专利17项，其中授权专利10项，个人获得“中国轻工业十二.五科技创新先进个人”、“第三代半导体卓越青年”等荣誉。近6年来以光健康研究为基础所形成的产业化成果覆盖照明、显示及眼镜领域，典型性成果12项，为合作企业实现销售收入6.7亿元。在标准化相关领域，目前担任ISO TC 94个体防护标准化委员会中国秘书处召集人 、国际半导体照明联盟（ISA）视觉健康工作组召集人、全国眼面部防护标准化分技术委员会秘书长、国家半导体产业联盟（CSA）应用推广委员会健康与医疗分委会秘书长、中国照明学会光生物与光化学委员会副主任委员等职务。
陈秀芳，博士，山东大学教授，师从蒋民华院士。首届CASA第三代半导体卓越创新青年，山东大学2016年度三八红旗手，第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会第一届委员，中国材料研究学会第七届理事会理事。长期致力于宽禁带半导体单晶生长、超精密表面化学加工、结构性能及缺陷研究，近期也开展了基于碳化硅衬底的石墨烯材料制备及其应用研究。研制的碳化硅单晶衬底成功应用于微波器件、发光二极管等领域，取得了一系列重要应用型科研成果，得到国内外同行专家认可。近年来，主持承担了多项科研项目，包括国家科技重大专项、国家重点研发计划课题、国防973课题、863项目、山东省自主创新重大专项等。研究成果获得2013年度山东省技术发明一等奖。迄今为止，在国内外学术刊物上发表论文。
郭辉，毕业于西安电子科技大学微电子学院，博士学位，现任西安电子科技大学微电子学院教师，目前主要研究方向有（1）SiC功率器件和电路的理论及实验研究；（2）石墨烯材料和器件研究；（3）SiC核探测器相关研究：（4）SiC光电器件的理论与工艺研究。研究获得SiC器件欧姆接触比接触电阻值的国内最高水平；制备出的SiC辐照电池其开路电压、填充因子等主要指标处于国际领先水平；率先在国内开展3C-SiC/Si复合衬底上石墨烯制备研究，此研究得到了国防重大基础研究（军口973）项目的支持；在国际上率先采用“卤化-重构”法在SiC衬底上制备石墨烯材料，并发明免刻蚀制备石墨烯射频晶体管工艺，此研究得到了国家科技重大专项的支持；在SiC核探测器方面，得到了中国工程物理研究院多项横向项目的支持，建立了长期合作关系。先后主持国防973项目，国家自然科学基金青年基金等科研项目共计12项，参与国家科技重大专项，国家基础研究（973），装备预先研究等多项科研项目。在国内外重要期刊和会议上发表论文十多篇，在《Tribology Letters》， 《Materials In Electrics》, 《Electron Device》等国际知名期刊发表多篇论文，作为第一发明人申请国家专利130余项，申请美国专利4项，其中已授权中国专利30项，两项美国专利已授权40余篇，获得授权发明专利10项。
黄润华，2011年10月于法国里昂国立应用科学学院获得能源与系统博士学位，研究期间完成了10kV SiC PiN二极管、6.5kV SiC PiN二极管和6.5kV SiC BJT器件开发。2012年4月进入中国电子科技集团公司第五十五研究所, 副主任设计师。在核高基重大专项中担任技术骨干，参与器件开发及平台建设，为SiC肖特基二极管产品化作出贡献。作为863项目、预研子课题负责人，型谱、新品、基金等项目负责人，完成了一系列填补国内空白的SiC电力电子器件开发。代表研究成果有1200-6500V SiC MOSFET、12kV SiC IGBT、4.5kV SiC JFET、10kV/10A SiC 肖特基二极管、17kV SiC PiN二极管。开发出1200- 8000V，最大电流20A系列二极管稳定工艺，开展国产SiC专用外延炉等设备的器件验证，推动国产半导体设备技术进步。作为型谱项目负责人主持军用1200V SiC MOSFET器件系列产品开发工作。在基金及新品项目支撑下开发出单芯片1cm2的高分辨率SiC核辐射探测器，填补国内大尺寸SiC辐射探测器空白。参与国内唯一的“宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室”筹备工作，为重点实验室的建立及发展做出贡献，成为SiC电力电子器件方向学术带头人。开展SiC电力电子器件相关专利检索平台建设，对国内外本领域知识产权布局进行态势分析，进行相关专利布局工作。获集团公司科学技术奖一等奖，申请SiC电力电子器件相关发明专利六项，参与著书一部。
梅云辉，天津大学长聘教授，博导，国家自然科学基金优秀青年基金获得者。从事电力电子器件高密度封装技术、烧结互连材料与可靠性研究。已主持完成包括国家自然科学基金，总装预研基金，863课题，天津市重大科技专项，国防课题等10余省部级项目。2011年以来发表论文逾110篇（SCI论文66篇，其中唯一第一或通讯作者SCI论文44篇），论文总引用近900次；已授权或公开中国或美国发明专利36项；已出版特约翻译专著1部，英文专著1个章节；获中国电源学会技术发明奖一等奖（第一完成人）；曾入选天津市“131”创新型人才培养工程，天津市科技创新中青年领军人才，CASA首批第三代半导体卓越创新青年”，IEEE CPMT Japan Chapter Young Award，Journal of Microelectronics and Electronic Packaging杂志副主编。他还是IEEE会员，中国电源学会元器件专委会副主任委员，机械工程学会材料分会青年工作委员会委员。
宁圃奇，男，博士，研究员，硕士生导师。2010年获得美国弗吉尼亚理工大学博士学位，之后加入美国橡树岭国家实验室从事研究工作，获得副研究员职位，2013年回国加入中科院电工所工作，获得研究员职位，2014年入选第5批“青年千人计划”。他在电力电子封装领域具有较深的学术造诣和较高的国际学术影响力，是该领域最有影响的国际青年专家之一。在高温碳化硅器件封装开发、高功率密度全碳化硅变频器研究、高效冷却等方面都取得了突出的原创性成果，发表EI检索论文65篇，包括16篇SCI检索论文，并申请专利7项。 主要成果有：1. 较大温度梯度下（>300°C），常用封装材料寿命仅为常规工况的1/15，亟待大幅度改良，研制250°C碳化硅模块，改良封装材料使寿命延长至10倍。2. 设计并工程实现了具有国际领先水平的10 kW三相全碳化硅变频器，达到极高功率密度(2 kW/Lb)，是现有硅器件变频器的4倍。3.发明并改进碳化硅平面型封装及其双面液冷技术，其单位散热密度提高到现有车用模块散热的1.7倍。4.发明碳化硅功率模块全自动布局优化方法，突破现有方法人工参与的思维局限，实现多物理场多目标优化，设计时间仅为现有布局法的5％，在国际上率先实现功率模块全自动布局。以课题负责人、任务负责人和项目负责人身份承担国家重点研发计划、863计划、中科院重点研究项目等10个项目。
史晶晶。2006年毕业于吉林大学，获得学士学位，2011年毕业于中国科学院长春光学精密机械与物理研究所凝聚态物理专业，获得博士学位，同年，加入株洲中车时代电气半导体事业部，从事SiC 功率器件研发工作。承担多项国家项目，包括国家02专项1项、国家发改委项目1项及863计划项目2项，项目获得研究经费总计超过3亿元。SiC 器件市场产业化推进—主持国内首条4/6寸兼容SiC 产业线建设工作。负责产业线工艺布局、设备选型、设备安装调试及工艺调试等工作。该产业线投资2.5亿元，将达到3万片/年的产能。该产业线的顺利建成，标志着国内SiC 功率器件由研发向产业化的转型，对国内SiC 功率器件领域具有里程碑式的意义。针对轨道交通及光伏等应用领域，开展了SiC 功率器件示范应用工作。目前，国内首款自主研发的1700V/1600A SiC 功率模块已经完成昆明地铁6000公里验证，1200V SIC 功率模块国内首次进行了光伏逆变器示范应用，国内首款3300V SiC 功率模块也正在进行轨道交通领域应用考核。SiC SBD 器件结构和工艺定型，实现全系列SiC SBD 产品。SiC 领域技术突破—突破SiC MOSFET 器件栅极氧化技术瓶颈，与中国科学院微电子研究所联合报道国内首款SiC MOSFET 器件。开展国际合作，加强国际技术交流—与英国等国外研究机构进行合作，有效利用国际资源，提高自主创新能力，推动全球SiC 产业发展。加强产业链融合，推动国内SiC 全产业链发展—通过SiC 功率器件的产业化，带动SiC 材料、装置、系统及应用的发展，推动国内SiC 全产业链向前发展。
孙钱，中国科技大学材料物理学士（郭沫若校长奖获得者）、美国耶鲁大学博士（耶鲁工学院Becton奖获得者），国家技术发明一等奖获得者，国家优秀青年科学基金获得者，中组部首批国家青年专家，中国电子学会优秀科技工作者。现任中科院苏州纳米所研究员、博导、科技处处长、器件部副主任、所党委委员。长期致力于化合物半导体氮化镓GaN材料生长与LED、激光器、及微波射频与电力电子器件等制备研究。迄今为止，在Nature Photonics、Light: Science & Applications、Electronic Device Letters等国际学术期刊上发表了90余篇被SCI收录的学术论文，总引用1300余次，是30余项美国和中国发明专利的发明人。主持承担了科技部重点研发计划课题、863计划课题、工信部电子信息产业发展基金项目、国家优秀青年基金课题、中科院前沿科学重点研究项目等。回国后带领团队研发出新一代硅衬底GaN基高效LED的外延及芯片技术，光效达到160流明/瓦，并在全球率先产业化，晶能光电基于该技术而新增的LED产品销售逾4亿元，打破了国际上基于蓝宝石和碳化硅衬底的LED技术专利对我国的封锁。研发的硅衬底AlGaN基大功率紫外LED已导入量产，产品性能接近国外产品水平，得到了下游客户的认可，将广泛应用于紫外固化等领域。还实现了国际上第一支硅衬底GaN基蓝紫光激光器的电注入室温连续激射，有望大幅降低激光器的制造成本，推动我国激光显示与激光照明等战略新兴产业发展。在GaN基电力电子方面，通过P型栅实现了GaN基增强型电力电子器件，并已申请多项国家发明专利和PCT国际专利，推进第三代半导体功率电子器件的产业化。此外，基于高质量的硅基氮化镓材料与超薄势垒层AlInGaN/GaN异质结的生长，与中电55所合作，成功研制出高性能的射频器件。
杨树，浙江大学“百人计划”研究员。获得复旦大学微电子学学士学位、香港科技大学电子计算机工程博士学位；曾在香港科技大学担任客座助理教授、英国剑桥大学任博士后；国家“青年千人计划”入选者，首届CASA第三代半导体卓越青年。主要从事氮化镓电力电子器件的微纳制造、表征量化及可靠性研究，在氮化镓MIS器件界面优化、硅基氮化镓器件缓冲层陷阱效应物理机制、基于同质外延技术的垂直型氮化镓电力电子器件等方向开展了一系列工作。近五年来在IEEE EDL、IEEE T-ED、APL，电子器件和功率半导体顶级会议IEDM、ISPSD等发表60余篇论文（SCI论文30余篇），受邀在IWN’2012、RFIT’2015、ISCS’2016等国际会议上做特邀报告，论文总被引1000余次（Google Scholar统计）。首批香港博士奖学金（HKPF）获得者；获得香港科技大学PhD Research Excellence Award（每年仅3位）；被IEEE EDL（2014-2015）和T-ED（2014-2016）期刊评为金牌审稿人。
张峰， 2008年获得厦门大学理学博士学位。2009年至2011年任美国加州大学洛杉矶分校（UCLA）博士后。2011年至今任职于中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室研究员。目前为青年“973”总负责人，中国材料学会青委会理事，中国国际ALD会议执行主席，中国科学院青年创新促进会优秀会员，第三代半导体卓越创新青年，北京市科技新星。 SiC紫外光电探测器研究方面，首次将Al2O3薄膜应用于4H-SiC基Schottky、MSM、p-i-n及MOS紫外光电探测器，并获得了国际上量子效率最高的4H-SiC基MSM紫外光电探测器。在SiC基MOS铁电器件与复杂氧化物原子层沉积研究方面，自行搭建了具备原位监测功能的铁电薄膜ALD设备，利用ALD技术在SiC衬底上沉积Pb(Zr,Ti)O3（PZT）铁电薄膜，实现了对原子层沉积过程的原位傅里叶红外监测。在此基础上，研制了4H-SiC基MOS铁电器件，性能达到国际水平。在国际上首次应用ALD成功合成了BiFeO3薄膜，薄膜性能在国际同类设备中处于领先水平。近年来，在IEEE，AIP，ACS等权威国际SCI杂志发表论文40余篇，申请发明专利20余项。作为科研骨干承担过美国自然科学基金（NSF）和美国FENA基金，目前负责“973”，“863”，国家自然科学基金，北京市重大科技计划项目，北京市自然科学基金等项目。
