“2021 第三代半导体标准与检测研讨会”在深圳成功召开

2021年12月6日，由第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会主办、泰克科技（中国）有限公司和北京博电新力电气股份有限公司协办的“2021 第三代半导体标准与检测研讨会”在深圳成功召开。来自国内材料、器件、设备、应用以及检测领域精英60余人出席了此次会议。会议主题围绕功率器件、测试、应用等领域的技术融合，分析器件测试、产品评价与标准制定面临的问题等议题展开。

第三代半导体产业技术创新战略联盟秘书长于坤山与安世半导体全球研发副总裁、I&M事业部总经理姜克共同主持了研讨会，并与参会嘉宾现场交流答疑。

第三代半导体产业技术创新战略联盟秘书长于坤山

安世半导体全球研发副总裁、I&M事业部总经理姜克

本次研讨会共邀请了7个主题报告，一个互动环节的引言报告。来自高校、企业、检测机构等8名专家就所在领域的技术与标准研究进展做了汇报，分享了研究成果。

重庆大学钟笑寒博士分享了碳化硅MOSFET动态阈值电压稳定性研究

东南大学魏家行副研究员分享了SiC功率MOSFET器件退化表征方法研究

北京工业大学郭春生副教授分享了反并联FRD的SiC MOSFET模块热阻测试方法研究

重庆大学曾正副教授分享了SiC器件开关动态测试的挑战与应对

合肥工业大学赵爽副研究员分享了10kV碳化硅MOSFET的测试以及挑战

泰克科技(中国)有限公司业务发展经理孙川分享了第三代半导体功率器件可靠性测试方法和实现

工业和信息化部电子第五研究所高级工程师彭超博士分享了SiC MOS器件辐射可靠性及失效机理研究

在互动讨论环节，中国电子科技集团第五十五研究所高级工程师刘奥高级工程师做关于SiC MOSFET标准制定的几点讨论的引言报告

会议讨论环节由第三代半导体产业技术创新战略联盟副秘书长高伟博士主持，在Si器件数量较少的背景下，SiC器件同时展现了与Si器件测试评价方法的不同，SiC器件标准体系的构建需要产业共同的努力。国家变频电量测量仪器计量站吴双双常务副主任、广电计量李茹冠博士、泰克科技孙川经理、博电新力杜科副总经理、广州致远刘玉才高工等均参与讨论，提出了对标准化工作的理解与建议。