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2021第六届海峡两岸半导体产业(合肥)高峰论坛第三代半导体发展专题论坛成功召开 2022-01-20 22:12
2021第六届海峡两岸半导体产业(合肥)高峰论坛第三代半导体发展专题论坛成功召开

2021年10月22日,2021第六届海峡两岸半导体产业(合肥)高峰论坛第三代半导体发展专题论坛在合肥天鹅湖酒店成功召开。论坛由合肥市人民政府主办,第三代半导体产业技术创新战略联盟、合肥市发展和改革委员会、合肥市经济和信息化局、合肥高新区管委会、合肥市台办、合肥市半导体行业协会共同承办。


会议现场
合肥高新区党工委委员、管委会副主任吕长富,合肥高新区半导体投资促进中心主任周国祥,国家新材料产业发展专家咨询委员会委员、第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长吴玲,复旦大学特聘教授、上海碳化硅功率器件工程技术研究中心主任张清纯,中科院电工研究所主任研究员温旭辉,安世半导体研究院院长姜克,中电科半导体材料有限公司首席专家王英民,中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所高级工程师于国浩,山西中科潞安紫外光电科技有限公司研发中心主任刘乃鑫,东莞市中镓半导体科技有限公司销售总监吕根泉等来自全国各地的专家、学者约120余人参加了此次会议。由于疫情影响,此次会议邀请的台湾专家不能到现场参会,以视频的方式参加,主要代表有:台湾光電科技工業協進會(PIDA)董事長邰中和,南方科技股份有限公司董事長陳怡然。
 
国家新材料产业发展专家咨询委员会委员,第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长吴玲和台湾光電科技工業協進會(PIDA)董事長邰中和为会议致辞。

第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长  吴玲
吴玲理事长在致辞中提到,第三代半导体在支撑国家能源革命,助力“双碳”战略;支撑高速列车、新能源汽车等核心动力系统的升级换代;支撑高频、高速、宽带通信系统核心器件的自主可控;支撑光电应用产业高质量发展等方面都具有关键性作用。在超越摩尔技术领域,中国与国际差距相对较小,第三代半导体有望成为科技支撑强国梦想的重要力量!第三代半导体技术发展以应用驱动,巨大的民用市场带来了以碳化硅和氮化镓为基础材料的民用产品竞相登场。交叉性强、产业链长的特点决定了其材料端、器件端、用户端要更加紧密地联系,要更加注重产业生态环境的完善,第三代半导体面向的是全球的市场,带来的是全球的机会,因此更需要全球合作,尤其是与欧洲的精准合作。联盟从2015年成立开始,一直致力于推动产业链条的融通发展,希望大家以此次研讨会为契机,深化两岸合作,合力抱团发展,为绿色、健康、智慧、可持续的发展贡献力量!

台湾光電科技工業協進會(PIDA)董事長  邰中和
邰中和董事长视频致辞,他介绍了目前台湾发展第三代半导体产业的近况,表示台湾发展第三代半导体有不错的基础,尤其在Micro-LED显示领域有相当的进展,目前还是技术的领先者,希望这些领先的部分在Mini-LED和Micro-LED领域创造更新的应用,在显示产业有新的气象。全球对节能减碳、高速网络及新型显示的技术有广大的应用及需求,大陆加上台湾在这个领域有机会领先世界发展。两岸在半导体化合物上相互合作,互通有无,尤其是现在国际技术封锁的情况下,利用台湾的优势和全世界合作,共同提升技术水平。

合肥高新区半导体投资促进中心  丁希明
合肥高新区半导体投资促进中心丁希明介绍了合肥市及合肥高新区半导体产业发展现状和规划。合肥拥有良好的区位优势、科教资源和产业基础,重点支持集成电路等12个产业链条发展。合肥高新区围绕新一代信息技术、新能源汽车两大产业集群,集聚了一大批半导体产业链上下游企业,出台了一系列产业发展政策,为半导体产业创新发展营造了良好的生态环境。
 
接下来是主题报告环节,来自高校、科研院所、企业的8位专家做专题报告。

安世半导体研究院院长  姜 克
安世半导体研究院院长姜克分享了题为《汽车大变革时代第三代半导体的机遇和挑战》的报告。据姜院长介绍,汽车市场非常复杂,商业模式有很多种。随着百度、小米、华为、美的等各种造车新势力的进入,汽车供应链面临重构。电动化导致汽车成本发生重构,纯电车成本结构中三电(电控、电机、电池)占到了50%。2020年汽车功率器件市场规模约为45亿美元,随着单车功率器件价值以及电动车渗透率继续提升,预计到2025年达到92亿美元。就全球半导体市场的竞争格局来看,优势企业主要集中于欧美日,全球前25名汽车芯片供应商里面中资控股的企业只有安世半导体一家。汽车半导体国产替代势在必行。安世愿和国内上下游企业广泛合作推进应用。

复旦大学特聘教授、上海碳化硅功率器件工程技术研究中心主任  张清纯
复旦大学特聘教授、上海碳化硅功率器件工程技术研究中心主任张清纯分享了题为《国内SiC功率器件研发及产业化进展》的报告。他介绍了国内SiC器件代工线的进展。他认为国内已经具备标准、通用、达到国际水平的SiC器件量产线。国内SiC设计和制造进展快速,器件特性达到或接近国际领先水平,SiC MOSFET量产即将到来。MOSFET工业级、车规级可靠性进一步研究验证即将进行。需要进一步加强面向下一代SiC器件产业化技术的前瞻研究、前沿创新,以期领先国际、服务产业和满足市场需求。

中科院电工研究所主任研究员  温旭辉
中科院电工研究所主任研究员温旭辉分享了题为《高密度SiC车用电机控制器关键技术研究》的报告。她详细介绍了其团队利用SiC器件的高温、高频特性开发出的多款高密度车用SiC电机驱动控制器。她指出,由于SiC器件快速开关特性和高频运行使得EMI问题突出,有源与无源滤波的结合是实现高密度EMI滤波器设计的有效途径。用大电流导通压降作为特征值实现SiC结温实时监测方法对提升电驱系统可靠性具有重要意义。

中电科半导体材料有限公司首席专家  王英民
中电科半导体材料有限公司首席专家王英民分享了题为《碳化硅单晶材料研究进展》的报告。他详细介绍了国内外碳化硅材料的研究及产业化进展,并提出以下建议: 加快技术水平以及生产管理水平的提升,突破高效生长及高成品率产业化技术,快速降低材料成本,将会强有力的推动碳化硅应用的快速发展;依托国内龙头企业,加快建设国家第三代半导体技术创新中心,形成完善的第三代半导体产业创新体系,集聚国内优势资源,打通制约产业发展的关键技术瓶颈,提升产业链整体技术水平,引领产业集聚发展,助力全产业国际竞争力提升;加强产业链上下游的协同合作,形成战略合作关系,打造垂直一体化的研发生产模式,有助于快速反馈生产过程中的问题并迅速进行改善,推动技术进步和产业的发展;建议用户单位在研发生产时使用国产原材料和设备,培养我国自主品牌,带动全产业链可控能力的提升。

山西中科潞安紫外光电科技有限公司研发中心主任  刘乃鑫
山西中科潞安紫外光电科技有限公司研发中心主任刘乃鑫带来题为《紫外LED研发及应用进展》的报告。全球新冠肺炎疫情呈蔓延态势,我国疫情防控全面进入“常态化”阶段。新冠病毒诊疗方案(自第四版开始)明确指出:病毒对紫外线和热敏感,科学合理使用紫外线可有效灭活冠状病毒。美国哥伦比亚大学研究表明,暴露于UVC紫外下的空气飞沫中的逾99.9%的季节性冠状病毒可以被杀死。在目前规定的限度内,通过UVC紫外线进行持续的空气消毒,可大幅降低人类居住的室内环境中经空气传播的病毒水平。波长为222nm的UVC无法穿透表皮和眼睛,符合光生物安全的要求。他指出,氮化物深紫外LED作为下一代紫外光源,具有广阔的应用前景。紫外LED应用市场正面临快速增长的良好机遇,及早部署,把握先机,方可有望成为未来的市场领导者。深紫外LED产业面临着从装备、外延、芯片到封装中的一系列技术挑战,其中尤其以装备和外延最为核心,开发出高性能的深紫外MOCVD装备是突破深紫外LED产业瓶颈的关键。通过国家重大项目牵引,重点突破外延芯片产业,带动形成打造区域产业集群。
 
台湾南方科技股份有限公司董事長陳怡然视频报告
 
台湾南方科技股份有限公司董事長陳怡然带来题为《Micro LED光學檢測現狀與未來發展》的视频报告。他指出,Micro LED做為下世代的顯示器解決方案,在過去幾年受到產業界高度矚目。Micro LED的未來應用將不只在顯示器上,包括通訊、照明、檢測等等重要領域都會是可能的場域。從製程技術的趨勢上來看,當尺度持續的縮小,所需的相關技術就會更加的複雜,因此每一段製程良率的控制就成為控制成本的關鍵因素,而良率的控制則仰賴製程上和前端研發對產品的透徹理解,可是尺度微縮和數量級增加的本質又帶來檢測解析度和效能的巨大挑戰,因此相關的光學檢測技術成為Micro LED產業不可忽視的重要突破口。 

中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所高级工程师  于国浩
中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所高级工程师于国浩分享了《GaN HEMT电力电子器件&纳米加工平台》的报告。报告从GaN电力电子器件在电能转换、快充中的应用需求出发,分析了应用对器件结构、性能和可靠性等的需求,介绍了纳米所在这些领域所开展的工作。报告认为,随着GaN材料和工艺技术的发展,GaN HEMT单芯片集成将成为可能,比如DCFL反相器、11级环形振荡器等。

东莞市中镓半导体科技有限公司销售总监  吕根泉
东莞市中镓半导体科技有限公司销售总监吕根泉分享了《氮化镓单晶衬底产业发展现况》的报告。他分析了氮化镓单晶衬底技术进展情况,从对比数据可以看出THVPE优势比较明显,但仅局限于文献报道中,世界范围内没有应用此方法量产的企业。钠流法和氨热法虽然可以长出更高品质的单晶,但杂质问题,生长速率问题以及尺寸问题是制约其发展的主要瓶颈,HVPE技术还是目前量产单晶的主流技术。他认为,HVPE是目前国内外氮化镓单晶量产主流技术。THVPE是未来极具潜力的技术,目前发展还不明朗。未来氮化镓单晶在功率器件和射频器件应用极具潜力。

第三代半导体产业技术创新战略联盟秘书长  于坤山

中国科学院合肥物质科学研究院固体物理研究所党委书记  田兴友
 
此次第三代半导体发展专题论坛深入探讨第三代半导体发展模式和行业发展趋势,有效的促进地方产业升级及高质量发展。会议由第三代半导体产业技术创新战略联盟秘书长于坤山,中国科学院合肥物质科学研究院固体物理研究所党委书记田兴友共同主持。
 
据悉2021第六届海峡两岸半导体产业(合肥)高峰论坛以“芯”合作、新征程为主题,设置主论坛1场,平行分论坛5场,邀请海峡两岸半导体领域的知名专家、企业家,以及业内精英出席,推动海峡两岸在半导体和集成电路方面的交流,促进两岸半导体产业之间的合作,加深两岸学术界的沟通,巩固国际半导体产业间的信息互通及稳定发展。
 
 
 

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