立足当下，聚焦关键，追踪前沿新风向

以碳化硅为代表的第三代半导体被称为绿色半导体。在“双碳”背景下，产业结构将面临深刻的低碳转型挑战，能源技术将会引领能源产业变革，实现创新驱动发展。

当前，第三代半导体产业驶入发展“快车道”。在新能源汽车、工业互联、5G通信、消费类电子等多重需求的强力拉动下，第三代半导体材料、器件正在快速实现从技术研发到规模化量产。

国际上看，美欧纷纷宣布加大资金投入，确保半导体产业链、供应链自主和安全。国内第三代半导体产业也进入快速“成长期”。面对国际社会在半导体领域的巨额投入、联合发展和技术产业封锁，国内各级政府从产业政策、发展规划、技术研发、平台建设、应用推广、税收优惠等各方面对半导体产业进行全面支持，在政策驱动及应用需求升级带动下，国内第三代半导体产业快速发展。据CASA数据显示，2021年，国内第三代半导体电力电子市场规模约71.1亿元，未来五年CAGR将近45%。

国际国内SiC与GaN技术和产品以及应用也在不断的进步。氮化镓电力电子器件具有更高的工作电压、更高的开关频率、更低的导通电阻等优势，并可与成本极低、技术成熟度极高的硅基半导体集成电路工艺相兼容，在新一代高效率、小尺寸的电力转换与管理系统、电动机车、工业电机等领域具有巨大的发展潜力。

碳化硅电力电子器件具备更高的效率、更高的开关频率和更高的工作温度，在新能源发电、电动汽车等一些重要领域展现出其巨大的应用潜力。氮化物半导体涉及蓝/白光LED、紫外LED，微波射频器件、功率电子器件等诸多应用，比如深紫外光源已用于日常生活、生产科研、国土安全等领域。

以金刚石、氧化镓、氮化铝、氮化硼、石墨烯等为代表的超宽禁带半导体材料与其他先进电子材料具有更高的禁带宽度、热导率以及材料稳定性，在新一代深紫外光电器件、高压大功率电力电子器件等意义重大的应用领域具有显著的优势和巨大的发展潜力。

分论坛现场

三天时间里，围绕着碳化硅衬底材料、氮化物衬底材料，功率模块与电源应用、碳化硅功率电子材料与器件、氮化镓功率电子材料与器件、固态紫外材料与器件、化合物半导体激光器技术、Mini/Micro LED及其他新型显示技术、生物农业光照技术与产业应用、射频电子材料与器件、超宽禁带及其他新型半导体材料与器件、教育照明与健康光环境、光医疗应用技术、智慧照明设计与应用、第三代半导体产业人才发展论坛、车用半导体创新合作、第三代半导体标准与检测等主题。来自政、产、学、研、用、资等LED及第三代半导体产业领域国内外知名专家、企业高管、科研院所高校学者代表参会信息超过1600位嘉宾台上台下展开探讨，从不同的角度分享不同见解，观点碰撞，探求技术与产业化难题解决之道。

分论坛现场


先进半导体技术应用创新展（CASTAS）现场