【报告人简介】

陈媛  博士，主要聚焦SiC等新型功率器件的可靠性表征与寿命建模研究。获“国家高层次人才特殊支持计划”青年拔尖人才、“广东省杰出青年基金”资助，获“广东省三八红旗手”、“国防优秀中青年”、“广州市增城区高层次人才”等称号。先后主持了国家自然科学基金、工信部高质量专项、预研基金、基础科研、广东省重大专项等国家、省部级科研项目20余项。获省部级科技进步二等奖3项，发表SCI/EI论文40余篇，申请发明专利20余件，参与出版专著、译著3本，制定国标、行标、团体标准7项。曾任第10届、12届QR2MSE国际会议分会场主席，第4届SRSE大会组委会联合主席。

曾正  重庆大学副教授，博士生导师，主要研究方向为SiC功率器件的封装集成与系统应用，获教育部自然科学一等奖、北京市科技进步二等奖、GE基金会科技创新奖，入选中国高被引学者、全球前2%顶尖科学家、重庆英才青年拔尖人才。

毛赛君  忱芯科技(上海)有限公司创始人，博士毕业于荷兰代尔夫特理工大学，入选上海市浦江人才计划，IEEE高级会员，获教育部国家留学基金委颁发的“国家优秀留学生奖学金”，曾担任复旦大学研究员，博士研究生导师，曾在GE全球研究中心工作10余年，获“GE个人技术卓越成就奖”等10余项GE重大奖项，研究领域主要集中在碳化硅功率半导体器件精准测试与特性表征与高频电力电子系统集成与产业化，发表国际、国内论文60余篇，获得60余项国际、国内发明专利与申请。

王瑜璞   博士，现任九峰山实验室产品工程师，从事化合物半导体产品工程服务。她在国际著名高校新加坡国立大学（NUS）获得工程系学士学位和微电子工程专业博士学位。在NUS担任博士后期间，与新加坡国家研究所合作，主要负责新型磁性材料的设计，制备和表征，以及在新型磁随机存储器MRAM中的应用。之后进入工业界，先后在半导体领域具有国际顶尖水平的美光科技和半导体领域前三的代工厂格芯负责工艺集成开发和品控工作。她曾参与过的半导体技术研发项目包括，新型磁性材料研发和在MRAM的应用，GaN材料生长和表征，CMOS工艺制程的开发，3D NAND闪存工艺制程的开发。 

贺致远   博士，正高级工程师，工业和信息化部电子第五研究所国家级重点实验室功率器件团队技术总师，先后从事 SiC、GaN 等宽禁带半导体功率器件的可靠性测试评价、失效机理分析、检测设备开发、标准制定等研究工作。近 5 年以来，作为项目负责人主持多项国家级、省部级项目，包括国家重点研发计划、国家自然科学基金青年基金项目、广东省自然科学基金项目、国防科工局预研项目、广州市科技专项等，作为骨干技术人员参与执行了多项科技部、广东省重大科技专项。目前已发表相关研究论文 30 余篇，其中 SCI 收录 13 篇，授权相关发明专利 10 余项，编制标准3项。

潘洪亮　中国科学院半导体研究所研究员，海宁先进半导体与智能技术研究院测试与标准部门主任，毕业于美国加州大学Riverside分校电子工程专业，曾在美国工作8年，先后任职于加州大学CE-CERT研究中心、全球领先的半导体功率器件公司International Rectifier（IR）和英飞凌（Infineon），担任IC芯片测试技术研发和优化项目的团队负责人。曾带领美国英飞凌测试技术研发团队采用新技术使晶圆CP的平均测试效率提升30%以上，为公司节省了数百万美元成本。先后获得IR和Infineon全球优秀工程师和优秀团队负责人荣誉。于2019年通过人才引进回国。

苏旭军 博士，一直聚焦于电子显微技术及其在半导体材料缺陷与器件微结构表征的研究，擅长宽禁带半导体材料缺陷表征与器件失效分析工作，在APL、JCG等国际学术期刊发表相关论文20多篇，国际会议邀请报告1次。先后获得2014年度和2017年度中国科学院苏州纳米所“先进工作者”，2018年度苏州市“青年岗位能手”和2021年度江苏省“青年岗位能手”等荣誉称号。