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聚焦SiC/GaN功率器件测试评估,半导体技术创新发展论坛在广州成功举办 2024-05-31 11:21
2024年5月25日,由第三代半导体产业技术创新联盟标准化委员会、广电计量检测集团股份有限公司主办,广东工业大学集成电路学院、是德科技((中国)有限公司协办的花城院士讲坛系列平行论坛“半导体技术创新发展论坛”在广州市番禺区广电计量科技产业园成功举办。第三代半导体产业技术创新战略联盟副理事长兼秘书长杨富华、广电计量检测集团股份有限公司副总经理陆裕东分别为论坛致辞。

第三代半导体产业技术创新战略联盟副理事长兼秘书长杨富华

广电计量检测集团股份有限公司副总经理 陆裕东
广电计量检测集团股份有限公司集成电路测试与分析事业部副总经理李汝冠与广东工业大学集成电路学院副院长、教授刘远共同主持。

广电计量检测集团股份有限公司集成电路测试与分析事业部副总经理 李汝冠

广东工业大学集成电路学院副院长、教授 刘远

 
面向航天应用的元器件测试与标准
中国科学院空间应用中心正高级工程师 张泽明

SiC功率器件标准体系构建及动态可靠性试验挑战
工业和信息化部电子第五研究所研究员 陈媛

SiC MOSFET功率器件开关测试及实践
重庆大学电气工程学院教授 曾正

SiC MOSFET超越Si器件标准的可靠性测试及筛选方案
广电计量集成电路测试与分析中心总监 江雪晨

功率GaN健康驱动策略研究
电子科技大学集成电路科学与工程学院教授、博士生导师 明鑫

增强型GaN功率器件动态阈值电压:原理与解决方案
北京大学集成电路学院研究员、博士生导师 魏进

硅基GaN外延片电性分析
西安电子科技大学广州研究院副教授 李祥东

GaN HEMT功率器件标准体系构建思考及建议
广东工业大学集成电路学院教授 贺致远

 
高质量发展离不开标准的支撑与引领,产业的创新发展需要上中下游的协同推进,希望此会议推进形成更多的共识,支撑SiC/GaN功率器件的新兴市场开拓。

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