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“第三代半导体可靠性技术与标准培训”在盐城成功举办 2024-10-29 13:56
2024年10月24日，由联盟组织的“第三代半导体可靠性技术与标准培训”在江苏盐城顺利举行。此次培训吸引了来自全国的产品/设备/测试服务企业代表，以及相关领域的专业人员参加。
联盟副理事长兼秘书长杨富华研究员在致辞中表示：“随着第三代半导体材料和技术的迅速发展，确保产品可靠性和质量至关重要。现在联盟已经相对完善的构建了SiC MOSFET功率器件可靠性评价标准子体系。很多老师为这个标准体系的构建贡献了很大的精力，包括今天来讲课的东南大学魏家行副研究员、工信部电子五所陈媛研究员，在此也向他们的付出表示感谢。
东南大学魏家行研究员解读了《T/CASAS/TR 002 SiC MOSFET功率器件的应用可靠性评价技术报告》全面剖析了SiC MOSFET在应用中的可靠性挑战及评估方法。
陈媛研究员讲解了《SiC MOSFET功率器件可靠性标准体系构建与解读》，详细介绍了可靠性标准体系的建立背景、标准具体内容以及相关测试数据。
培训过程中，参会者积极互动，就可靠性技术的热点难点问题进行了深入探讨。专家们耐心解答，现场气氛热烈而活跃。
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