联盟在2018年组织编制和发布了《第三代半导体电力电子技术路线图》，并组织专家参与IEEE的国际宽禁带功率半导体技术路线图委员会（ITRW）工作，随着技术的不断进步和市场的持续拓展，联盟拟组织对技术路线图进行全面更新，并组织国内产学研力量参与ITRW国际路线图制定工作。

第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长、国家新材料产业发展专家咨询委员会委员吴玲致辞中表示半导体技术的发展推动人类社会正加速迈入智能世界，数字化、智能化、低碳化成为发展趋势，全球正在经历新一轮电气化进程，交通运输、大算力设施等新兴应用的快速布局对更加高效、更加强劲的电能处理能力提出了迫切的需求，也成为下一代电力电子系统研发的新动力。联盟多年来致力于围绕产业链构建创新链，促进产学研合作以及跨界应用的开放协同创新，为行业提供广泛的交流与合作平台。感谢各界对联盟工作的支持，欢迎更多科研机构和企业加入新版技术路线图的编制，能够推动形成更多产业共识，促进国际交流合作。

IEEE宽禁带功率半导体技术路线图委员会(ITRW)主席Victor Veliadis博士详细介绍了ITRW国际路线图委员会的背景、职责及未来规划以及国际前沿信息。

联盟青委会共同主任西安交通大学王来利教授分享了关于新版技术路线图规划的建议，提出了针对宽禁带半导体技术未来发展的关键领域和研究方向。
讨论环节，与会专家围绕“新版技术路线图的关键更新应包括什么内容”和“如何增强CASA与ITRW路线图之间的合作”两大议题展开了深入交流。专家们一致认为，宽禁带半导体技术在提高能效等方面具有重要作用，并强调通过国际合作推动技术商业化进程的必要性和紧迫性。
SiC技术在电力电子领域的应用日益广泛，特别是在电动汽车充电站、能源存储系统和太阳能逆变器等方面展现出巨大潜力。与会专家就SiC材料的生长、器件制造和封装技术的最新进展进行了深入探讨，并关注了高温、高电压应用中的可靠性问题。
GaN技术因其高频、高效率的特点，在射频(RF)通信和电源转换领域受到广泛关注。会议中提到了GaN器件在无线充电、数据中心电源供应和消费电子中的应用案例，并探讨了如何通过集成驱动和保护电路来提高系统性能。此外，专家们还就GaN材料和器件的最新研究方向，如实现更高电压等级和降低制造成本等议题进行了热烈讨论。
在宽禁带半导体技术的未来路线图方面，与会专家一致认为制定明确的未来路线图对于指导行业发展至关重要。专家们呼吁通过国际合作，结合不同国家和地区的研究力量，共同推动宽禁带半导体技术的创新与发展。同时，他们也强调了教育和培训在技术推广中的重要性，建议通过制定教育计划和培训材料来培养下一代工程师和产业工人。
会议还关注了国际合作与标准化在推动宽禁带半导体技术发展中的作用。专家们认为，通过国际会议和工作组活动可以促进不同国家和地区之间的信息交流和技术合作，而通过标准化工作可以确保不同制造商生产的宽禁带半导体器件和模块的互操作性和兼容性。
在谈到行业挑战与机遇时，与会者表示，尽管宽禁带半导体技术面临成本、可靠性和制造工艺等挑战，但其在提高能效和减少环境影响方面的潜力巨大。专家们建议通过技术创新和市场策略来克服这些挑战，并抓住宽禁带半导体技术带来的市场机遇。同时，他们也强调了政府政策和资金支持在推动产业发展中的重要性。

相信在全球各界的共同努力下，宽禁带半导体技术将在不久的将来迎来更加广阔的发展前景。