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《UIS应力下GaN HEMT在线测试方法》发布 2025-05-26 15:52
由电子科技大学牵头制定，遵循CASAS标准制定流程，经过标准起草小组会议讨论、广泛征求意见、委员会草案投票等流程，团体标准T/CASAS 052—2024《非钳位感性负载开关应力下GaN HEMT在线测试方法》于2025年5月26日正式面向产业发布。
电子科技大学功率集成技术实验室（Power Integrated Technology Lab, PITeL）隶属于电子科技大学集成电路科学与工程学院，为四川省功率半导体技术工程研究中心，是电子薄膜与集成器件全国重点实验室和电子科技大学集成电路研究中心的重要组成部分。现有18名教授/研究员、9名副教授/副研究员，285名在读全日制硕士研究生和69名博士研究生，被国际同行誉为“全球功率半导体技术领域最大的学术研究团队”和 “功率半导体领域研究最为全面的学术团队”。在团队负责人张波教授的带领下，该实验室两次牵头取得国家科学技术进步奖二等奖和四川省科学技术进步奖一等奖，共获省部级以上科研奖励15项。近年来，实验室共发表SCI收录论文500余篇，获授权发明专利1462项。同时，其产学研合作成效显著，部分产品打破国外垄断、实现批量生产，为企业新增直接经济效益超过百亿元，推动了我国功率半导体行业的发展。
T/CASAS 052—2024《非钳位感性负载开关应力下GaN HEMT在线测试方法》描述了执行非钳位感性负载应力下氮化镓高电子迁移率晶体管在线测试方法，包括原理、测试条件、仪器设备、测试步骤、试验数据处理和试验报告。适用于封装级GaN HEMT器件的生产研发、特性表征、量产测试、可靠性评价及应用评估。
【本文件主要起草单位】
电子科技大学、工业和信息化部电子第五研究所、大连理工大学、上海大学、北京大学、北京大学东莞光电研究院、深圳平湖实验室、湖南三安半导体有限责任公司、苏州能讯高能半导体有限公司、杭州长川科技股份有限公司、是德科技（中国）有限公司、佛山市联动科技股份有限公司、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟。
【本文件主要起草人】
孙瑞泽、陈万军、明鑫、施宜军、黄火林、任开琳、魏进、刘强、曾威、王小明、石瑜、夏云、刘成、裴轶、孙海洋、耿霄雄、孙承志、陈希辰、高伟。
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