第三代半导体产业技术创新战略联盟副理事长兼秘书长杨富华、广电计量党委副书记、总经理明志茂出席并致辞。

第三代半导体产业技术创新战略联盟副理事长兼秘书长杨富华

杨富华在致辞中表示很高兴在无锡与各位共聚，探讨宽禁带半导体SiC、GaN功率器件的性能评价与可靠性检测。世界标准日的主题“增强伙伴关系，共促可持续发展”正契合本次会议。当前，宽禁带半导体面临材料与测试挑战，亟需产业链协同突破。联盟自2017年成立标委会以来，已规划制定60余项标准，在SiC领域初步构建起标准框架。未来，联盟将持续推动团体标准建设，响应创新与市场需求，并积极促进其向国家标准转化。期待更多产业力量加入，以标准为引领，共筑开放、共享、可持续的第三代半导体产业生态。

广电计量党委副书记、总经理明志茂

明志茂在致辞中表示，广电计量将坚持“标准引领、生态共建、AI赋能”三大方向，持续深耕第三代半导体领域：一是积极参与覆盖“材料-芯片-封装-应用”全链条的标准化体系建设，推动技术创新与标准升级；二是深化“产学研检用”协同机制，构建开放共赢的产业生态，助力“中国芯”崛起；三是推动“AI+检测”融合创新，构建覆盖半导体全生命周期的数字化质量保障平台，为产业高质量发展保驾护航。
 
本次研讨会报告涵盖了SiC与GaN两大宽禁带半导体领域，覆盖了从芯片级测试、模块应用、可靠性筛选到标准体系布局的全链条议题。

碳化硅功率MOS器件及可靠性研究进展
魏家行 副教授 东南大学

报告概要：
基于宽禁带碳化硅（SiC）材料制备的功率MOS器件，具有击穿电压高、电流密度大、高温性能稳定、高频特性好等优点，在电动汽车、光伏储能、轨道交通、智能电网等中高压领域前景广阔。报告介绍了当下SiC功率MOS器件及其可靠性关键技术的最新进展，并对未来的发展趋势做出展望。

面向模块应用的SiC MOSFET芯片测试筛选技术
张国斌 高工 中电科五十五所

报告概要：
针对多并联模块应用的SiC MOSFET芯片，结合应用特点和芯片特性从测试方法标准和筛选等多方面关键技术展开讲述。

SiC MOSFET功率器件可靠性筛选方法与解决方案
刘  伟 首席技术官 杭州飞仕得设备事业部

报告概要：
报告首先分析了全球能源结构与电动汽车市场的快速发展，指出SiC器件因其高效、高频特性在电动汽车中具有显著优势，能够提升续航、加快充电并降低系统成本与重量。然而，SiC器件也面临严峻的可靠性挑战，由于其衬底与外延缺陷、栅氧缺陷等问题，早期不良率远高于硅器件，在电动汽车等多芯片应用场景中，即使是低不良率也可能导致整机高比例失效，因此测试与筛选环节至关重要。
报告系统梳理了车规级碳化硅的测试与筛选体系，涵盖晶圆级（CP、UIS、WLBI）、芯片级（KGD）、器件级（静态与动态测试）和应用级（高低温动态测试、双脉冲测试、短路测试等）四个层级，并强调了对测试设备在高速、高带宽、快速保护等方面的严苛要求。

碳化硅器件芯片级电流测量方法及应用
报告人：李学宝 副教授 华北电力大学

报告概要：
高压大功率碳化硅MOSFET模块因其具有耐高压、高频、高温及低损耗的优势，是支撑未来规模化新能源接入及消纳的核心器件，因单个碳化硅芯片通流能力有限，大功率模块需要多芯片并联封装，然而由于碳化硅芯片参数的分散性以及封装驱动和功率回路寄生参数的差异性，导致多芯片并联电流会出现显著不均衡现象，目前尚缺乏模块内并联芯片电流的表征方法。聚焦上述需求，本报告设计了提出了一种集成于模块内部的多芯片并联电流测量PCB线圈设计方法，实现了芯片电流的准确测量，在此基础上开发了高可靠封装互连工艺，研制了集成多芯片电流测量线圈的碳化硅MOSFET低感封装模块，为模块并联均流设计以及自主智能模块开发提供了支撑。

SiC MOSFET模块局部放电试验方法研讨
王亚林 副教授 上海交通大学

报告概要：
碳化硅（SiC）功率模块由于模块工作在高频、高压及快速变化的方波电压环境下，其电压变化率（dV/dt）可达数千伏每纳秒。方波电压的陡峭边沿富含高频电磁干扰（EMI），易被检测传感器接收，电场快速变化引起的位移电流会掩盖微弱的局部放电电流脉冲，导致漏检或评估偏差，这为局部放电的准确检测带来严峻挑战。本报告探讨SiC功率模块局部放电检测若干关键问题，为保障SiC模块在高性能应用中的可靠性评估提供参考。

支撑新兴市场开拓的SiC MOSFET标准体系布局与应用实施
李汝冠 副总经理 广电计量集成电路测试与分析事业部

报告概要：
报告系统介绍了广电计量作为国内领先的国有第三方检测机构，在功率半导体尤其是SiC MOSFET领域覆盖全产业链的检测与可靠性验证能力。
报告重点阐述了由CASAS联盟主导制定的SiC MOSFET系列测试标准体系，包括静态测试方法（如HTGB、HTRB、H3TRB）和动态测试方法（如DGS、DRB、DH3TRB），并对比了其与国际通用标准（如AEC-Q101、AQG324）的差异，指出CASAS标准更具针对性、条件更严苛、操作性更强，更适合深度评估器件可靠性。
报告通过详实的数据与案例，展现了SiC MOSFET标准体系从制定到落地实施的全过程，强调了标准对产业质量提升的关键作用，并呼吁更多应用单位参与标准制定与使用，共同推动SiC器件在新兴市场中的可靠应用与产业化发展。

《碳化硅功率器件 dv/dt 鲁棒性评估指南》IEC CDV 63672 ED1  解读 & SiC MOSFET HTFB测试挑战与解决方案
毛赛君 总经理 忱芯科技
联盟标委会SiC功率器件与模块工作组组长

报告概要：
《碳化硅功率器件dv/dt 鲁棒性评估指南》IECCDV13:30-14:1063672ED1解读&SiC MOSFET HTFB测试挑战与解决方案，基于SiC 功率器件芯片特性提出精准特性表征与可靠性测试挑战，并介绍面向车规级应用的SiC功率半导体器件偏置温度不稳定性的动态可靠性测试、双极退化可靠性测试、交流-湿度-温度循环测试、以应用为导向的功率模块无功老化与有功对拖测试等创新测试技术。最后总结从SiC晶圆级测试、芯片级测试、单管/模块级测试和系统级全面测试解决方案。

SiC MOSFET浪涌可靠性及失效分析研究
项载满 复旦大学

报告概要：
聚焦于1200V SiC MOSFET在极端过电流浪涌条件下的可靠性,剖析其失效物理机制，重点研究在高能浪涌冲击实验后器件的参数分析，并结合开封、SEM等微分析技术进行失效定位与形貌观察，明确失效点与退化模式，以确定失效点与形貌特征。对整个浪涌过程进行电-热耦合仿真，动态分析浪涌过程中芯片结温的瞬态峰值与空间分布，揭示热斑形成机理，明确瞬态热应力是导致器件最终失效的根本原因，从而为提升其抗浪涌鲁棒性的设计与应用提供关键依据。

SiC MOSFET雪崩失效机理分析和仿真研究
罗  涛 复旦大学

报告概要：
报告围绕平面型与沟槽型SiC MOSFET的雪崩可靠性失效现象展开，通过仿真、实验验证和失效分析，揭示二者在雪崩冲击下的失效机理差异，为高压器件雪崩鲁棒性设计提供准则。

p-GaN栅HEMT器件栅极过压可靠性研究
陈万军 教授 电子科技大学

报告概要：
随着宽禁带半导体领域的快速发展，氮化镓功率器件的开关速度与导通性能飞速提升，这使得器件在开启时由栅极回路寄生电感产生的栅极瞬态过冲问题愈发严重。本报告详细分析归纳了目前已报道的p-GaN HEMT器件栅极过压可靠性的测试与评估方法，为GaN HEMT器件的高频、高功率应用提供参考与指导，对全方位深入研究、揭示器件栅极可靠性退化机理至关重要。

GaN器件电源模块的管理芯片发展趋势
周  翔 副教授 西安交通大学

报告概要：
随着GaN功率半导体器件在消费电子领域的广泛应用，高效高功率密度已成为变换器设计的核心目标。在GaN功率器件普及及开关频率显著提升的背景下，亟需深入探讨更适配的电路拓扑、更灵活的控制策略以及更高效的工作模式。此外，针对高频工况下变换器寄生参数影响日益凸显，以及GaN器件对寄生参数高度敏感的特性，均需在变换器设计过程中重点关注。因此，面向GaN器件的电源管理芯片发展亦亟待新的突破，以适应高频高效电源模块的发展趋势。

P-GaN HEMT动态阈值电压测试方法
贺致远 教授 广东工业大学
联盟标委会GaN功率器件与模块工作组组长

报告概要：
当前，以p-GaN栅HEMT为代表的氮化镓功率器件在新能源汽车、快充、工业驱动等中低压市场加速渗透，但其阈值电压在高频开关条件下的动态不稳定性严重影响系统可靠性和能效。传统直流测试方法无法准确反映实际开关工况，导致器件选型偏差和系统设计风险，产业亟需统一、科学的动态阈值电压测试标准。本测试方法不仅可提升产品一致性和可比性，助力制造商优化工艺与质量控制，更能为应用端提供真实、可信的性能依据，降低设计失效风险，推动氮化镓技术在高效电能转换领域实现更安全、更广泛的应用。

P-GaN HEMT功率器件短路试验方法
王小明 工程师 深圳平湖实验室

报告概要：
本报告系统P-GaN HEMT功率器件应用背景/短路工况，包括I类、II类、III类短路。P-GaN HEMT功率器件短路特性，尤其是与Si或SiC器件的差异。P-GaN HEMT功率器件短路试验方法，包括测试电路与测试方法以及P-GaN HEMT功率器件短路可靠性评估的考量，包括主要影响参数。
 
凝聚伙伴关系，共促产业可持续发展
在世界标准日成功举办的本次研讨会，是对“增强伙伴关系，共促可持续发展”主题的生动实践。会议为产业链合作伙伴搭建了高效的交流平台，通过分享前沿技术、解读关键标准、探讨共性挑战，有效促进了产学研用的深度融合。

广电计量总经理助理、无锡广电计量总经理储程晨

联盟副秘书长兼标委会秘书长高伟

广电计量检测(无锡)有限公司副总经理兼半导体分析技术总监陈振

报告环节结束后，与会嘉宾们一同参观了广电计量检测（无锡）有限公司实验室。在工作人员的详细讲解下，嘉宾们实地考察了针对功率器件可靠性、失效分析等的一系列高端测试平台与实验环境。本次参观分展示了广电计量强大的技术实力与服务能力。

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嘉宾介绍

魏家行，东南大学副教授，博士生导师。主要从事碳化硅功率半导体器件与集成技术的研究工作。共发表权威期刊和国际会议论文50余篇，其中一作/通讯26篇；授权PCT专利2项，中国发明专利15项；主持/骨干参与国家自然科学基金、国家重点研发计划等国家和省部级项目10余项；出版专著1部，《宽禁带功率半导体器件可靠性》；获2021年和2023年江苏省科学技术二等奖。

张国斌2018年获得中国科学院大学硕士学位，2018年至今在中国电子科技集团公司第五十五研究所工作，主要从事碳化硅器件产品的测试、封装、可靠性设计，失效分析以及产品应用等方面研究。此外，还牵头和参与制定十余项国家标准、行业标准和团体标准。

刘伟博士，2015 年获浙江大学电力电子方向硕士学位，2022年获英国卡迪发大学电气工程方向博士学位，欧盟玛丽居里学学者。
2017 年至 2018 年，任丹麦奥尔堡大学研究员。2022 年回国加入杭州飞仕得科技股份有限公司，现任杭州飞仕得科技设备事业部CTO，从事碳化硅相关测试技术与装备的研发工作。

李学宝，华北电力大学副教授，博士生导师，主要研究方向为高压大功率电力电子器件，主持国家自然科学基金项目3项（含青年基金B类项目1项）、智能电网国家科技重大专项课题1项，其中以第一或通信作者发表SCI论文53篇，获省部级一等奖3项、二等奖2项，现任中国电机工程学会电工理论与新技术专委会秘书长、全国电磁兼容标委会技术委员会委员、中国物理学会静电专委会青年委员、High Voltage期刊副编辑等。

王亚林，上海交通大学长聘教轨副教授、博导。入选中国科协“青年人才托举计划”和上海市“浦江人才”计划。主要从事高压功率模块封装绝缘与集成、电机绝缘设计与测试、电力设备状态检测与评估等研究，发表SCI索引论文50余篇，主持国家自然科学基金面上及青年项目。担任IEEE PES 输配电技术委员会理事，多个SCI/EI期刊副编辑及编委会成员。

李汝冠，电子科技大学博士，高级工程师，第三代半导体联盟标委会技术咨询委员会委员，电子科技大学和广东工业大学硕士研究生校外导师，曾获工信部“国防科技进步二等奖“，广东省人社厅“2020年度广东省百名博士博士后创新人物”，主持省部级科研项目三项、参与重大课题研究六项，授权国家发明专利7件、实用新型专利1件，发表学术论文二十余篇，其中SCI收录15篇，发布团体标准7件。

毛赛君，忱芯科技(上海)有限公司总经理，国家级高层次人才，博士毕业于荷兰代尔夫特理工大学，曾担任复旦大学研究员，博士研究生导师，曾在GE全球研究中心工作10余年，获“GE个人技术卓越成就奖”等10余项GE重大奖项，研究领域主要集中在碳化硅功率半导体器件精准特性表征与自动化测试设备，发表国际、国内论文80余篇，获得100余项国际、国内发明专利与申请。

项载满，复旦大学电子科学与技术硕士。期间主要从事SiC MOSFET在线监测动态栅氧可靠性及退化算法、栅极驱动电路设计以及器件浪涌可靠性等研究。

罗涛，复旦大学硕士研究生，专注SiC功率器件雪崩可靠性研究，已有多篇相关成果连续发表于Applied Thermal Engineering、Applied Surface Science、IEEE TED等顶级SCI期刊。

陈万军，博士/教授, 电子科技大学集成电路科学与工程学院副院长。
长期致力于新型功率半导体器件与集成技术领域的科学研究和人才培养，研发多款功率半导体芯片并用于新能源、消费电子等领域，填补国内空白，推动我国功率半导体行业发展。获国家级和省部级教学/科研奖励多项，中国电子教育学会优博指导教师，入选国家级领军人才计划等。

周翔，现任西安交通大学电气工程学院副研究员。发表论文30余篇，授权中国专利5项、美国专利2项。主持国家自然科学基金、国家重点研发计划项目子任务等纵横向项目20余项。曾获第一届全国博士后创新创业大赛银奖、荣获人社部授予的“全国创新创业优秀博士后”称号，入选中国电机工程学会第八届“青年人才托举工程”。现任IEEE高级会员、中国电源学会高级会员、中国电工技术学会高级会员，担任《电气传动》期刊编委会委员，担任中国电源学会照明专委会、中国电气自动化与电控系统专委会、中国电工技术学会电控系统与装置专业委员会委员。长期致力于宽禁带器件高效高功率密度变换器研究，成果广泛应用于新能源功率变换、电动汽车、数据中心等场合。

贺致远。广东工业大学集成电路学院成立于2021年10月，建有“广州国家现代服务业集成电路设计产业化基地”、“集成电路软硬件一体化教育部工程研究中心”、“广东省新一代通讯芯片与射频系统工程研究中心”等省部级以上科研基地八个。近五年，学院承担省部级以上纵向项目93项，其中国家重点研发计划、国家自然科学基金等项目39项，到校经费超过2亿元。

王小明，博士，毕业于电子科技大学，深圳平湖实验室可靠性工程师，主要从事第三代半导体功率器件系统级测试及应用可靠性研究。参与了国家自然科学基金重点项目等多项国家级/省部级项目，参与了多项功率器件测试标准的编制工作，近五年在IEEE TPE、IEEE TED、IEEE EDL、IEEE ISPSD等期刊或国际会议发表论文10余篇。