“追寻红色色记忆 传承红色精神” 联盟参加中关

2025年9月23日下午中关村第二联合党委第四流动党员联合支部书记赵璐冰同志带领所属联盟党员、积极分子一起走进中国共产...

IEEE电力电子学会(PELS)国际宽禁带功率半导体技术

2025年8月14日,IEEE国际宽禁带功率半导体技术路线图委员会(ITRW)在北京第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)召开专...

标准 | 《半桥拓扑中SiC MOSFET开关损耗准确评估测

2025年6月18日,按照第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会(CASAS)相关管理办法,经CASAS管理委员会投票通过由浙...

标准 | 《三电平SiC MOSFET功率模块开关动态特性测

2025年6月18日,按照第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会(CASAS)相关管理办法,经CASAS管理委员会投票通过由合...

《UIS应力下GaN HEMT在线测试方法》发布

由电子科技大学牵头制定,遵循CASAS标准制定流程,经过标准起草小组会议讨论、广泛征求意见、委员会草案投票等流程,团...

ALN位错密度/吸收系数 2项测试方法发布

2025年5月20日,由奥趋光电技术(杭州)有限公司牵头制定的T/CASAS 0532025《氮化铝抛光片位错密度的测试 腐蚀坑法》以及由中...

半导体功率器件标准与检测研讨会(2025)会议通知

以高压、高频、高温、高功率密度等特点的SiC/GaN宽禁带半导体功率电子在新能源汽车、服务器电源、光伏储能、高密度电源等领域有着广泛...

第三代半导体产业合作大会暨第三届长三角第三代半导体创新创业大赛邀请

为进一步促进第三代半导体的产业集聚,充分发挥区域应用产业的带动优势,第三代半导体产业技术创新战略联盟在盐城市人民政府的指导...

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