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报名开启！相约IFWS & SSLCHINA 2025，抢占第三代半导体产业发展制高点！
2025-10-28by casa2025年11月11-14日，第十一届国际第三代半导体论坛（IFWS）第二十二届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA）将在厦门召开。本届论坛由厦门大学、第三代半导体产业技术创新战略联盟（C.... -
半导体功率器件标准与检测研讨会（2025）会议通知
2025-09-28by casa以高压、高频、高温、高功率密度等特点的SiC/GaN宽禁带半导体功率电子在新能源汽车、服务器电源、光伏储能、高密度电源等领域有着广泛的应用，并带来对产品测试评价的挑战。为促.... -
第三代半导体产业合作大会暨第三届长三角第三代半导体创新创业大赛邀请函
2025-09-28by casa为进一步促进第三代半导体的产业集聚，充分发挥区域应用产业的带动优势，第三代半导体产业技术创新战略联盟在盐城市人民政府的指导下，在盐城高新区的支持下，将于2025年10月.... -
标准 | 长春光机所牵头的3项光治疗用柔性LED光源测试标准正式发布
2025-09-08by casa由中国科学院长春光学精密机械与物理研究所牵头制定，遵循CASAS CSAS标准制定流程，经过标准起草小组会议讨论、广泛征求意见、委员会草案投票等流程， 团体标准T/CASAS 049（T/CSA 09.... -
标准 | 《用于HEMT功率器件的硅衬底氮化镓外延片》发布
2025-09-02by casa由苏州晶湛半导体有限公司牵头制定，遵循CASAS标准制定流程，经过标准起草小组会议讨论、广泛征求意见、委员会草案投票等流程，团体标准T/CASAS 0602024《用于HEMT功率器件的硅衬底氮.... -
标准 | 《高频开关应用下GaN HEMT开关可靠性试验方法》发布
2025-09-02by casa由厦门三安集成电路有限公司牵头制定，遵循CASAS标准制定流程，经过标准起草小组会议讨论、广泛征求意见、委员会草案投票等流程，团体标准T/CASAS 0572025《高频开关应用下GaN功率器件.... -
标准 | 《半桥拓扑中SiC MOSFET开关损耗准确评估测试方法》立项
2025-09-02by casa2025年6月18日，按照第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会（CASAS）相关管理办法，经CASAS管理委员会投票通过由浙江大学牵头提出的《半桥拓扑中SiC MOSFET开关损耗准确评估测.... -
标准 | 《三电平SiC MOSFET功率模块开关动态特性测试方法》立项
2025-09-02by casa2025年6月18日，按照第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会（CASAS）相关管理办法，经CASAS管理委员会投票通过由合肥工业大学牵头提出的《三电平SiC MOSFET功率模块开关动态特....
