通知公告 - 正文
会议通知 2020年快充市场及氮化镓技术研讨会 (USB PD&Type-C) 2020-08-19 11:12
第三代半导体材料及其应用是全球半导体产业战略竞争新高地,目前我国正迎来发展第三代半导体的重要窗口期。其中,GaN 器件相比于 SiC 器件拥有更高的工作频率,加之可承受电压要低于 SiC 器件,所以 GaN 电力电子器件更适合高频率、小体积、成本敏感、功率要求低的电源领域。目前,GaN 电力电子器件增速最快的就是快充市场,为了更好的把握时机推进快充产业的发展,引领USB PD快充市场风向,第三代半导体产业技术创新战略联盟电源技术委员会携手充电头网定于 2020年8月21日在深圳举办 2020(秋季)快充市场及氮化镓技术研讨会(USB PD&Type-C),围绕氮化镓快充技术与应用,邀请行业众多技术及应用专家进行研究、分享、交流。欢迎会员单位及电源技术委员会成员参与讨论。
时间:2020年8月21日9:00-17:00
地点:深圳市南山区科苑路15号科兴科学园B栋4单元
会议中心3楼&1楼
联系人:朱兰兰 13332900903
李 娟 18910499109 lijuan@casa-china.cn
时间:2020年8月21日9:00-17:00
地点:深圳市南山区科苑路15号科兴科学园B栋4单元
会议中心3楼&1楼
联系人:朱兰兰 13332900903
李 娟 18910499109 lijuan@casa-china.cn
第三代半导体产业技术创新战略联盟电源技术委员会
二0二0年七月十日
二0二0年七月十日