T/CASAS/TR 002—202X《SiC MOSFET功率器件的应用可靠性评价技术体系报告》包含以下内容：a、SiC MOSFET功率器件发展趋势；b、SiC MOSFET芯片与封装中面临的可靠性问题包括衬底/外延、芯片工艺、封装工艺可靠性问题；c、SiC MOSFET开关状态可靠性问题包括动态栅极偏置、短路应力、雪崩、浪涌、辐照等可靠性问题；d、SiC MOSFET应用端可靠性问题；e、车规级功率器件可靠性及寿命；f、可靠性失效仿真；g、SiC MOSFET可靠性评价体系建立的工作建议等7个方面。
 
经过10余年的发展，SiC 功率器件逐步成熟，为进入大众市场打开了大门。SiC MOSFET功率器件的高频、高压、耐高温、开关速度快、损耗低等特性，使电力电子系统的效率和功率密度朝着更高的方向前进。希望以此报告的编写，衔接SiC MOSFET产业链上中下游，助力产业对该器件可靠性的统一认识，凝聚力量，助力SiC MOSFET电力电子应用的规模开启。
 
 
复旦大学宽禁带半导体研究团队聚焦宽禁带半导体材料生长、功率器件物理与设计、先进制造工艺及产业化、功率模块及可靠性测试、电力电子技术五大研究方向。现有成员17人，其中特聘教授3人，研究员/副研究员14人。2020年团队联合华大半导体共建成立上海碳化硅功率器件工程技术研究中心。在中心主任张清纯教授带领下通过与半导体器件生产和电力电子应用企业紧密合作，致力于研发基于宽禁带半导体，特别是SiC材料为核心的新型功率器件、工艺和模块，加速下一代碳化硅基功率电子的广泛应用。团队现有复旦大学宽禁带半导体技术实验室、光华临港宽禁带功率器件及应用创新平台、以及复旦大学宁波研究院宽禁带半导体材料与器件研究所等研发平台。