各CASA成员单位：
由中国科学院半导体研究所牵头起草的标准T/CASAS 027—202X《射频GaN HEMT外延片二维电子气迁移率非接触霍尔测量方法》、由中国电子科技集团第十三研究所牵头起草的标准T/CASAS 028—202X《Sub-6GHz GaN 射频产品可靠性筛选和验收方法》、T/CASAS 029—202X《Sub-6GHz GaN 射频器件微波特性测试方法》和由中国电子科技集团第五十五研究所牵头起草的标准T/CASAS 030—202X《GaN毫米波前端芯片测试方法》以及由中兴通讯股份有限公司牵头起草的标准T/CASAS 031—202X《面向5G基站应用的Sub-6GHz氮化镓功放模块测试方法》已形成征求意见稿，为保证标准的科学性、先进性和适用性，现面向CASA成员单位征求意见。
T/CASAS 027—202X《射频GaN HEMT外延片二维电子气迁移率非接触霍尔测量方法》规定了射频GaN HEMT外延片的二维电子气迁移率非接触Hall测量方法的测试原理、干扰因素、测试程序和试验报告。适用于半绝缘衬底上的GaN HEMT外延片二维电子气迁移率测量。测试方法同样适用于其他材料体系的类似结构（例如GaAs、InP HEMT结构）外延片的二维电子气迁移率测量，衬底材料的导电性应为半绝缘。
 
T/CASAS 028—202X《Sub-6GHz GaN 射频产品可靠性筛选和验收方法》规定了Sub-6GHz GaN射频产品的可靠性筛选和验收方法和详细要求，对提升产品质量、系统可靠性及稳定性具有重要意义。
 
T/CASAS 029—202X《Sub-6GHz GaN 射频器件微波特性测试方法》规定了Sub-6 GHz GaN 射频器件微波特性的详细测试方法。本文件适用于共源组成方式的GaN 射频器件，其它组成方式仅供参考。制定Sub-6 GHz GaN 射频器件微波特性的测试方法以及相关规范，对研发生产、性能评估、量产测试和应用评价等具有重要指导意义。
 
T/CASAS 030—202X《GaN毫米波前端芯片测试方法》规定了GaN毫米波前端芯片的术语、定义、测试条件、测试要求和测试方法，结合了近几年科研人员在毫米波氮化镓前端芯片领域的研发、测试评估以及应用方面的经验总结，对毫米波氮化镓前端芯片性能指标的测试方法进行了详细的规定，包括且不限于测试目的、测试环境、测试方法及步骤、测试工具及仪表等。
 
T/CASAS 031—202X《面向5G基站应用的Sub-6GHz氮化镓功放模块测试方法》规定了氮化镓功放模块的术语、定义、测试条件、测试要求和测试方法，本文件根据我国三大运营市场需求和入网测试指南，借鉴3GPP TS 37.104 V16.5.0等国际通信协议，并结合了近几年科研人员在氮化镓功放领域的研发、测试评估以及应用方面的经验总结，对氮化镓功放性能指标的测试方法进行了详细的规定。
 
请于2023年4月13日前填写《CASA标准文件征求意见表》反馈至联盟秘书处。
感谢您的关注与支持。