5月24日，由英诺赛科（珠海）科技有限公司主办、珠海高新创业投资有限公司协办的“英诺赛科八英寸硅基氮化镓项目战略研讨会”在珠海度假村酒店成功举办。中国半导体行业元老、专家集聚一堂，共同为珠海英诺赛科主导建设的中国第一条“八英寸硅基氮化镓功率器件生产线”进行投产前的战略发展规划。

会议现场

 中国电科集团前副总经理赵正平，北京电子商会副会长李国庆，发改委国家战略新兴产业联盟秘书长陈东升，中国电子科技集团第十三所科技委副主任赵彦军，中科院半导体研究所研究员王晓亮教授，香港科技大学电子和计算机工程系教授陈敬，广东粤科金融集团投资总监严国良，以及珠海高新区相关领导等约40人参加了此次会议。

 珠海高新区管委会副主任张静华同志代表珠海高新区介绍了近几年珠海高新区集成电路产业发展的概况和取得的成绩，并希望专家们对珠海高新区半导体相关产业发展提出宝贵意见，同时推荐更多优秀团队落户高新区创业发展。

 与会嘉宾充分肯定了珠海高新区抢先布局第三代半导体这一国家战略新兴产业，并就宽禁带半导体器件开发、产业化进展以及应用开发等产业技术热点进行了深入交流，殷切期望英诺赛科“八英寸硅基氮化镓项目”做好产业发展带动示范作用，积极开展产业技术及应用开发，努力为我国第三代半导体事业多做贡献。

英诺赛科（珠海）科技有限公司董事长   骆薇薇

 研讨会结束后各位专家前往珠海高新区参观了解英诺赛科的研发与生产基地建设情况。目前生产基地洁净厂房处于试运转阶段，温湿度与洁净度已满足设备搬入需求，洁净厂房规模和品质得到专家一致认可。

参观洁净厂房

 英诺赛科成立于2015年12月，坐落于珠海市国家高新区。即将建成投产的研发与生产基地建筑面积17057.72平方米，拥有十级洁净厂房面积3500平方米。

参观洁净厂房

英诺赛科利用其国际领先技术优势，与欧洲微电子所(IMEC)，德国爱思强公司（Aixtron），德国亚琛工业大学(RWTH Aachen)等国际著名科研单位及企业合作，主要致力于第三代半导体（氮化镓）功率器件研发与生产，并将于今年内建造完成中国第一条八英寸硅基氮化镓功率器件生产线，填补我国在此领域的空白。

研讨会大合影