工业和信息化部电子第五研究所研究员、联盟标委会副主任  来 萍

研讨会旨在推动器件、测试、应用等领域的技术融合，加快相关技术成果产业化，完善相应标准化体系，促进细分应用领域产业链上下游合作交流。会议由工业和信息化部电子第五研究所研究员、联盟标委会副主任来萍和浙江大学教授、联盟标委会副主任吴新科共同主持。

联盟副理事长兼秘书长、联盟标委会主任  杨富华

第三代半导体产业技术创新战略联盟副理事长兼秘书长、联盟标委会主任杨富华致辞。他表示标准是科学与技术的高度融合，首先要懂原理，然后在测试的过程中重复实验，要有更多的测试样本，根据实验原理，有实验数据做支撑后，制定相应的标准，高标准严要求。联盟在过去的几年里也制定发布了一些标准，希望大家能够在联盟标准化工作中多提建议，献计献策，联盟标准化委员会才能有目的、有计划、有步骤的开展工作。

浙江大学教授、联盟标委会副主任吴新科分享了《面向电路拓扑的GaN器件导通电阻测试方法与标准建议》的报告。

东南大学博士后李胜带来了《功率GaN HEMT电热应力可靠性研究进展》的报告。

南方科技大学助理教授化梦媛分享了《p型栅GaN基功率器件栅极可靠性及阈值稳定性研究》的报告。

泰克科技（中国）有限公司泰克电源测试领域资深工程师黄正峰分享了《从测试的角度看宽禁带技术的挑战》的报告。

工业和信息化部电子第五研究所研究员陈媛带来了《SiC MOSFET功率循环试验方法及退化特征分析》的报告。

浙江大学博士董泽政分享了《碳化硅双面散热模块的银烧结工艺及模块测试》的报告。

重庆大学教授曾正分享了《SiC MOSFET动态参数测试方法标准制定的一些考虑》的报告。

复旦大学教授樊嘉杰带来了《SiC MOSFET功率器件的应用可靠性评价技术体系报告》。

会上，参会人员与报告嘉宾积极互动，加强了SiC/GaN电力电子计量、检测、标准、器件、应用等领域的跨界交流。
本次会议推动并形成了检测共性问题与技术解决方案的产业共识，推进产业化应用进程，支撑新兴市场发展。