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第三代半导体标准与检测研讨会成功召开 2023-02-09 22:39
2月9日,由第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会主办,泰克科技(中国)有限公司、忱芯科技(上海)有限公司协办的第三代半导体标准与检测研讨会在苏州金鸡湖凯宾斯基大酒店成功举办。来自第三代半导体及相关领域的知名专家学者、企业代表100余人参会。



工业和信息化部电子第五研究所研究员、联盟标委会副主任  来 萍
研讨会旨在推动器件、测试、应用等领域的技术融合,加快相关技术成果产业化,完善相应标准化体系,促进细分应用领域产业链上下游合作交流。会议由工业和信息化部电子第五研究所研究员、联盟标委会副主任来萍和浙江大学教授、联盟标委会副主任吴新科共同主持。

联盟副理事长兼秘书长、联盟标委会主任  杨富华
第三代半导体产业技术创新战略联盟副理事长兼秘书长、联盟标委会主任杨富华致辞。他表示标准是科学与技术的高度融合,首先要懂原理,然后在测试的过程中重复实验,要有更多的测试样本,根据实验原理,有实验数据做支撑后,制定相应的标准,高标准严要求。联盟在过去的几年里也制定发布了一些标准,希望大家能够在联盟标准化工作中多提建议,献计献策,联盟标准化委员会才能有目的、有计划、有步骤的开展工作。
浙江大学教授、联盟标委会副主任吴新科分享了《面向电路拓扑的GaN器件导通电阻测试方法与标准建议》的报告。

东南大学博士后李胜带来了《功率GaN HEMT电热应力可靠性研究进展》的报告。

南方科技大学助理教授化梦媛分享了《p型栅GaN基功率器件栅极可靠性及阈值稳定性研究》的报告。

泰克科技(中国)有限公司泰克电源测试领域资深工程师黄正峰分享了《从测试的角度看宽禁带技术的挑战》的报告。

工业和信息化部电子第五研究所研究员陈媛带来了《SiC MOSFET功率循环试验方法及退化特征分析》的报告。

浙江大学博士董泽政分享了《碳化硅双面散热模块的银烧结工艺及模块测试》的报告。

重庆大学教授曾正分享了《SiC MOSFET动态参数测试方法标准制定的一些考虑》的报告。

复旦大学教授樊嘉杰带来了《SiC MOSFET功率器件的应用可靠性评价技术体系报告》。
会上,参会人员与报告嘉宾积极互动,加强了SiC/GaN电力电子计量、检测、标准、器件、应用等领域的跨界交流。
本次会议推动并形成了检测共性问题与技术解决方案的产业共识,推进产业化应用进程,支撑新兴市场发展。

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