屠海令院士：发展第三代半导体要做好顶层设计，研发和生产并重

在9月5日保定涞源召开的2021白石山第三代半导体峰会上，中国工程院院士、北京有色金属研究总院名誉院长、中国有色金属工业协会特邀副会长屠海令线上参加并致词，指出发展第三代半导体要做好顶层设计，研发和生产并重。

他指出，半导体材料的研发与应用方兴未艾，正在掀起新一轮的热潮。近年来，SiC电力电子器件和GaN 射频器件显现出了良好的市场前景，发达国家纷纷将其列入国家战略，投入巨资支持。当前，中国发展宽禁带半导体具有良好的机遇和合适的环境。从消费类电子设备、新型半导体照明、新能源汽车、风力发电、航空发动机、新一代移动通信、智能电网、高速轨道交通、大数据中心，均对高性能SiC 和GaN 器件有着极大的期待和需求。因此宽禁带半导体材料的发展空间都很大，市场前景也很好。但发展宽禁带半导体材料需要关注以下几点。

第一，宽禁带半导体材料及应用具有学科交叉性强、应用领域广、产业关联性大等特点，需要设计、工艺、材料、可靠性、成品率、性价比全面满足各类应用系统的要求；同时要注重设备仪器、检验标准、税收政策、金融环境等全产业链和产业环境的建设，强化多方配合与协同发展。因此做好顶层设计，进行统筹安排非常重要。

第二，宽禁带半导体材料是机遇与挑战并存的领域。当前，国内SiC和GaN的研究与应用仍存在诸多问题，其产业化的难度比外界想象的还要大。从国际专利构架布局上看，宽禁带半导体已经进入市场竞争阶段，我们不能过多时间只停留在研发阶段，要研发和生产并重，加速第三代半导体进入市场的步伐。因此，在重视研发的基础上，也需要将市场化作为关注重点。

第三，SiC、GaN材料适合制作高温、高频、抗辐射及大功率器件，能有效提高系统的效率，对发展“大智物移云”具有重要作用。SiC和GaN 器件不会取代硅集成电路，但它能做硅半导体做不到的事情。未来，SiC、GaN 和硅将在不同的应用领域发挥各自的作用、占据各自的市场份额。即便是电力电子器件，宽禁带半导体材料也不可能完全替代硅，缘于应用和市场还会细分，同时也要权衡材料与器件的成本和性价比。

第四，当前第三代半导体全国布局众多，参与的机构也很多，如果集中力量协同创新，有可能在相关领域获得比较优势进而占据领先地位。因此，要应避免热炒概念、盲目投资、低水平重复建设。在这一点上，希望联盟能发挥好作用与优势，做好协调与指导。

展望未来，进一步加强宽禁带半导体研发与产业化，战略新兴产业发展将具有举足轻重的作用。相信我们有能力抢占宽禁带半导体材料及应用的战略制高点，为实现世界科技强国的宏伟目标奠定坚实的基础。

2021白石山第三代半导体峰会由保定市人民政府和第三代半导体产业技术创新战略联盟共同主办，保定市科协、涞源县人民政府承办。本届主题为“新阶段·芯机遇·新动能”。近200位业界专家代表出席会议。