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SiC MOSFET 阈值电压等9项技术标准形成委员会草案 2024-10-15 15:53
2024年10月14日，T/CASAS 021—202X《SiC MOSFET阈值电压测试方法》等9项SiC MOSFET技术标准已形成委员会草案（CD），9项标准委员会草案按照CASAS标准制定程序，反复斟酌、修改、编制而成。起草组召开了多次正式或非正式的专题研讨会，得到了很多CASAS正式成员的支持。请联盟标委会正式成员关注秘书处邮件。
联盟标委会非正式成员及非联盟成员单位如有需要，可发邮件至casas@casa-china.cn。
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2024年1月11日，SiC功率器件与模块工作组于浙江大学杭州国际科创中心召开第一次工作会议，初步确定了SiC MOSFET可靠性评价标准体系建设的整体布局；经过标准立项、征集起草小组、召开起草小组会议，标准文稿反复讨论、修改；2024年7月10日，SiC功率器件与模块工作组于复旦大学/上海碳化硅功率器件工程技术研究中心召开第二次工作会议，全面集中讨论了标准草案；其中9项标准于7月19日形成征求意见稿，为期一个月的广泛征求意见秘书处收到了来自行业上下游百余条意见或建议；10月14日，9项标准形成委员会草案。
