7月28-29日，作为我国化合物半导体领域历史最悠久、影响力最大的学术交流平台之一——第十九届全国MOCVD学术会议在内蒙古呼和浩特隆重举行。大会以五大核心议题为主线，汇聚八百余位来自国内化合物半导体领域学术界、产业界的专家学者、科研技术人员、院校师生及企业家代表参与交流与研讨，为化合物半导体技术创新与产业高质量发展注入了新动能。

本次大会由中国有色金属学会、国家第三代半导体技术创新中心（苏州）、第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）联合主办，中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、江苏省第三代半导体研究院、化合积电（呼和浩特）半导体科技有限公司、内蒙古大学、苏州纳维科技有限公司承办。南昌实验室、西安电子科技大学集成电路学部、宽禁带半导体国家工程研究中心、北京大学宽禁带半导体中心、西交利物浦大学先进半导体研究中心、苏州纳米科技发展有限公司、江苏省第三代半导体与高能效器件重点实验室、中微半导体设备（上海）股份有限公司、内蒙古工业大学、中国电子科技集团公司第四十八研究所、叁砖科技（南京）有限公司、云南鑫耀半导体材料有限公司协办，并得到了呼和浩特市政府及呼和浩特经济技术开发区政府的大力支持。

出席开幕式的有西安电子科技大学教授、国家第三代半导体技术创新中心（苏州）主任郝跃，南昌大学教授、南昌实验室主任江风益，浙江大学教授杨德仁，清华大学教授罗毅，南京大学教授施毅，香港科技大学教授刘纪美，内蒙古自治区呼和浩特市副市长郭树民，内蒙古大学党委副书记、校长武利民，呼和浩特经济技术开发区党工委书记刘占英，中国有色金属学会副理事长兼秘书长高焕芝，第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长吴玲，第三代半导体产业技术创新战略联盟副理事长兼秘书杨富华，国家自然科学基金委员会研究员何杰，科学技术部高技术研究发展中心原副主任卞曙光，中国科学院半导体研究所研究员李晋闽，北京大学博雅特聘教授、理学部副主任沈波，中国航天电子技术研究院研究员赵元富，苏州纳米科技发展有限公司董事长张淑梅，国家第三代半导体技术创新中心（苏州）常务副主任、江苏第三代半导体研究院院长徐科等业界专家学者、行业组织、企业代表及行业嘉宾出席会议开幕式。东北师范大学教授刘益春主持了开幕式致辞环节。

刘益春

东北师范大学教授

大会主席、西安电子科技大学教授、国家第三代半导体技术创新中心（苏州）主任郝跃在致辞中表示，当前全球半导体格局正在经历深刻重构，从国际视野看，化合物半导体已成为大国科技博弈的战略制高点，MOCVD技术作为化合物半导体材料制备的关键核心装备，其自主可控发展对于保障产业链供应链安全具有重要意义。本届大会希望与会代表充分交流、碰撞思想，共同推动我国MOCVD技术及化合物半导体产业迈向高质量发展新阶段。

大会主席：郝 跃

西安电子科技大学教授

国家第三代半导体技术创新中心（苏州）主任

呼和浩特市委常委、副市长郭树民出席开幕式并致辞。他指出，全国MOCVD学术会议历经37年十九届传承，已成为业内权威盛会。呼和浩特已形成以硅基为主体、碳基与前沿新材料协同发展的产业格局，愿与产学研各界携手共享半导体产业发展的时代机遇。

郭树民

呼和浩特市委常委、副市长

中国有色金属学会副理事长兼秘书长高焕芝表示，全国MOCVD学术会议已成为我国MOCVD领域的学术研究、技术进步及半导体产业发展的最具影响力的行业盛会。学会将一如既往地给予会议全力支持，持续做好支撑与服务工作，为行业高质量发展保驾护航。

高焕芝

中国有色金属学会副理事长兼秘书长

第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长吴玲致辞时表示，二十年来化合物半导体从LED起步，已拓展至功率、射频全方位应用，实现了从“有无”到“能用”的跨越，但全链条在器件可靠性、服务体系等方面仍有短板。面向“十五五”，行业要肩负从“能用”迈向“好用”的使命，全链条建立国际领先优势，将化合物半导体打造为引领AI与信息技术发展的关键支撑。

吴 玲

第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长

新科技浪潮下，技术迭代与产业变革同频共振，化合物半导体作为支撑5G通信、新能源汽车、人工智能等战略性新兴产业的核心基石，正迎来前所未有的发展机遇。本届大会报告立足这一时代命题，集中呈现了我国在硅基氮化镓发光、氧化镓大尺寸外延、二维半导体单晶创制及高功率射频器件等关键赛道上的最新突破，彰显了产学研协同攻关下中国化合物半导体从跟跑到并跑、加速迈向引领的强劲态势。

开幕大会主旨报告环节，由浙江大学教授杨德仁和南京大学教授施毅分别主持。南昌大学教授、南昌实验室主任江风益，北京大学理学部副主任沈波，浙江大学教授张辉，南京大学集成电路学院党委书记、苏州国家实验室前沿材料研究部部长王欣然，西安电子科技大学教授、副校长张进成五位重量级专家领衔，带来大会前沿主旨报告，多维度探讨化合物半导体技术发展的最新进展与趋势前瞻。

杨德仁

浙江大学教授

施毅

南京大学教授

《硅基氮化镓半导体发光》

报告系统回顾了硅基氮化镓LED从基础研究到产业化的突破历程，团队攻克了高光效硅基氮化镓LED技术，开辟了氮化镓长波长高效发光新方向，提出 V 缺陷三维 PN 结理论方法，为半导体照明产业开辟了低成本、大尺寸的自主技术路线。

江风益

南昌大学教授、南昌实验室主任

《氮化物半导体的大失配外延及其应用》

报告围绕氮化物半导体大失配异质外延的核心挑战，介绍了北京大学团队在材料制备与器件研制方面的系统性突破，相关成果已应用于多个龙头企业，并产生了显著的经济和社会效益。

沈 波

北京大学宽禁带半导体研究中心/人工微结构和介观物理全国重点实验室

博雅特聘教授、理学部副主任

《高质量大尺寸氧化镓MOCVD同质外延的进展与挑战》

报告介绍了“铸造法”生长氧化镓单晶技术，已实现2~6英寸氧化镓衬底批量制备及8英寸衬底加工，并利用MOCVD成功制备出8英寸同质外延片。团队正持续优化外延质量与器件性能的关联，为氧化镓功率器件规模化发展奠定基础。

张 辉

浙江大学材料科学与工程学院教授、

杭州镓仁半导体有限公司董事长

《大尺寸二维半导体单晶MOCVD外延技术》

报告介绍了蓝宝石台阶诱导成核、稀土原子“点石成晶”及氧辅助MOCVD等核心技术突破，在国际上首次实现6英寸二维半导体单晶的创制及普适性外延，可扩展至12英寸，为二维半导体产业化奠定了关键材料基础。

王欣然

南京大学集成电路学院党委书记、

苏州国家实验室前沿材料研究部部长

《高功率氮化物半导体外延技术与射频器件》

报告介绍了团队在高导热超薄氮化物外延、耐高温异质结构及缺陷抑制等方面的创新进展，成功实现了超高功率密度射频器件，成果已在北斗卫星、5G通信等国家重大工程中广泛应用。

张进成

西安电子科技大学教授、副校长

除开幕大会主旨报告外，7月28日下午至29日上午，围绕“材料生长、表征与装备”、“功率电子与射频器件”、“光电子器件与应用”、“超宽禁带半导体与前沿交叉”、“新型器件及面向AI等新应用”五大核心专题，设立五个平行分会场，邀请来自全国高校的专家学者、产业链领军企业技术骨干，带来120余场邀请报告与口头报告。

材料生长、表征与装备

功率电子与射频器件

光电子器件与应用

超宽禁带半导体与前沿交叉

新型器件及面向AI等新应用

会议同期举办的展览展示环节，聚焦第三代半导体产业链关键环节，搭建了技术交流与资源对接的高效平台。业界同仁在展览区深入交流互动，探讨技术趋势与合作机遇，充分体现了会议推动产学研用协同创新的平台价值。

7月29日下午，闭幕大会由北京大学教授王新强与国家第三代半导体技术创新中心（苏州）常务副主任、江苏第三代半导体研究院院长徐科共同主持。

王新强

北京大学教授

徐科

国家第三代半导体技术创新中心（苏州）常务副主任

江苏第三代半导体研究院院长

当前，宽禁带半导体研究正从经典体系向新物态、新效应、新应用加速拓展，学科交叉与融合创新的特征日益凸显。从极化物理的深层突破到六方金刚石的实验合成，从红外探测的智能跃升到功率集成系统的多维推进，基础研究的每一次认知刷新都在为产业变革积蓄能量。本届闭幕大会报告紧密围绕这些前沿方向，集中呈现了在宽禁带半导体强极化效应、六方金刚石合成、红外智能感知及氮化镓功率集成等领域的最新成果，充分展现了我国化合物半导体研究从单点突破向系统创新迈进的蓬勃态势。

《红外探测器:从灵敏探测迈向智能感知》

报告聚焦局域场调控红外探测器的最新进展。团队利用低维材料局域场调控实现可重构光响应，为感存算一体架构提供关键器件基础，并展示了高性能红外探测、仿生智能探测等关键技术及其在智能遥感等领域的应用前景。

胡伟达

中国科学院上海技术物理研究所副所长、研究员

《六方金刚石》

目前广泛应用的金刚石都是立方结构，报告介绍了近期在实验室成功合成六方相金刚石的突破性进展，并重点展示了其独特的物理性质与半导体应用潜力。

单崇新

郑州大学教授、副校长

《宽禁带半导体强极化效应探讨》

报告分享了团队对Ⅲ族氮化物半导体极化的新认识：实验测定极化值超过1 C/cm²，比此前被广泛接受的数值高出一个多数量级，且极化方向也表现出差异，重新定义了GaN异质结与量子结构中的极化图景。

王新强

北京大学教授

《多维度的氮化镓基功率器件与集成技术》

报告聚焦氮化镓功率器件与集成技术的最新进展。GaN凭借宽禁带、高临界电场及强极化效应等优势，结合硅衬底兼容工艺，为功率集成提供了巨大机遇。报告介绍了GaN HEMT技术平台在数据中心、电动汽车、智能电网等关键应用领域的最新突破与产业前景。

陈敬

香港科技大学讲座教授香港功率半导体芯片及应用中心(PowerSAC)主任

南昌大学教授、南昌实验室主任江风益为获奖代表颁发荣誉证书

本届大会程序委员会主席、国家第三代半导体技术创新中心（苏州）常务副主任徐科做本届会议的闭幕总结，本届会议共有来自全国各地820余人参会。会议共收到328份摘要，共推选出大会报告9个，邀请报告77个，口头报告48个，41家企业单位参与展览展示，128篇论文海报参与POSTER交流，全面深入探讨了当前MOCVD领域从材料生长、装备研发到器件应用的全链条学术前沿与产业进展，现场反响热烈。

大会程序委员会主席、国家第三代半导体技术创新中心（苏州）常务副主任徐科作闭幕式总结

南昌大学教授、南昌实验室主任江风益为本届大会作总结寄语并宣布会议闭幕。他指出，本届大会报告质量高、研讨议题广、产学研参与度深，充分展现了我国MOCVD技术与化合物半导体研究领域蓬勃向上的发展态势。他建议研究人员要不断提升研究成果的创新性、重要性和逻辑性。最后，他勉励广大中青年学者与产业界同仁，当前科学技术已进入复杂体系阶段，我们正身处大有可为的时代，要坚定信心，勇担使命，为世界MOCVD技术与产业发展贡献中国智慧与力量。

南昌大学教授、南昌实验室主任江风益作闭幕式寄语