2026年8月20日，由第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会（CASAS）主办、西交利物浦大学先进半导体研究中心承办的“CASAS GaN功率器件与模块工作组第二次会议”在西交利物浦大学南校区国际学术交流中心成功举办。来自英诺赛科、士兰微、华润微电子、宏微科技、能华微电子、广东致能、华盈汽车、鲁欧智造、佛山联动、是德科技、天津海瑞、广芯龙测等企业以及浙江大学国际科创中心、广东工业大学、西交利物浦大学、大连理工大学、香港大学、东南大学、西安交通大学、浙江大学绍兴研究院、中国科学院微电子研究所、深圳平湖实验室、甬江实验室等高校及科研院所的40余位代表参会。

本次会议讨论了GaN HEMT桥臂短路保护、热阻瞬态测试和动态输出电流测试等三项预提案标准，并对三项在研标准草案——T/CASAS 079《p型GaN HEMT功率器件短路测试方法》、T/CASAS 074《GaN BDS功率器件四象限动态导通电阻测试方法》、T/CASAS 070《GaN HEMT阈值电压测试 脉冲电压法》展开深入讨论。

在标准布局讨论环节，与会代表就GaN动态测量、商业航天抗辐照、栅电荷、三端口电容、安全工作区、寄生电感等测试展开讨论。GaN HEMT功率器件因应用拓扑电路不同，测试方法难以对齐、各参数的规格定义各不相同，下一步标准化工作将聚焦提炼典型工况的需求参数，积极支撑应用市场开拓。