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顺利开幕-2023碳化硅关键装备、工艺及其他新型半导体技术论坛 2023-05-06 10:02
随着新能源汽车的普及及5G的商用，量产新能源车型中搭载碳化硅（SiC）以及5G基站功放使用碳化硅基氮化镓，催生了碳化硅产业链从衬底-外延-器件-模块-应用巨大的市场需求。我国目前在以碳化硅、氮化镓为首的第三代半导体材料领域已经形成了完整的产业链，从材料、装备及工艺技术等方面也均实现了部分国产化替代，要实现碳化硅关键装备及工艺技术完全的国产自主可控，仍需产业上下游各方加强协作，携手攻克难关。
开幕大会现场
开幕大会现场
开幕大会现场
中国电子科技集团公司第四十八研究所半导体装备研究部主任巩小亮与中微半导体设备（上海）股份有限公司副总裁郭世平先后主持开幕大会和报告环节
展览展示
欢迎晚宴
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开幕大会现场
2023年5月5日，“2023碳化硅关键装备、工艺及其他新型半导体技术发展论坛”在长沙盛大召开。论坛在第三代半导体产业技术创新战略联盟的指导下，由极智半导体产业网与中国电子科技集团第四十八研究所等单位联合组织。
开幕大会现场
湘江新区科创局局长龚昌微，中国电子科技集团公司第四十八研究所所长王平，厦门大学电子科学与技术学院副院长、教授张保平，复旦大学教授、上海碳化硅功率器件工程技术研究中心主任、清纯半导体董事长张清纯，南京大学教授谢自力，南京大学教授修向前，大连理工大学教授王德君，中国科学院上海光学精密机械研究所研究员夏长泰，湖南大学超大功率半导体研究中心主任、教授王俊，湖南大学无锡半导体先进制造创新中心执行院长尹韶辉，天津工业大学电气工程学院院长、教授梅云辉，第三代半导体产业技术创新战略联盟副秘书长耿博、赵璐冰，泰科天润董事长陈彤，湖南三安半导体有限公司副总经理张洁，中微半导体设备（上海）股份有限公司副总裁郭世平，北京天科合达半导体股份有限公司董事、常务副总经理彭同华，中电化合物半导体有限公司总经理潘尧波，苏州晶湛半导体有限公司董事长、总裁程凯，哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司董事长、哈尔滨工业大学教授赵丽丽，中电科风华信息装备股份有限公司总经理吴洪坤，德国爱思强中国区副总经理方子文，湖南德智新材料有限公司总经理万强，北京烁科中科信电子装备有限公司总经理李进，上海瞻芯电子科技有限公司副总经理陈俭，杭州海乾半导体有限公司董事长、山东大学新一代半导体材料研究院研究员孔令沂，苏州高视半导体技术有限公司总经理魏斌，蔚来资本副总经理柳雪萍等领导、专家、企业嘉宾，以及产业链相关的科研人才、知名企业高管、投资机构等出席论坛，聚焦碳化硅关键装备、工艺及其他新型半导体技术，深入探讨交流最新技术进展与发展趋势。
开幕大会现场
携手前行，探索合作发展新机遇
当前以第三代半导体为代表的化合物半导体材料快速崛起，将成为整个信息产业中一个新的经济增长极，未来2-3年是产业发展的关键期，也被认为是我国半导体行业开道超车的机会，核心产业环节的协同研发创新是建立半导体技术和产业核心竞争力的必要途径，需要国内产学研合作以及跨界应用的开放协同创新发展。
湖南作为第三代半导体产业发展的新兴区域，通过不断加大攻关布局，培育战略力量，强化系统创新，不断推进第三代半导体产业的发展，已经形成了较好的产业基础，并逐渐形成了产业集聚的态势，也有一定的产业优势和旺盛的需求，并拥有中国电科四十八所、中车、湖南三安、泰科天润、比亚迪等一批极具代表性的产业发展力量。
王 平
中国电子科技集团公司第四十八研究所所长
中国电子科技集团公司第四十八研究所所长王平致辞时表示，我国目前以碳化硅，氮化镓为代表的第三代半导体材料领域已经形成了完整的产业链，装备工艺和材料技术均实现了部分国产化替代，占据了一定的市场份额，四十八所作为我国国家级集成电路工艺装备研究所，目前已在碳化硅外延炉、高温退火炉、高温氧化炉等核心装备方面实现了重点突破，也正在统筹国内半导体工艺设备相关的供应链资源，全力推进国家半导体装备产业集聚区的建设，而要推动实现第三代半导体核心装备等泛半导体设备的产业化，也需要产业界齐心协力。
耿 博
第三代半导体产业技术创新战略联盟副秘书长
当前处于化合物半导体材料快速崛起的阶段，第三代半导体是支持国家能源战略，实现”双碳目“标的重要支撑，也是保障5G通讯、新能源汽车、国防安全等领域实现升级换代的关键，已经成为全球半导体技术研究前沿和竞争焦点，是国家重大战略需求和经济高质量发展的必然选择。第三代半导体产业技术创新战略联盟副秘书长耿博表示，在国家层面的支持下，我国第三代半导体产业已经初步形成了较为完整的产业链，但是在核心装备和材料领域仍面临着诸多的挑战和制约，但依然一定程度上可以摆脱光刻机等为代表的先进制程设备的对外依赖。有望实现设备和材料领域的突破，为国内产业发展提供好的支撑。当前产业处于发展突破关键期，国产设备实力不断提升，市场需求不断增长，也希望行业同仁把握机遇，向着更好的方向携手前行。
务实下沉 打造产业自主核心竞争力量
“一代材料，一代装备，一代工艺“，半导体是信息产业和国家竞争的基石，半导体新材料、工艺和装备等技术的发展将极大的支撑并推动化合物半导体的发展进程。
大会主旨报告环节，五大重量级报告，从产业、装备技术、工艺、新机遇等不同角度深入探讨交流碳化硅关键装备、工艺及其他新型半导体技术的最新进展及前沿新方向。中国电子科技集团公司第四十八研究所半导体装备研究部主任巩小亮与中微半导体设备（上海）股份有限公司副总裁郭世平先后共同主持了开幕大会和大会报告环节。
中国电子科技集团公司第四十八研究所半导体装备研究部主任巩小亮与中微半导体设备（上海）股份有限公司副总裁郭世平先后主持开幕大会和报告环节
赵璐冰
第三代半导体产业技术创新战略联盟副秘书长
应用需求推动半导体材料不断发展，在全球半导体产业发展复杂多变的形势下，我国第三代半导体产业发展也面临着新的机遇和挑战。第三代半导体产业技术创新战略联盟副秘书长赵璐冰做了《第三代半导体产业发展现状及趋势》的大会报告，报告从产业全局角度分享了当前产业发展的最新整体趋势与布局，并指出”十四五“是我国第三代半导体产业发展的关键窗口期，需要业界合力建立长期竞争优势。需求牵引下，需要协同创新形成本土闭环产业链，核心环节形成自主保障能力。同时也要保障人才、平台、机构可持续发展的能力建设。可以通过示范应用加速工程化技术迭代提升，推动形成规模化生产能力。
张清纯
复旦大学教授、上海碳化硅功率器件工程技术研究中心主任、清纯半导体董事长
技术发展与需求相辅相成，碳化硅器件的微型化，与器件成本、成品率等相关，也是技术的发展趋势。复旦大学教授、上海碳化硅功率器件工程技术研究中心主任、清纯半导体董事长张清纯带来了《碳化硅器件微型化现状及发展趋势》的大会报告，分享了最新进展及挑战。报告指出，新能源汽车与光伏是推动碳化硅器件发展的重大推手，国内碳化硅产业链比较完善，设计和制造进展快速，器件特性达到或接近国际领先水平。碳化硅器件微型化显著降低芯片成本，进一步促进碳化硅技术在新能源领域的大规模应用。并透露，清纯半导体的第二代国产碳化硅MOSFET比电阻已经达到目前国际同类产品技术水平，车规级可靠性考核进展良好。
彭同华
北京天科合达半导体股份有限公司董事、常务副总经理
北京天科合达半导体股份有限公司董事、常务副总经理彭同华做了《碳化硅材料技术产业现状与新趋势》的大会报告，报告指出，碳化硅衬底材料制备和外延生长关键技术已经全面掌握，能支撑碳化硅器件对材料质量的需求。近几年随着下游需求的快速增长，碳化硅材料总体呈现供不应求的态势，预计2023年国内6英寸导电衬底（导电型折合）供应量40万片左右。未来衬底和外延研发将朝着生长速度更快、晶体更厚、尺寸更大、成本更低等方向发展。8英寸碳化硅材料发展对新技术、新装备是一个好机遇。
陈 彤
泰科天润董事长
自半导体诞生以来，半导体材料便不断升级。与第一代和第二代半导体材料相比，第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更大的电子饱和度以及更高的抗辐射能力。碳化硅是最接近大规模商业化的第三代半导体材料,SiC器件正广泛应用于电力电子领域中，作为制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一。国内外纷纷投入大量的人力物力积极发展布局，各地碳化硅项目渐次落，“枝繁叶茂”的同时，也给业界带来如何避免过度分散以及更好规模化发展的思考。泰科天润董事长陈彤分享了《当前碳化硅项目到底要建多大的线？再分析碳化硅行业规模化发展的谜题与难题》大会报告。报告认为，半导体制造业具有超大规模制造，重资产、周期长，运营成本高、高度专业集中等特点，竞争挑战高。碳化硅产业总体是个慢而艰熬的产业，但是正是因为慢才有国产的机会。国产化的有效产出突破百万片/年，单体项目突破10万片/年，需要相当一段时间的突破和积累。国产化碳化硅晶圆制造项目布局，在月产1万片的布局为稳妥，做好长期技术积累的准备。碳化硅国产化发展最大的优势是中国的内卷能力，与硅器件的PK是现实要求。用够拼的行动和够忍的耐力，做到硅器件2倍左右的价钱，国产化才能真正突破百万片大关。尽快把不成熟，做成熟，跟上国外发展的脚步就是胜利。
巩小亮
中国电子科技集团公司第四十八研究所、半导体装备研究部主任
中国电子科技集团公司第四十八研究所半导体装备研究部主任巩小亮分享了《碳化硅芯片制造装备技术发展趋势及国产化进展》大会报告。报告指出，当前国产装备已经实现从无到有，全面起步，对国内SiC产业从中试到量产的进程起到了较好的支撑。器件性能和成本的持续倒逼和规模化生产对装备支撑能力不断提出新要求，向大尺寸、高效率和高产能、低污染、新工艺协同等方面的发展成为装备技术发展的主要趋势。
本次论坛除开幕大会，两天时间里，还设置了两大平行论坛（5月6日），围绕“碳化硅关键装备、工艺及配套材料技术”、“氮化镓、氧化镓及其他新型半导体“等主题方向，来自产业链上下游的企业及高校科研院所的实力派嘉宾代表将深入研讨，携手促进碳化硅关键装备、工艺及其他新型半导体技术的发展。
本次论坛除开幕大会，两天时间里，还设置了两大平行论坛（5月6日），围绕“碳化硅关键装备、工艺及配套材料技术”、“氮化镓、氧化镓及其他新型半导体“等主题方向，来自产业链上下游的企业及高校科研院所的实力派嘉宾代表将深入研讨，携手促进碳化硅关键装备、工艺及其他新型半导体技术的发展。
展览展示
论坛同期还设置了主题展览，交流晚宴、商务考察等线上线下丰富的活动形式，凝心聚力，助力对接资源，洽谈合作。其中，论坛期间，将组织安排嘉宾代表们走访中国电子科技集团公司第四十八研究所，实地了解交流半导体设备、注入机生产线、半导体装备脉动生产线、MBE生产线等发展现况，探讨更多的合作可能。
欢迎晚宴
CASICON 系列活动简介
“先进半导体产业大会（CASICON）” 由【极智半导体产业网】主办，每年在全国巡回举办的行业综合活动。活动聚焦先进半导体产业发展热点，聚合产业相关各方诉求，通过“主题会议+项目路演+展览”的形式，促进参与各方交流合作，积极推动产业发展。
本次长沙站论坛，由第三代半导体产业技术创新战略联盟指导，极智半导体产业网(www.casmita.com)主办，中国电子科技集团公司第四十八研究所、中南大学、北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司承办。并得到了浏阳泰科天润半导体技术有限公司、湖南三安半导体有限责任公司的协办支持。
CASICON 系列活动将以助力第三代半导体产业为己任，持续输出高质量的活动内容，搭建更好的交流平台，为产业发展贡献应尽的力量。
备注：上述嘉宾观点未经其本人逐一确认，仅根据现场素材整理，如有出入请谅解！
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