宁波市经信局副局长王川表示，宁波市高度重视第三代半导体材料产业的培育发展，经过多年的努力，已初步形成了涵盖半导体基础材料、集成电路设计、制造、封测、应用的全产业链条，构建了以芯港小镇、集成电路创新产业园等为支撑的“一区四链”产业发展格局。

论坛报告环节，第三代半导体产业技术创新战略联盟副秘书长冯亚东分享了《国际半导体政策研究》报告，宁波市经信局处长兼市数字经济局副局长苏志杰介绍了《宁波半导体产业发展现状与政策》，第三代半导体产业技术创新战略联盟副秘书长、光荣资产管理(北京)有限公司合伙人耿博带来了《第三代半导体产业发展及投资状况分析》报告，甬江实验室研究员钟飞介绍了《协同创新平台模式探讨与实践》，复旦大学宁波研究院教授张清纯分享了《国产SiC器件国产化现状及发展趋势》，上海蔚来汽车研发总监李道会介绍了《第三代半导体助推电动汽车进程》，中电化合物半导体有限公司董事潘尧波分享了《SiC 材料的进展和挑战》，上海特易信息科技有限公司副总经理王燕飞分享了《半导体照明产业国际贸易趋势解读》。

近年来我国半导体产业取得了快速发展，在半导体组装、封装和测试领域处于领先地位，我国但在半导体芯片设计、设备方面还存在短板。美国已经将我国作为主要竞争对手，各国密集的政策出台势必将对全球半导体产业生态、我国半导体产业发展产生重要影响。冯亚东副秘书长在报告中表示，要聚焦国家战略，重大项目牵引，形成发展合力。以应用促发展，培育龙头，加快迭代研发，推动产业集群。建立协同创新的产业体系和生态。推进新形势下精准深入的国际科技合作。

耿博副秘书长在报告中指出，“十四五”是我国第三代半导体产业发展的关键窗口期，近期补短板，长期建立竞争优势，窗口期3-5年，需要形成合力。发展模式上，一是要保障人才、平台、机构可持续发展的能力建设，二是通过示范应用加速工程化技术迭代提升，推动形成规模化生产能力。需求牵引，协同创新形成本土闭环产业链，产业链核心环节形成自主保障能力，推动完善上中下游互融共生、分工合作的市场化机制。着眼长远、把握大势，联盟将充分发挥桥梁作用，为政产学研合作搭建平台，打通产业链上下游、促进协同创新。

其中，张清纯教授表示：“自推出国内首款量产的‘15V驱动SiCMOSFET系列产品’，成功填补国内空白，并服务多家光伏与储能行业头部企业后，今年我们将正式上量。”目前下一代碳化硅芯片已在多家车企验证，未来将在电动车主驱芯片持续发力，率先实现主驱碳化硅芯片的国产替代。

潘尧波透露，目前国内碳化硅材料质量达到国际先进水平，能支撑碳化硅器件对材料质量的要求。SiC材料降本放量成为当前核心，SiC技术不断发展，一些关键技术问题需要基础课题研究，需要产学研大力合作。2025年SiC材料将进入8吋时代，将会形成新的竞争格局。