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2024年度中国第三代半导体技术十大进展发布 2024-11-25 11:05
2024年11月19日，第十届国际第三代半导体论坛（IFWS）与第二十一届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA2024）在苏州盛大开幕。此次论坛汇聚了众多院士及产业链各环节的逾千名代表，共同探讨第三代半导体技术的最新发展与未来趋势。
在开幕式上，2024年度中国第三代半导体技术十大进展的重磅揭晓，这些进展不仅代表了行业的技术前沿，也预示着产业发展的新方向，受到了与会代表的广泛关注和热烈讨论。
第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长、国家新材料产业发展专家咨询委员会委员吴玲发布2024年度中国第三代半导体技术十大进展。
2024年，我国第三代半导体技术与产业发展取得了日新月异的成就。在快速变化的浪潮中，为了更好地推动行业发展，大会程序委员会倡议启动了2024年度中国第三代半导体技术十大进展评选活动。经过自荐、推荐和公开信息整理等途径，截至11月10日，共收到备选技术39项。经过程序委员会的严格投票和综合评议，最终确定了10项具有里程碑意义的技术进展。
这些技术进展不仅代表了我国第三代半导体技术的最新成果，更为产业发展带来了黄金机遇。技术突破将推动产品性能的提升，产业发展则将催生大量合作机会，助力开拓出更多的新兴市场。
2024年度中国第三代半导体技术十大进展
（排名不分先后）
1.6-8英寸蓝宝石基氮化镓中高压电力电子器件技术实现重大突破。
2.垂直注入铝镓氮基深紫外发光器件的晶圆级制备。
3.基于铟镓氮红光Micro-LED芯片的全彩显示技术。
4.高功率密度、高能效比深紫外Micro-LED显示芯片。
5.氮化镓缺陷引起的局域振动的原子尺度可视化。
6.千伏级氧化镓垂直槽栅晶体管。
7.2英寸单晶金刚石异质外延自支撑衬底实现国产化。
8.8英寸碳化硅材料和晶圆制造实现产业化突破。
9.国产车规级碳化硅MOSFET器件实现新能源汽车电驱应用。
10.氮化镓基蓝光激光器关键技术取得产业化突破。
